MOS晶体管的最高工作频率被定义为：当对栅极输入电容CGC的充放电电流和漏源交流电流的数值相等时，所对应的工作频率为MOS晶体管的最高工作频率。这是因为当栅源间输入交流信号时，由源极增加(减少)流入的电子流，一...
分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：2444 关键词：MOS晶体管的最高工作频率
在前面的讨论中，都没有考虑衬底电位对晶体管性能的影响，都是假设衬底和晶体管的源极相连，即VBS(Bulk-Source)=0的情况，而实际工作中，经常出现衬底和源极不相连的情况，此时，VBS不等于0。在晶体管的衬底与器件的...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：6593 关键词：MOS晶体管的衬底偏置效应
CMOS反相器是CMOS门电路中最基本的逻辑部件，大多数的逻辑门电路均可通过等效反相器进行基本设计，再通过适当的变换，完成最终的逻辑门电路中具体晶体管尺寸的计算。所以，基本反相器的设计是逻辑部件设计的基础。CM...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：3279 关键词：CMOS反相器的直流特性
将CMOS反相器电路直流传输特性曲线也分为五个电性区域，即N管截止而P管非饱和导通，该区对应的输入电压条件是：0≤Vi≤VTN，称为Ⅰ区，该区输出特征是：输出电压为VO=VDD，不随输入电压变化；N管饱和导通而P管非饱和...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：4120 关键词：CMOS反相器传输特性与工作区划分
CMOS倒相器可采用的两种直流噪声容限，根据两种直流噪声容限定义和CMOS倒相器电路性能分析，CMOS倒相器可采用最大噪容作为其直流噪声容限；给出了最大噪容的要求，即要求最大高电平噪容与最大低电平噪容相等，因此，...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：4011 关键词：CMOS直流噪声容限
(1．重庆邮电学院 重庆 400065；2．信息产业部电子二十四所 重庆 400060) 摘 要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自...
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：1975 关键词：一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级1975
Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块
由IBM微电子公司的一群工程师和管理人员2002年面向无线应用领域而成立的TahoeRFSemiconductor公司专注于RF和模拟IC，最近该公司推出其首批RFIP“CoreTech”产品，包括系列CDMA接收机前端和集成压控振荡器(VCO)。
分类：通信与网络 时间：2007-04-29 阅读：1531 关键词：Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块2002
美国国家半导体公司的专有BiCMOS模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能，为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1461 关键词：BiCMOS 模拟工艺技术LMP7701LMP7711LMV651LPV7215VIP50LMV791LPV511
INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGEBICMOS工艺技术，该工艺制作了10GHz的锁相环回路（PLL）。这种10GHz的SIGEBICMOSPLL设立了高速低功耗和集成的射频（RF）IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种P
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1185 关键词：高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术
美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高...
分类：模拟技术 时间：2007-04-29 阅读：1284 关键词：iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性
最近几年，我们已经开始看到一些有关射频(RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。本文将探讨这类RF所指代的真正含义，并阐述它们对RF电路设计人员的重要性。 我们可以从三个角度对RF CMOS设计进行...
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1509 关键词：CMOS RF模型设计指南
CMOS比较器电路原理图.源于电子科技大学某同学CMOS比较器方面的毕业论文. 集成电路教育网版权所有!
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2597 关键词：CMOS比较器原理图
MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：8279 关键词：MOS管的阈值电压探讨
MOS管的特性也能用和双极型晶体管一样的I-V曲线来说明。.25中画的是增强型NMOS的典型曲线。这些曲线中source和backgate是接在一起的。纵坐标衡量的是drain电流ID，而横坐标衡量的是drain对source的电压VDS。每条曲线...
分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：7568 关键词：MOS管的I-V特性研究
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1101 关键词：一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放
降压式DC/DC转换器的MOSFET选择北京航空航天大学方佩敏同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1598 关键词：降压式DC/DC转换器的MOSFET选择FDD6682FDD6696IRF6617FAN5009SI7390DPSI7356DPNTMFS4108NMAX8720FAN5019B
