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MOS

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

碳化硅(SiC)如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示,与硅(Si)材料相比,SiC具有诸多技术优势,因此我们不难理解为何它已成为电动汽车(EV)、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中...

分类:元器件应用 时间:2024-05-31 阅读:396 关键词: SiC FET

ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售

新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多M...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2024-05-24 阅读:1375 关键词:MOSFET

ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售

新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的...

分类:元器件应用 时间:2024-05-24 阅读:885 关键词:MOSFET栅极驱动器

pmos管的工作原理

PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管是一种常见的场效应晶体管(FET),其工作原理如下:  PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层,称为氧化层或门绝缘层。...

分类:元器件应用 时间:2024-05-20 阅读:642 关键词:pmos管

模拟 CMOS 逆变器的开关功耗

我们不会进一步讨论静态功耗。相反,本文和下一篇文章将介绍 SPICE 仿真,以帮助您更全面地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文重点讨论开关功率——输出电压变化时电容...

分类:电源技术 时间:2024-05-20 阅读:448 关键词:CMOS 逆变器

CMOS 逆变器的功耗

CMOS 反相器的发展为集成电路提供了基本功能,是技术史上的一个转折点。该逻辑电路突出了使 CMOS 非常适合高密度、高性能数字系统的电气特性。  CMOS 的优势之一是其效率...

分类:电源技术 时间:2024-05-16 阅读:430 关键词:CMOS 逆变器

什么是MOS管?NMOS、PMOS和三极管的区别

MOS管是一种场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET),其名称源自金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)。MOS管包括两种类型:NMOS(N-Channel MOS)和PMOS(P-Channel MOS)。  NMOS(N-Channel M...

分类:元器件应用 时间:2024-04-30 阅读:1620 关键词:NMOS

MOSFET 开关损耗简介

MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。  在开关模...

分类:元器件应用 时间:2024-04-29 阅读:457 关键词:MOSFET开关

xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试

xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高...

分类:电子测量 时间:2024-04-26 阅读:662 关键词:逆变器SiC MOSFET

采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。  二极管的种类有很多,...

分类:元器件应用 时间:2024-04-26 阅读:436 关键词:MOS

BiCMOS 运算放大器的知识

BiCMOS 逻辑系列  BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上,结合了两个系列的优点。双极逻辑系列具有更高的开关速度和更高的输出驱动电流容量。CMOS 系...

分类:模拟技术 时间:2024-04-16 阅读:846 关键词:运算放大器

使用逻辑信号、交流耦合和接地栅极驱动 CMOS 图腾柱

尽管大规模集成在当代电子设计中无处不在,但经典 CMOS 图腾柱拓扑中的分立 MOSFET 有时仍然是不可或缺的。这使得使用逻辑电平信号有效驱动它们的提示和技巧同样有用,因为...

时间:2024-04-10 阅读:837 关键词:信号

功率 MOSFET 特性双脉冲测试

IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。  双脉冲有什么用?  图 1 显示了可...

分类:电子测量 时间:2024-03-07 阅读:507 关键词: MOSFET

MOSFET工作原理和特点

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:M...

分类:元器件应用 时间:2024-03-04 阅读:594 关键词:MOSFET

MOSFET 共源放大器的频率响应

之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查...

时间:2024-02-29 阅读:489 关键词:MOSFET

MOSFET共源放大器简介

放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。  在...

分类:电源技术 时间:2024-02-22 阅读:593 关键词:MOSFET

MOS管的四种类型

1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系...

分类:元器件应用 时间:2024-02-20 阅读:417 关键词:MOS管

MOS开关设计

开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被...

时间:2024-01-23 阅读:954 关键词:MOS开关

什么是耗尽型 MOSFET?

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。  耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半...

分类:元器件应用 时间:2024-01-18 阅读:1115 关键词:耗尽型 MOSFET

续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响

两种损失  原则上,功率半导体有两种损耗:通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断损耗。通态损耗由电流、通态电压(对于 MOSFET,由其 R DSon)和占空比决定。在描述功...

时间:2024-01-17 阅读:908 关键词:续流二极管

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