瑞萨推出具有1Mbyte片内SRAM的32位SuperH微控制器

瑞萨科技美国公司近日宣布推出两个系列具有1Mbyte片内SRAM的高性能SuperH32位微控制器（MCU）。该SH7262和SH7264系列144MHz器件对数字音频系统、MP3播放器配件和图形显示系统进行了高度集成和优化，如汽车图形仪表板...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-15 阅读：1937 关键词：瑞萨推出具有1Mbyte片内SRAM的32位SuperH微控制器SRAM微控制器

Cypress推出2 Mbit 和 8 Mbit nvSRAM CY14B102/8

Cypress推出2Mbit和8Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从16Kbit到8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20纳秒，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能保存20年之久。nv...

分类：其它 时间：2008-08-11 阅读：1462 关键词：Cypress推出2 Mbit 和 8 Mbit nvSRAM CY14B102/8nvSRAM存储器

基于SRAM的可重配置电路

基于SRAM的可重配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存字的配置数据决定了PLD内部互连和功能，改变这些数据，也就改变了器件的逻辑功能。...

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-04-11 阅读：2007 关键词：基于SRAM的可重配置电路DS87C520AT24C256XILINX80C51PHILIPS

品佳集团主推OSRAM OSTAR Projection口袋型投影机解决方案

大联大集团旗下品佳集团近期强力主推欧司朗光电半导体(OSRAMOptoSemiconductors)推出的全新OSTARProjection产品，该产品封装了6颗芯片，可达到高亮度。OSTARProjection可应用于迷你投影机中，为计算机游戏创

分类：其它 时间：2008-01-30 阅读：1596 关键词：品佳集团主推OSRAM OSTAR Projection口袋型投影机解决方案

OSRAM Opto推出用于大尺寸显示器背光照明的LED

OSRAMOptoSemiconductors公司推出的GoldenDragonARGUSLED可用于32至82英寸LCD面板的背光照明。该产品整合了OSRAM公司的ARGUS透镜和薄膜GoldenDragonLED，能为显示器提供均匀的背光照明和

分类：光电显示/LED照明 时间：2007-12-18 阅读：1644 关键词：OSRAM Opto推出用于大尺寸显示器背光照明的LED

瑞萨科技与松下开发可实现45nm工艺传统CMOS稳定工作的片上SRAM制造技术

瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）与松下电器产业有限公司日前宣布，共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS*1的SRAM（静态随机存取存储器）稳定工作的技术，这种SRAM可以嵌入在SoC（系统级芯片）器件和微处理...

分类：其它 时间：2007-12-13 阅读：1722 关键词：瑞萨科技与松下开发可实现45nm工艺传统CMOS稳定工作的片上SRAM制造技术

美光面向低端手机推出新型低成本PSRAM

美光科技(MicronTechnology)近日推出一款新型存储设备，该产品专为低密度入门级移动电话而设计。据介绍，通过在现有低成本的CellularRAM器件中加入附加功能，这款x16突发(burst)A/D多元pseudo-SRAM(PSRAM

分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：1691 关键词：美光面向低端手机推出新型低成本PSRAM

赛普拉斯推出QDRII+和DDRII+ SRAM器件

赛普拉斯半导体公司推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+(DDRII+)SRAM器件。这些存储器芯片是世界上密度最高带宽最大的，比现有QDRII和DDRII的系统级带宽大50%。这些存储器加速了各种数据密集产品的读...

分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：1521 关键词：赛普拉斯推出QDRII+和DDRII+ SRAM器件

OSRAM推出2.7英寸180度视角OLED显示器 功耗仅0.05mW

OSRAM的OLED显示器新增一款2.7英寸128×64点阵显示器，使用寿命长达55,000小时。该显示器视角达180°，对比度达2000:1，视频响应速度快，图像和文本显示性能高，睡眠模式下功率仅为0.05mW。该显示器的工作温度范围在...

分类：光电显示/LED照明 时间：2007-12-11 阅读：1529 关键词：OSRAM推出2.7英寸180度视角OLED显示器 功耗仅0.05mW

OSRAM新款LED适用于32-82英寸LCD背光照明

德国欧司朗光电半导体公司(OSRAMOptoSemiconductors)日前推出GoldenDragon系列的ARGUSLED，可用于32至82英寸LCD面板的背光照明。该产品整合了OSRAM公司的ARGUS透镜和薄膜GoldenDragonLE

分类：光电显示/LED照明 时间：2007-12-11 阅读：1636 关键词：OSRAM新款LED适用于32-82英寸LCD背光照明

赛普拉斯推出首款QDRII+/DDRII+ SRAM器件，带宽翻倍

赛普拉斯半导体公司(CYPRESSSemiconducot)推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+(DDRII+)SRAM器件，据称是世界上密度最高带宽最大的存储器件，比现有QDRII和DDRII的系统级带宽大50%。这些存

分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：1523 关键词：赛普拉斯推出首款QDRII+/DDRII+ SRAM器件，带宽翻倍

智原科技miniIP平台新增ROM与SRAM内存编译器

智原科技，ASIC设计服务暨IP研发销售厂商，日前宣布新增两个内存编译器(memorycompiler)到其广受欢迎的miniIP平台。智原科技的miniIP平台是专为满足超低耗电及芯片面积微缩等需求而设计的组件库(CellLibrary)及硅知...

分类：其它 时间：2007-12-07 阅读：1678 关键词：智原科技miniIP平台新增ROM与SRAM内存编译器

Dallas新型非易失性SRAM模块内置实时时钟

DallasSemiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉电情况下，这些模块为保护重要数据提供了一种完

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-12-07 阅读：1330 关键词：Dallas新型非易失性SRAM模块内置实时时钟

精工爱普生的TFT-SRAM可在低电压下高速运行

日本精工爱普生公司(SeikoEpson)推出世界上首款TFT-SRAM(16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔性基底上集成了感应放大器，每个单元包括六个晶体管，它可用作该公司异步8位微处理器ACT11的存储器。为了开...

分类：电源技术 时间：2007-12-05 阅读：1338 关键词：精工爱普生的TFT-SRAM可在低电压下高速运行

爱普生TFT-SRAM可在低电压下高速运行

日本精工爱普生公司(SeikoEpson)推出世界上首款TFT-SRAM(16Kb)，它的电源电压为3V至6V，访问时间短，它在柔性基底上集成了感应放大器，每个单元包括六个晶体管，它可用作该公司异步8位微处理器ACT11的存储器。为了开...

分类：电源技术 时间：2007-12-05 阅读：1482 关键词：爱普生TFT-SRAM可在低电压下高速运行

三星推出256Mb Pseudo SRAM

三星最近宣布开发出了业界首款256Mb的PseudoSRAM，三星将其称作UtRAM，主要用于高性能移动产品(比如3G手机等)。据介绍，这款产品的工作频率133MHz，而以往的PseudoSRAM产品的频率只有80MHz。PseudoSRAM内存是

分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：5606 关键词：三星推出256Mb Pseudo SRAM

突破工艺障碍，联电45纳米SRAM芯片出炉！

台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍，生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。为此，工程师应用了全部最先进的工艺设备，包括沉浸式光刻、超浅结、迁移率增强方法和低k电介质。联电计划...

分类：其它 时间：2007-12-04 阅读：1530 关键词：突破工艺障碍，联电45纳米SRAM芯片出炉！