了解短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分

MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种...

分类：元器件应用 时间：2023-05-18 阅读：376 关键词：MOS 晶体管

功率MOS管损坏的典型

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...

分类：元器件应用 时间：2023-05-17 阅读：4810 关键词：功率MOS管

ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器...

分类：元器件应用 时间：2023-05-16 阅读：1142 关键词： MOSFET

细说MOS管的静电击穿

其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率...

分类：元器件应用 时间：2023-05-16 阅读：399 关键词：MOS管

处理可变照明：CMOS 与 CCD 图像传感器

尽管 CMOS 成像器很方便，但 CCD 成像器仍然占有一席之地。如果您确实需要低光性能，请考虑采用 EMCCD 技术的设备，例如 KAE-02152。CCD 和 CMOS 图像传感器都将光转换为电信号，但是关于这两种技术在性能和实现细节...

分类：传感技术 时间：2023-05-15 阅读：899 关键词： 图像传感器

开关管MOSFET的功耗分析及优化

一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的E...

分类：元器件应用 时间：2023-05-10 阅读：429 关键词：开关管MOSFET

功率MOS管损坏的典型案例

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...

分类：元器件应用 时间：2023-05-10 阅读：381 关键词：MOS管

电源工程师必须要了解的MOS管GS波形

对于咱们电源工程师来讲，很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，...

分类：元器件应用 时间：2023-05-08 阅读：436 关键词：MOS管

通过功率 MOSFET 技术创新加速提高效率

MOSFET 技术自问世以来就被广泛认为是电源管理电路中开关的绝佳选择。自 20 世纪 70 年代后期开始商用，垂直扩散 MOSFET (VDMOS) 结构率先满足了电源开关的需求。1由于其卓越的开关性能和高输入阻抗，MOSFET 迅速成...

分类：元器件应用 时间：2023-05-08 阅读：556 关键词：MOSFET

开关管MOSFET的功耗分析和功耗优化

一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的E...

分类：元器件应用 时间：2023-05-05 阅读：170 关键词：MOSFET

MOSFET在模块电源中的应用

本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对...

分类：元器件应用 时间：2023-04-28 阅读：979 关键词：MOSFET

开关电源的MOSFET选择

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这...

分类：电源技术 时间：2023-04-27 阅读：1442 关键词：MOSFET

详解MOS管的20种参数

最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件：(Ta=25℃)1、VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。...

分类：元器件应用 时间：2023-04-24 阅读：477 关键词：MOS管

常见的MOS驱动方式

MOS管是一种电压型控制器件，具有开挂速度快，输入阻抗高，驱动功率小等一系列优点1、直接驱动2、推挽驱动当驱动IC的驱动能力不足时，我们采用推挽驱动，这中驱动方式不仅增加了驱动能力，而且也加速了关断时间。3、...

分类：元器件应用 时间：2023-04-21 阅读：465 关键词：MOS

MOSFET的16种参数

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分类：元器件应用 时间：2023-04-19 阅读：452 关键词：MOSFET

三极管和MOS管的正确应用

1、三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制...

分类：元器件应用 时间：2023-04-19 阅读：362 关键词：三极管,MOS管

MOS管功率损耗竟然还可以这么测

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？1.1 功率损...

分类：电子测量 时间：2023-04-18 阅读：338 关键词：MOS管

MOSFET栅极驱动的优化设计

MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻首先得知道输入电容大小和驱动电压大小,等效为电阻和电容串联电路,求出电容充电电压表达式,得出电阻和电容电压关系图MOS管的开关时间要考虑的是...

分类：元器件应用 时间：2023-04-14 阅读：460 关键词：MOSFET

MOS管漏电流的6大原因

在讨论MOS晶体管时，短沟道器件中基本上有六种漏电流成分：反向偏置-pn结漏电流亚阈值漏电流漏极引起的势垒降低V滚降工作温度的影响隧道进入和通过栅极氧化物漏电流热载流子从衬底注入栅氧化层引起的漏电流由于栅极...

分类：元器件应用 时间：2023-04-11 阅读：666 关键词：MOS管