静态随机存取存储器（SRAM）市场赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb低功耗异步SRAM已开始出样。全新MoBL （More Battery Life,更久电池续航） SRAM的片上ECC功能可使之具有水准的数据可靠...
分类：其它 时间：2014-09-12 阅读：1484 关键词：赛普拉斯全新低功耗异步SRAM开始出样赛普拉斯 异步SRAM ECC MoBL
欧司朗推出OSRAM Ostar Projection 的两款全新高功率LED
导读：近日，欧司朗光电半导体宣布推出OSRAMOstarProjection的两款全新高功率LED.此两款高功率版本是针对亮度高达1700lm的投影仪应用而推出的采用涂有抗反射涂层的盖玻片代替普通透镜，光通量极高的全新LED.近日，欧...
时间：2013-12-23 阅读：2422 关键词：欧司朗推出OSRAM Ostar Projection 的两款全新高功率LED欧司朗高功率LEDLED
MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片
导读：近日，富士通半导体宣布推出一款全新的4MbitFRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM.富士通半导体近日宣布...
时间：2013-12-20 阅读：1826 关键词：MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片FRAM芯片SRAM并列接口MB85R4M2T
导读：日前，瑞萨电子推出了12款新产品版本的旗舰SRAM（静态随机存取存储器）产品，这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先进低功耗SRAM（先进LPSRAM）。据报道，作为全球领先的半导体及解决方案供应商...
利用IAR编译器分配MAXQ®微控制器上的闪存和SRAM存储器
摘要：通过调用读、写程序存储器，MAXQ器件提供特殊的固定用途ROM函数。然而，在MAXQ微控制器上无法直接存取储存在程序存储器中的数据。固定用途ROM函数起始地址集成在IAR ...
分类：其它 时间：2012-06-25 阅读：7431 关键词：利用IAR编译器分配MAXQ®微控制器上的闪存和SRAM存储器
摘要：本文介绍使用Cypress的PSoC3 UDB实现对异步SRAM的读写控制，并以CY7C1069AV33 SRAM为例介绍其软硬件设计过程。 1, 概述 Cypress PSoC3使用基于单循环流水线的...
分类：其它 时间：2011-12-01 阅读：7698 关键词：基于PSoC3 UDB的异步SRAM读写控制
微控制器环境要求在尽可能小的封装里实现最多的通用I／O。存微控制器尺寸和成本的限制下，M4K内核内部不支持指令高速缓存（I-cache）或数据高速缓存（D-cache）的标准功能。但MIPS32 M4K内核所具有的一些特点使其非...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-09-02 阅读：1385 关键词：接口嵌入式
基本简介 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高...
分类：模拟技术 时间：2011-08-26 阅读：4699
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN:Random Telegraph Noise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，...
基本简介 SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。...
分类：通信与网络 时间：2011-08-03 阅读：4129 关键词：SRAM在网络中的应用
目前，对于存储单元SRAM的研究都是基于硬件电路来完成，而且这些方法都是运用在生产过程中，但是生产过程并不能完全杜绝SRAM的硬件故障。在其使用过程中，如果SRAM硬件出错...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-07-29 阅读：2164 关键词：Cortex—M3的SRAM单元故障软件的自检测研究
SRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，而DRAM（DynamicRandomAccessMemory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2011-06-30 阅读：6692 关键词：外部SRAM解决FPGA的存储
摘 要：文章中提出了一种应用于FPGA 的嵌入式可配置双端口的块存储器。该存储器包括与其他电路的布线接口、可配置逻辑、可配置译码、高速读写电路。在编程状态下，可对所...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2011-02-23 阅读：2669 关键词：一种基于FPGA 的嵌入式块SRAM 的设计
DS3645是一款具有4096字节SRAM的安全监控电路，可提供敏感数据的安全存储以及物理篡改检测保护功能，适用于加密处理器和数据安全设备等应用。DS3645的主要特征之一是片内的加密密钥存储器，该存储器由32个128字节单...
分类：安防监控 时间：2011-02-10 阅读：1553 关键词：DS3645：具有4096字节SRAM的安全监控电路DS3645
近些年来，随着集成电路制造工艺和制造技术的发展，SRAM存储芯片在整个SoC芯片面积中所占比例越来越大，而SRAM的功耗也成为整个SoC芯片的主要部分。同时，CPU的工作频率逐...
分类：其它 时间：2010-11-03 阅读：2222 关键词：基于位线循环充电SRAM模式的自定时电路设计位线循环充电SRAM模式
摘要：多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成。为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战。文中以一款基于SMIC O．13um工艺的OSD显示芯片为例，从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2010-09-30 阅读：4311 关键词：SOC中多片嵌入式SRAM的DFT实现方法
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC信息和控...
分类：其它 时间：2010-09-28 阅读：1727 关键词：DS1747—非易失性SRAMDS1747
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行访问。...
分类：其它 时间：2010-09-28 阅读：1376 关键词：DS1744—Y2K兼容、非易失时钟SRAMDS1744
