英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔...
分类：元器件应用 时间：2018-08-27 阅读：845 关键词：英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件MOSFET器件
本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解，希望对您的学习有所帮助。 对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。 ...
分类：电源技术 时间：2018-08-15 阅读：624 关键词：大功率电源MOSMOSFET问题的分析MOSFET,电源
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过...
时间：2018-08-14 阅读：712 关键词：MOSFET,带电插拔,缓启动,开关损耗
Diodes Incorporated 为高质量应用特定标准产品制造商和供货商，其产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步...
分类：元器件应用 时间：2018-07-18 阅读：1230 关键词：二次侧同步整流 MOSFET 驱动器问市MOSFET,驱动器
电路发生故障或异常，随着电流不断升高，并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器，熔断器就会在电...
分类：元器件应用 时间：2018-07-16 阅读：1452 关键词：意法半导体推出全新VIPower™MOSFET功率管意法半导体,功率管
功率器件有多种不同的短路模式，其中最严重的一种是桥臂短路，在这种短路模式下，电流迅速上升，同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研...
分类：元器件应用 时间：2018-07-16 阅读：2540 关键词：SiC MOSFET的快速短路检测与保护快速短路,SiC MOSFET
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件：1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动...
分类：电源技术 时间：2018-07-12 阅读：101 关键词：电容,llc,串联谐振电路
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件： 1）上下开关管50%占空比，1800对称...
分类：电源技术 时间：2018-06-29 阅读：374 关键词：MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响MOSFET,电路
Microsem美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装
实现高电流、高开关频率和高效率 将于6月5日至7日在PCIM欧洲电力电子展的6号展厅318展台 展示采用全新低电感封装的五个标准模块的完整产品线 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先...
分类：电源技术 时间：2018-06-14 阅读：856 关键词：Microsem美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装美高森美,SiC MOSFET技术
在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体超结MOSFET与IGBT技术比较
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和的超结功率MOS...
分类：电源技术 时间：2018-06-08 阅读：1359 关键词：在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较电路,半导体,MOSFET,IGBT
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑...
分类：电源技术 时间：2018-05-07 阅读：82 关键词：mosfet,开关电源,驱动电路,ic
Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse...
分类：元器件应用 时间：2018-03-16 阅读：1339 关键词：Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的“SSM6N357R”，该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等感性负载。批量发货即日启动。 SSM6N357R集成有下拉电阻、串联电阻...
分类：元器件应用 时间：2018-02-26 阅读：1313 关键词：东芝面向继电器驱动器推出小型双MOSFET
内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界水平，在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是耐压...
分类：电源技术 时间：2017-12-25 阅读：868 关键词：内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中...
分类：电源技术 时间：2017-12-07 阅读：5440 关键词：开关电源,电路
分类：元器件应用 时间：2017-11-27 阅读：0
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大...
分类：电源技术 时间：2017-08-03 阅读：1440 关键词：超级结MOSFET,MOS管,电子元器件
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在...
分类：元器件应用 时间：2017-08-02 阅读：1604 关键词：MOSFET,开关转换器
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用...
分类：模拟技术 时间：2017-05-16 阅读：6804 关键词：MOSFET结构及其工作原理详解
