绝缘型反激式转换器电路设计之主要部件的选定－MOSFET相关(一)
变压器的设计结束，接下来是开关元件，本节说明MOSFET Q1的选定和相关电路构成。 初，根据开关电压或电流等来选定MOSFET Q1。对此，本稿将说明“主要部件的选定－MOSF...
分类：电源技术 时间：2021-04-21 阅读：767 关键词：绝缘型反激式转换器电路设计之主要部件的选定－MOSFET相关(一)MOSFET
Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度
器件采用欧翼引线结构PowerPAK?SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101 宾夕法尼亚、MALVERN—2021年4月7日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出通过AEC-Q101 、 先进的p沟道80VT...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2021-04-07 阅读：396 关键词：Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度Vishay
采用智能型集成MOSFET驱动器增加数字电源控制器的性能可靠性
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以 快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增...
时间：2021-03-05 阅读：624 关键词：采用智能型集成MOSFET驱动器增加数字电源控制器的性能可靠性MOSFET
DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中...
时间：2020-07-31 阅读：775 关键词：开关控制器MOSFET的选择方法开关控制器
由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC ...
分类：工业电子 时间：2020-07-09 阅读：676 关键词：使用碳化硅 MOSFET 提升工业驱动器的能源效率碳化硅 ,工业驱动器
2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET，带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里？...
分类：元器件应用 时间：2020-05-20 阅读：921 关键词：英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析英飞凌,碳化硅
英飞凌推出采用D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET，瞄准电池供电应用
英飞凌科技股份公司进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET产品阵容，推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。...
分类：元器件应用 时间：2020-05-14 阅读：7160 关键词：英飞凌推出采用D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET，瞄准电池供电应用英飞凌
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的超结MOSFET性能
为满足电动汽车市场的需求，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出全新产品系列：CoolMOS? CFD7A系列。这些硅基高性能产品可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2020-05-11 阅读：527 关键词：全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的超结MOSFET性能汽车
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
解决电源电路中电容器课题的新技术登场！ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一种新的电源技术“Nano Cap ”，使用该技术，可以使包括汽车和工业设备在内的各种电源电路在外置电容器容量为极...
分类：元器件应用 时间：2020-04-23 阅读：582 关键词：Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)Nexperia
我们来到了这个试图破解功率 MOSFET 数据表的“看懂 MOSFET 数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看 MOSFET 数据表中出现的某些其它混合开关参数，...
时间：2020-04-07 阅读：380 关键词：破解MOSFET数据表（五）——开关参数MOSFET
道用电之前，人们用蜡烛照明。这在过去是常用的能在黑暗中视物的照明方式，但灯泡的发明显然是更好的解决方案。 像蜡烛一样，功率 MOSFET（功率场效应晶体管）是切换负...
时间：2020-03-25 阅读：552 关键词：系统中的负载开关在哪里？何时取代分立MOSFET？MOSFET
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2020-03-12 阅读：5081 关键词：CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块CISSOID,碳化硅
TOSHIBA东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光...
分类：元器件应用 时间：2020-03-12 阅读：912 关键词：TOSHIBA东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦东芝,光耦
Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的输出电容(Coss)。儒卓力上供应这款MOSFET器件。 SiSS...
分类：元器件应用 时间：2020-03-10 阅读：4304 关键词：Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET儒卓力,MOSFET
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下， 比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSF...
分类：通信与网络 时间：2020-01-13 阅读：479 关键词：MOSFET器件,转换器
传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IG...
