在当今的汽车和工业电子领域，低压 MOSFET (<100 V) 对高功率的需求不断增加。电机驱动等应用现在需要千瓦级的功率输出。再加上当前模块空间的限制，这意味着处理更多功率的需求正在转移到组件上，特别是 MOSFET...
分类：电源技术 时间：2023-08-11 阅读：1067 关键词：高电流 MOSFET
合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，最好与其他...
分类：电源技术 时间：2023-08-08 阅读：970 关键词： SiC MOSFET
BJT 仍在使用，但晶体管领域目前由 MOSFET 主导。这些是场效应晶体管 (FET)，在导电控制端子（称为栅极）和连接其他两个端子（称为源极和漏极）的半导体结构之间具有绝缘层。 “MOS”代表“金属氧化物半导体”，...
双向电平转换必须在两个方向上进行。最简单的方法使用 MOSFET，如图 3 所示，并在应用笔记AN10441中进行了更详细的描述。尽管 100kHz 至 400kHz 通信标准可接受 MOSFET 电...
在此电路布置中，增强型 N 沟道 MOSFET 用于将简单的灯“打开”和“关闭”（也可以是 LED）。 栅极输入电压V GS被带到适当的正电压电平以打开设备，因此灯负载“打开”...
时间：2023-06-20 阅读：1047 关键词：MOSFET
耗计算式计算： × RDS(on) × K × 截止损耗计算： × IDSS ×（ 1-Don ） 会依 VDS(off) 变化而变化，如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算...
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。 那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都...
如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机，行驶里程较为有限。为了延长行驶里程，电动汽车制造商增加了车辆电池的能量容量。然而，更大的电池意味着更长的充电时间。要能快速高效地为电动车...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2023-06-14 阅读：503 关键词：SiC MOSFET 模块
使用 n 和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松实现单刀双掷 (SPDT) 开关来隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时从辅助电源为其供电以进行待机操作（图 1）。通过使用互补对，...
时间：2023-06-13 阅读：1038 关键词：MOSFET , SPDT 开关
MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进...
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系...
采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。在焊机行业，诸如提高效率、降低成本和增强便携性（即，缩小尺寸并减轻重量）等趋势一直是促进持续发展的...
分类：工业电子 时间：2023-06-09 阅读：784 关键词：SiC MOSFET单管
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专...
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET称为四端器件，实际上...
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三...
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专...
分类：元器件应用 时间：2023-05-25 阅读：0
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况...
01 MOS管种类&结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是...
