CMOS传感器（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor传感器）是一种利用CMOS技术制造的图像传感器，广泛应用于数字相机、智能手机、监控摄像头等设备中。它的主要功能是将光信号转化为电子信号，从而生成数字图像...
低压技术 与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构...
时间：2025-02-19 阅读：300 关键词：MOSFET
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以...
圣邦微电子推出高输出电流、轨至轨输入/输出、单 CMOS 车规级运算放大器 SGM8431－1Q
圣邦微电子推出 SGM8431-1Q，一款高输出电流、轨至轨输入/输出、单 CMOS 车规级运算放大器。该器件可广泛应用于汽车应用中的多种场景，包括但不限于振荡器激励驱动器、电机驱动器、扬声器驱动器，以及 4mA 至 20mA ...
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件...
分类：安防监控 时间：2024-12-19 阅读：376 关键词：SiC MOSFET
这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。 关于模拟布局中的堆叠式 MO...
高速CMOS阈值电压比较器（Comparator）设计是一种用于检测输入信号与预设阈值电压之间关系的电路，通常用于模拟信号处理、数字信号处理、A/D转换等领域。设计一个高速CMOS阈值电压比较器时，主要考虑以下几个方面：...
设计基于 SiCMOSFET 的 66kW 双向电动汽车车载充电器
随着世界转向更清洁的燃料替代品，电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外，配备足够电池容量的电动汽车可用于支持独立负载（V2L）和补充电网电力（V2G）。由此可见，电动...
研究 25kW 并联 SiC MOSFET DAB 转换器的性能
分立器件与电源模块 SiC MOSFET在电动汽车充电器和光伏逆变器等各个领域获得了广泛关注，这主要归功于其卓越的开关速度、效率和热性能。虽然 SiC MOSFET 的特性使其适用...
CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是两种常见的图像传感器技术，它们在数字相机、摄像头、扫描仪、手机等设备中广泛应用。它们的工作原理、性能特点、优势和适用场景都有一些不同。以下是CCD和CMOS...
分类：光电显示/LED照明 时间：2024-11-28 阅读：1194 关键词：CCDCMOS
设计电源转换器时，仿真模型可用于帮助权衡多种设计标准。有源器件的基于开关的简单模型用于快速仿真，从而获得更多的工程见解。然而，简单的设备模型不会像详细的制造商设...
肖特基势垒二极管 (SBD) 具有几个区别于 pn 结二极管的关键特性。首先是它们的构造方式：在pn 结二极管中，结是在 p 型和 n 型半导体材料之间形成的，而 SBD 则具有金属-半...
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应...
我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...
分类：电子测量 时间：2024-08-06 阅读：310 关键词：SiC MOSFET
1.用指针式万用表检测 判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两步进行。 （1）判定栅极G。将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极之间的电阻，如...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
分类：元器件应用 时间：2024-06-14 阅读：510 关键词：二极管,MOSFET
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...
分类：模拟技术 时间：2024-06-11 阅读：981 关键词：MOSFET
在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...
分类：元器件应用 时间：2024-06-06 阅读：461 关键词：CMOS
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信...
