瑞萨开发新技术，65nm嵌入式SRAM稳定运行

瑞萨科技(Renesas)公司日前宣布开发出一种有助于采用65nm制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-11-28 阅读：1582 关键词：瑞萨开发新技术，65nm嵌入式SRAM稳定运行

OSRAM的10mm激光棒输出功率达150W

OSRAM公司新推出的激光棒输出功率高，可靠性强，能集成到不同封装中，特别适合输出固态激光和直接材料处理。高输出功率是通过半导体设计的优化和改进而实现的。它采用特别的单量子阱结构，不仅降低了激光阈值，也减...

分类：其它 时间：2007-11-26 阅读：1409 关键词：OSRAM的10mm激光棒输出功率达150W

意法半导体推出大容量SRAM版微控制器uPSD3454E系列

uPSD3454E系列集成了市场领先的32kb的SRAM和256kb的闪存，以及USB2.0全速接口等外设接口。uPSD产品家族的三个系列产品都采用相同密度的存储器，不仅为现有的用户提供了一个提升现有系统性能的升级方案，同时还是一个...

分类：其它 时间：2007-11-23 阅读：1584 关键词：意法半导体推出大容量SRAM版微控制器uPSD3454E系列

Osram推出车用LED 500mA时亮度达64lm

OsramOpto半导体公司新增一款GoldenDRAGON系列LED，专门用于汽车白天使用的灯光。这种表面封装的汽车LED不需要太多顶灯空间，可承受各种振动。它采用该公司最新推出的高级薄膜技术，亮度大，功耗低，500mA时亮度达64...

分类：光电显示/LED照明 时间：2007-11-23 阅读：1323 关键词：Osram推出车用LED 500mA时亮度达64lm

北京芯技佳易公司发布高性价比的低功耗SRAM产品

北京芯技佳易微电子科技有限公司(GigaDeivce Semiconductor Inc.)的Terayon系列低功耗SRAM产品日前已经正式进入半导体存储器市场。 　　过去由于SRAM在接口上的设计简单，读写速度快，极低功耗的特性，因此被广泛的...

分类：其它 时间：2007-11-22 阅读：1251 关键词：北京芯技佳易公司发布高性价比的低功耗SRAM产品

IBM展示具高稳定性的6GHz SRAM芯片组原型

IBM的科学家发布了一种比现有SRAM快两倍、能够达到6GHz以上速度的嵌入式SRAM芯片组原型。这种嵌入式SRAM用以保存由处理器频繁存取的资料，存取的速度越快，从SRAM到CPU的资料交换就越快。IBM旗下T.J.Watson研究中心...

分类：其它 时间：2007-11-20 阅读：1365 关键词：IBM展示具高稳定性的6GHz SRAM芯片组原型

Maxim推出DS3605 SRAM控制器

Maxim推出DS3605IC兼容、安全、非易失(NV)SRAM控制器，内置篡改检测。该NVSRAM控制器专为密钥安全性至关重要的应用设计，允许用户指定自己的外部SRAM。当检测到篡改事件时，DS3605快速擦除该外部SRAM上的密钥。为了...

分类：单片机与DSP 时间：2007-11-12 阅读：1212 关键词：Maxim推出DS3605 SRAM控制器DS3605

单向双端口SRAM的测试算法

引 言 　　单向双端口SRAM是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的读写，还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作，提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模...

分类：其它 时间：2007-11-10 阅读：2565 关键词：单向双端口SRAM的测试算法

基于DBL结构的嵌入式64kb SRAM的低功耗设计

摘要: 针对嵌入式系统的低功耗要求，采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构，完成了64 kb低功耗SRAM模块的设计。 与一般布局的存储器相比，采用这两种技术使存储器的功耗降低了43% ，而面积仅增加了18%。 　　关...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-10-30 阅读：1503 关键词：基于DBL结构的嵌入式64kb SRAM的低功耗设计

基于SRAMDRAM的大容量FIFO的设计与实现

1引言FIFO(FirstInFirstOut)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中．往往需要对大量数据进行快速存储和读取，而这种先进先出的结构特点...

分类：其它 时间：2007-10-29 阅读：2150 关键词：基于SRAMDRAM的大容量FIFO的设计与实现HY64UD16322AHY57V281620E

瑞萨 推出可在32nm及以上工艺实现SRAM的技术

（RenesasTechnologyCorp.）宣布，开发出一种可在32nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就...

分类：其它 时间：2007-10-22 阅读：1134 关键词：瑞萨 推出可在32nm及以上工艺实现SRAM的技术

Cypress推出0.13微米SONOS生产的4-Mbit nvSRAM

赛普拉斯推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器（nvSRAM）产品。这款新器件产品的特色包括15 ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环、以及20年的数据保留期，十分适用于那些要求连续高速数据写入和非易失...

分类：其它 时间：2007-10-22 阅读：1751 关键词：Cypress推出0.13微米SONOS生产的4-Mbit nvSRAM

用CPLD和外部SRAM构成大容量FIFO的设计

摘要：对照一般通用FIFO的外部控制线，以及视频服务器应用的具体要求，设计完成用CPLD和外部SRAM构成的大容量、廉价、高速FIFO，除了可以满足视频服务器码流缓冲的需要外，也可以作为一个通用的大容量FIFO。关键词：...

分类：其它 时间：2007-10-19 阅读：2357 关键词：用CPLD和外部SRAM构成大容量FIFO的设计EPM7128SQC100-6

单片机SRAM工艺的FPGA加密应用

在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置...

分类：其它 时间：2007-09-25 阅读：1681 关键词：单片机SRAM工艺的FPGA加密应用5555ALTERASRAM

基于单片机SRAM工艺的FPGA加密应用

在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置...

分类：其它 时间：2007-09-24 阅读：1542 关键词：基于单片机SRAM工艺的FPGA加密应用ALTERASRAM

基于SRAM编程技术的PLD可重构电路结构设计

摘要：CPLD相对于FPGA更适合实现时序逻辑较少而组合逻辑相对复杂的功能，比如复杂的状态机和译码电路等。CPLD的EEPROM编程技术不适合动态可重构的应用。本文针对CPLD的可编程结构：P-Term和可编程互连线，采用2.5V、...

分类：其它 时间：2007-09-21 阅读：1639 关键词：基于SRAM编程技术的PLD核心可重构电路结构设计XILINXALTERADEVICELATTICEPRODUCT