什么是小信号分析？ 当我们说“小信号”时，我们到底是什么意思？为了定义这一点，让我们参考图 1，它显示了逆变器的输出传输特性。 逆变器的传输特性。 图 1.逆...
时间：2024-01-15 阅读：1094 关键词：MOSFET
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给...
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比，SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大，因此可以承...
分类：元器件应用 时间：2024-01-08 阅读：798 关键词：SiC MOSFET
JK 触发器 以下讨论假设正逻辑 - 具有高电平有效输入的逻辑 1。 字母 J 和 K 来自其发明者 Jack Kilby 的首字母缩写。 JK触发器消除了SR触发器真值表的不确定性。...
时间：2024-01-04 阅读：1710 关键词：CMOS 触发器
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。 据该公司介绍，汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2023-12-15 阅读：676 关键词：MOSFET
在非常小的晶体管中，栅极氧化物可能只有几个原子厚。虽然这使得器件小型化，但也会由于电流隧道效应而导致泄漏。 此外，随着设备老化，这种不理想的情况会变得更糟，因...
恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位，然后它们似乎或多或少消失了。。。除非你是IC设计师。尽管在典型 PCB 设计中很少遇到，但电流源在模拟 IC 领域却无处不在...
MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动态方式推动它们，它们的效率可能会降低，并且损失的功率肯定会增加。SPICE 的软件实现...
分类：元器件应用 时间：2023-11-10 阅读：687 关键词：MOSFET
具有单片 CMOS 读出功能的晶圆级 GFET 生物传感器阵列
为了消除多分析物诊断 ELISA 方法的缺点，通过使用具有集成互补金属氧化物半导体 ( CMOS ) 读出功能的传感器阵列，在单芯片上实现了更先进的解决方案。CMOS 读出技术的潜在...
分类：元器件应用 时间：2023-11-08 阅读：0
分立 MOSFET 数据表中最重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至...
分类：电源技术 时间：2023-11-02 阅读：639 关键词：MOSFET
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件，由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) 组成。图 1 显示了两种类型的 MOS 晶体管：N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOSFET (P...
分类：模拟技术 时间：2023-11-02 阅读：930 关键词：MOSFET
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
分类：元器件应用 时间：2023-10-10 阅读：967 关键词：MOSFET
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
分类：元器件应用 时间：2023-10-08 阅读：652 关键词：IGBT
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对最...
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定值和特性，例如温度、能量、机械数据以及电流和电压额定值。它还简要描述了数据表中包...
分类：元器件应用 时间：2023-08-30 阅读：330 关键词：MOSFET
