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SRAM

基于SRAM编程技术的PLD可重构电路结构设

摘要:CPLD相对于FPGA更适合实现时序逻辑较少而组合逻辑相对复杂的功能,比如复杂的状态机和译码电路等。CPLD的EEPROM编程技术不适合动态可重构的应用。本文针对CPLD的可编程结构:P-Term和可编程互连线,采用2.5V、...

分类:其它 时间:2007-09-21 阅读:1654 关键词:基于SRAM编程技术的PLD核心可重构电路结构设MAX7000MAX9000CMOSXC9500

瑞萨科技与松下合作开发片上SRAM制造技术

瑞萨科技与松下电器产业有限公司宣布,共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512KbSRA...

分类:其它 时间:2007-07-13 阅读:1808 关键词:瑞萨科技与松下合作开发片上SRAM制造技术SRAM

瑞萨开发出实现32纳米工艺片上SOI SRAM的前瞻技术

瑞萨科技(Renesas)宣布,开发出一种可在32nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术,以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI(绝缘硅)技术,可独立控制基体电位,也就是构成S...

分类:其它 时间:2007-07-13 阅读:2119 关键词:瑞萨开发出实现32纳米工艺片上SOI SRAM的前瞻技术

重大转变:DRAM取代SRAM

功率及性能优化的DRAM正在抢夺SRAM的风头。  随着添加到系统设计中的功能的增加,以及所要求的代码和数据RAM容量成比例、甚至更可能的按指数规律的增长,DRAM相比于SRAM的每比特成本优势变得更加难以忽略(如图1)...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:3603 关键词:重大转变:DRAM取代SRAM

新架构SRAM消除“软错误”威胁

意法半导体(ST)宣称其所开发的rSRAM技术将在不过多增加芯片制造成本的前提下,有效消除嵌入式SRAM“软错误”对于电子设备可能造成的不良影响。  所谓的“软错误”是指 由构成地球低强度背景辐射的核粒子引起的芯...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:1912 关键词:新架构SRAM消除“软错误”威胁

网络通信与便携式应用驱动SRAM技术

数据通信和便携式系统成为当今SRAM的重要应用领域。某些SRAM由于能够提供实现较高带宽所需的性能(比如在网络系统中)或维持较长电池使用寿命所需的低功耗(比如在便携式设备中)而在许多应用中起着主导作用。这些架...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:1804 关键词:网络通信与便携式应用驱动SRAM技术

边界扫描SRAM簇板级互连测试研究

1 引言 边界扫描技术已成为了VLSI和ASIC测试的重要方法,但是,尽管边界扫描器件越来越多,非边界扫描器件仍然大量存在。在复杂电路设计中,VLSI和ASIC虽然能够完成电路的许多功能,但并不是所有的逻辑功能都可以集...

分类:其它 时间:2007-05-28 阅读:1861 关键词:边界扫描SRAM簇板级互连测试研究

SRAMFPGAMuxTree结构模型的可容错全加器设计

摘要:在SRAMFPGA的MuxTree结构模型的基础上,进行了一个具有容错功能的一位全加器的设计和实现。文中介绍了MuxTree结构模型的原理,并给出了基于该结构模型容错全加器的设计过程及系统逻辑构成。同时,对该容错系统...

分类:其它 时间:2007-05-25 阅读:2009 关键词:SRAMFPGAMuxTree结构模型的可容错全加器设计2003XILINXTP302

为实现高性能选择正确的 SRAM 架构

按惯例,设计人员总把SRAM作为其最基本的形式,即单端口、单时钟域器件。在需要更高性能时,设计人员通常会选择更高的时钟频率和更宽的总线。尽管这样可以显著提高SRAM性能,但却并不是唯一的方法。我们也可以开发用...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:2147 关键词:为实现高性能选择正确的 SRAM 架构2394

支持高性能应用的SRAM

SRAM一直是网络应用的重要组成部分,它可提高带宽,从而在许多高性能应用中起着主导作用。这些应用包括无总线时延(NoBL)和四倍数据速率(QDR)等。就系统资源及内存带宽要求而论,分组处理对内存带宽的要求最高。分组...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1108 关键词:支持高性能应用的SRAM

Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品----FM20L08。此型号的操作电压为3-volt、32-pinTSOP(thinsmalloutlineplastic)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器,可

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1161 关键词:Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器FM20L08

Cypress QDR II+和DDRII+ SRAM系列

赛普拉斯半导体公司(CypressSemiconductorCorp.)宣布其已开始提供业界首款QuadDataRateII+(四倍数据率II+)和DDRII+(双倍数据率II+)SRAM系列器件样片。该新型存储器芯片提供了全球最高密度和最高带宽,

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1360 关键词:Cypress QDR II+和DDRII+ SRAM系列

Cypress 推出SRAM系列产品

赛普拉斯半导体公司(CypressSemiconductorCorp.)宣布推出首款非易失性SRAMs(nvSRAMs),该存储器在断电情况下,无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池,因此Cypress提供的符合RoHS标准的高速器件比

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1066 关键词:Cypress 推出SRAM系列产品

瑞萨 采用65nm工艺的SRAM

美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上,瑞萨科技公司宣布,开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1126 关键词:瑞萨 采用65nm工艺的SRAM

ESRAM产品的应用指南

美国Ramtron公司运用其独有的单晶体管(1T)记忆体专利开发出两个最新改良型SRAM(ESRAM)记忆产品.新技术用比传统六晶体管(6T)SRAM产品四分之一的价格,制造出大四倍容量的高速,改良型记忆产品.解决了新世代网络,通讯设...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1174 关键词:ESRAM产品的应用指南

基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现

1 引言FIFO(First In First Out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取,而这种先进先出的结构...

分类:其它 时间:2007-04-23 阅读:4288 关键词:基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现HY64UD16322AFIFO

用单片机实现SRAM工艺FPGA的加密应用

摘要:首先对采用SRAM工艺的FPGA的保密性和加密方法进行原理分析,然后提出一种实用的采用单片机产生长伪随机码实现加密的方法,并详细介绍具体的电路和程序。 关键词:静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列...

分类:其它 时间:2007-04-20 阅读:1304 关键词:用单片机实现SRAM工艺FPGA的加密应用

基于FPGA和SRAM的数控振荡器的设计与实现

摘要:介绍数控振荡器的工作原理,重点阐述用现场可编程门阵列(FPGA)和静态随机存储器(SRAM)实现数控振荡器的方法,同时给出采用此结构设计的数控振荡器的特点和性能。中图分类号:TN914.3 文献标识码:A 文章编号:...

分类:EDA/PLD/PLC 时间:2007-04-06 阅读:2252 关键词:基于FPGA和SRAM的数控振荡器的设计与实现0022100620066977CY7C1021CYPRESSDIGITALFPGASRAMXC2V1000XILINX

FPGA与SRAM相结合完成大容量数据存储

1 引言 随着数字信号处理技术的不断发展,大容量可编程逻辑器件的不断涌现,FPGA技术越来越多地应用在大规模集成电路设计中。在此硬件系统设计中,经常会遇到需要大容量的数据存储的情况,下面我们将针对FPGA中内部B...

分类:其它 时间:2006-09-21 阅读:2663 关键词:FPGA与SRAM相结合完成大容量数据存储128K256K512KFPGAINPUT/OUTPUTINTEGRATEDIS61LV25616ALISSILOGICSILICONSOLUTIONSRAMXC2S600E-6FG456XILINX

IDT70V9289型高速同步双口SRAM的原理及应用

摘要:IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步双口静态存储器(SRAM),可实现不同传输方式的双路高速数据流的无损传输。文中详细介绍该电路的结构和原理,给出IDT70V9289的典型应用电路及设计时应注意的问题。关...

分类:其它 时间:2006-09-05 阅读:2481 关键词:IDT70V9289型高速同步双口SRAM的原理及应用3.3VADSLCY7C68013IDT7024IDT70V9289SRAMXC2V250

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