Atmel今日宣布推出利用Atmel一流的0.8-umBCDMOS技术制造的新型单片集成自动防故障系统集成电路ATA6814。凭借其内置的驱动功能和完善的监测系统，ATA6814是一种有益于所有与安全相关的汽车电子装置的独特的解决方案，...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-04-29 阅读：1259 关键词：Atmel BCDMOS 自动防故障系统ATMEL10000ATA6814
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。 功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：108 关键词：大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术TC4427TC4431TC1411NTC4427ATC4428A1000PF
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FOD0708(单信道)和FOD0738(双信道)15MBd光耦合器，提供业界最高的额定共模噪声抑制(CMR)，同时具有工业控制应用所需的高带宽(每秒15Mbit)及低功耗等特
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1832 关键词：Fairchild 15MBd高速CMOS光耦合器8482S0-8FOD0708
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出新型的DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1532 关键词：IR 用于DC-DC降压转换的MOSFET130AIRF6633IRF6619SO-82.2M
用户需要更小更便宜的手机，在手持装置中得到快速服务和更多功能。这正在促使业界加速创新解决方案，降低成本使产品尽快上市。这种外加压力，使制造商重新考虑解决这些问题的技术。硅技术和集成关键元件单元（如RF收...
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1429 关键词：3G中的CMOS基RF集成19.2MHZ
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665DirectFET™MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（THD）、功率密度等性能。D类放大器应用广
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1667 关键词：IR D类音频功放用 MOSFET8482IRF6665100W
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的Su
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-04-29 阅读：1436 关键词：Fairchild小尺寸互补对称MOSFET2005FDC6020C84820.8MM
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7mΩ(典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1282 关键词：瑞萨发布 P沟道功率MOSFETHAT1072H
瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP，封装形式是WPAK(瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装，尺寸仅有5.3×6.1×0.8mm(最大)，用于笔记本电脑、通信设备及类似产品的DC-
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2433 关键词：Renesas 两个功率MOSFET的HAT2210WP
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36V至75V）及48V固定输入系统。新芯片组专为隔离式或非隔离式DC-DC转换器应用而设计，可提升系统层面的电源...
分类：工业电子 时间：2007-04-29 阅读：1556 关键词：IR MOSFET及控制芯片组方案IR2086SIRF6613IRF6614IRF6644IRF6655
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100VHEXFETMOSFET。这款新推出的MOSFET具有极低的导通电阻（例如，100V产品IRFB4310的
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2987 关键词：IR AC-DC同步整流MOSFETIRFB3207TO-220IRFB4310
安森美半导体（ONSemiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决方...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1902 关键词：安森美新型低压沟道MOSFETNTZD3154NT1NTA4153NT1NTA4151PT1NTZS3151PT1NTZD3152PT1SOT-563NTE4151PT1NTE4153NT1SC-75SC-890.8MM
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出一款新型160A额定电流、七引脚的IRF2907ZS-7PPbFMOSFET，进一步扩大了高性能75V及100VHEXFET同步整流MOSFET器件的阵营。新器件160
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1713 关键词：IR新型160A D2Pak MOSFETIRF2907ZSIRF2907ZS-7PPBFRECTIFIER
凌特公司（LinearTechnologyCorporation）推出在的可能电源电流上提供卓越DC精确度的新型CMOS放大器系列。凭借与最佳精准双极放大器相似的输入DC特性，LTC6078双路和LTC6079四路运算放大器实现了规格的突破性组
分类：模拟技术 时间：2007-04-29 阅读：1432 关键词：Linear 50uA CMOS 放大器LINEARMSOPLTC6079LTC6078
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出两款新型的30VDirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1456 关键词：IR DirectFET MOSFET芯片组IRF6617IRF6611IRF6637IRF6678
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出一款新型60VDirectFET功率MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。单个采用SO-
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2290 关键词：IR推出新型DirectFET MOSFETIRF6648
