为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？为什么是 100 Ω？
为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？ 只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可...
功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文...
同类的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开...
分类：动力电池/充电桩 时间：2019-10-30 阅读：1030 关键词：MOSFET，充电桩
MOSFET的击穿有哪几种？ Source、Drain、Gate 场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G （这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿） 先讲测试条件，都是源栅...
分类：工业电子 时间：2019-10-16 阅读：1345 关键词：MOSFE,MOS管
在为许多类型的消费和工业应用设计电源时，效率往往是最重要的因素，这些应用包括手机、平板电脑和笔记本电脑、可充电的电动工具和LED照明，以及不计其数的其它产品。 一些...
Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路
器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。 宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推...
时间：2019-08-13 阅读：1116 关键词：MOSFET
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或...
分类：电源技术 时间：2019-08-09 阅读：1202 关键词：开关控制器,电源系统
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷...
分类：电源技术 时间：2019-08-08 阅读：1204 关键词：电源设计,DC/DC开关
MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。 MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多，而且通常可以直接由CM...
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷...
分类：电源技术 时间：2019-08-07 阅读：1473 关键词：开关电源, MOSFET
ST - 在LLC拓扑中，为什么选用体二极管恢复快的MOSFET
在当前能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点。为顺应这一趋势，世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管...
MOSFET简介 ■MOSFET的全称为：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常称之为，金属-氧化层-半导体-场效晶体管. ■MOSFET最早出现在大概上世...
时间：2019-07-23 阅读：1143 关键词：MOSFET
MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压，平衡电路的功耗，并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。 在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中，超级电...
分类：元器件应用 时间：2019-06-25 阅读：2642 关键词：MOSFET,电容器
自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它...
分类：元器件应用 时间：2019-06-19 阅读：3713 关键词：MOSFET,电容计算
自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它...
一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们...
在LLC拓扑中，选择体二极管恢复快的MOSFET的原因是什么
在当前能源危机的形式下，提高电子设备的能效，取得高性能同时降低能耗，成为业内新的关注点。为顺应这一趋势，世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管...
分类：元器件应用 时间：2019-06-04 阅读：1127 关键词：二极管,MOSFET
1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于...
分类：元器件应用 时间：2019-05-28 阅读：813 关键词：MOSFET,IGBT
Power Integrations发布集成了900V MOSFET的
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司（纳斯达克股票代号POWI）今日发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC，也包...
时间：2019-05-13 阅读：850 关键词：Power Integrations发布集成了900V MOSFET的集成电路
本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项，首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场，特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此，我们...
