图像传感器是数字成像系统的主要组成部分之一，对整体系统性能有很大影响。图像传感器的两种主要类型是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。查看我们的电荷耦合器...
应用于药品时，术语“标签外”表示一种药物的（经常发现的）实际和有益用途不同于其最初开发的用途。这种情况也发生在电子元件上，例如古老的 CD4013B 双 D CMOS 触发器。尽管 4013 被标记为传统的双稳态逻辑元件，...
此设计理念提供了一种简单、经过验证、可靠且稳健的方法来为大型电容器组充电，使用串联连接的功率 MOSFET 将击穿电压提高到高于单个 MOSFET 的击穿电压。当电源驱动大容性...
图 1中的 MOSFET在恒温电路中用作加热器和温度传感器。图 1将 MOSFET 用作恒温加热器的电路图。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器（典型设定温度为30°C至50°C）；其他用途可能包括塑料切割/焊接、电子...
分类：元器件应用 时间：2023-03-21 阅读：349 关键词：MOSFET
ST - 车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力
如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能...
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有...
栅极感应自适应死区时间控制 (ADTC) 允许 Renesas 汽车级 ISL784x4 N 沟道 MOSFET 驱动器提供直通保护和最小化死区时间。ADTC 可确保准确的先开后合开关操作，以防止在允许...
分类：元器件应用 时间：2023-02-17 阅读：498 关键词：MOSFET 驱动器
碳化硅 (SiC) 已被证明是高功率和高电压器件的理想材料。但是，设备的可靠性极其重要，我们指的不仅仅是短期可靠性，还包括长期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要...
分类：元器件应用 时间：2023-02-16 阅读：685 关键词：SiC MOSFET
IDC低电压驱动MOS-FET 最适合使用在手机等流动装置!
半导体厂家IDC谏早电子(总公司: 日本长崎)正增加低驱动MOSFET的系列型号。 由手机开始发展出的流动装置产品, 产品追求降低功耗并延长使用时间, 所以电路的损失减少变为必要, 因此产品需求使用低电压驱动的MOS-FET...
介绍 该电路显示了“镜像”电流感测 MOSFET 的方法。完全导电的 MOSFET 是电阻性的，其行为与电阻器完全相同。因此，当 MOSFET 导通时，您可以限制 MOSFET 两端的电压，...
一、认识米勒电容 如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。 图片 其中： 输入电容Ciss=Cgs+Cgd， 输出电容Coss=Cgd+Cds， 反向...
MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。 下图是NMOS的示意图，从图中...
简单讲解一下三极管，如果三极管工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它...
MOS设计选型的六个基本原则 1电压应力 在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即：VD...
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？ MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易...
自举电路 自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 MOS管自举电路原理 举个简单的...
通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的...
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该...
三端双向可控硅(triacs)是用于交流应用的开关，坚固耐用并且易于操作，因此从咖啡机到冰箱均可见其踪影。高换向三端双向可控硅开关也称为Alternistor，具有改良后的换向特...
MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 电 路 当 中 。 MOSFET可以由...
