使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例（1）
首先，来确认过负载保护点切换设置电阻R20在电路上的位置。这个电路图是从整个电路图中摘录的。 此次设计中使用的电源IC“BD7682FJ”对于输入电压的波动具有校正过负载...
分类：元器件应用 时间：2019-04-24 阅读：841 关键词：使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例转换器
摘要 意法半导体的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2019-04-01 阅读：8057 关键词：意法半导体,MOSFET,EPS,EPB,
Vishay推出新款通过AEC-Q101的30 V和40 V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK? SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2019-03-14 阅读：2469 关键词：Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET P沟道,MOSFET
Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功...
分类：元器件应用 时间：2019-03-11 阅读：1053 关键词：Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFETMOSFET
ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
就目前而言，碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质，使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中，碳化硅MOSFET正在取代标准硅...
分类：电子测量 时间：2019-03-08 阅读：921 关键词：ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发MOSFET
俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道...
ower Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器
CALE-iDriver? —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求；其主...
时间：2019-03-06 阅读：801 关键词：ower Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器门极驱动器
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升...
分类：元器件应用 时间：2019-02-27 阅读：1681 关键词：MOSFET管的安全工作区MOSFET管
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器，提高逆变器级工作效率
推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 20190215_VOD3120.jp...
时间：2019-02-18 阅读：1018 关键词：Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器，提高逆变器级工作效率驱动器
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源...
分类：元器件应用 时间：2019-01-29 阅读：15491 关键词：Vishay推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件MOSFET器件
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源...
分类：元器件应用 时间：2019-01-28 阅读：648 关键词：Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平MOSFET器件
意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能
MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr)，限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外，极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及...
分类：元器件应用 时间：2019-01-23 阅读：784 关键词：意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能半导体,转换器
Allegro推出经ASIL的全新BLDC MOSFET驱动器
新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105，新产品能够简化电机系统设计，并通过集成所需的功率...
分类：元器件应用 时间：2018-12-26 阅读：126 关键词：Allegro推出经ASIL认证的全新BLDC MOSFET驱动器MOSFET驱动器
基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计
功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、无二次击穿现象和安全工作区域（SOA）宽等优点，因此，在...
时间：2018-12-25 阅读：1945 关键词：基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计MOSFET驱动
enesas瑞萨电子100V半桥驱动器为12V - 48V汽车混合动力系统的双向电源控制器MOSFET提供安全驱动
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出全新汽车应用级的 100V、4A 半桥N-MOSFET系列驱动器--- ISL784x4。ISL784x4 系列驱动器包括三个型号： ISL78424 、 ISL78444（三态电平PWM...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2018-12-22 阅读：847 关键词：enesas瑞萨电子100V半桥驱动器为12V - 48V汽车混合动力系统的双向电源控制器MOSFET提供安全驱动控制器
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET...
分类：元器件应用 时间：2018-10-23 阅读：653 关键词：Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET碳化硅
1.1 稳定回路比较:电压回路调节，电流回路限制。 本章讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元，所以理论研究只适用于功率单元...
分类：电源技术 时间：2018-09-17 阅读：1471 关键词：深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响MOSFE，电压
