IR推出100V集成MOSFET方案

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2125 关键词：IR推出100V集成MOSFET方案IRF4000SOT-223

ADI 高端数据采集应用iCMOS开关

关于ADG1233/ADG1234模拟开关按照ADI公司拥有专利权的iCMOSTM（工业CMOS）工艺生产的ADG1233和ADG1234单刀双掷(SPDT)模拟开关采用±12V或±15V双电源工作，从而提供业界的电容和电荷

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1413 关键词：ADI 高端数据采集应用iCMOS开关ADG1233ADG1234

Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代码：VSH）宣布推出业界首款基于TrenchMOS技术的肖特基势垒整流器。这五款新型TMBS™器件可在开关模式电源中作为整流电路或OR-ing二极管，或可替代同步整流解

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1662 关键词：Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器8482TO-220AB

TI 推出4A高速MOSFET驱动器

日前，德州仪器(TI)宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1642 关键词：TI 推出4A高速MOSFET驱动器8226TPS40091TPS28225

二极管 三极管 MOS器件基本原理

P-N结及其电流电压特性　　晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场...

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：86 关键词：二极管 三极管 MOS器件基本原理

CMOS-IC电路

你知道什么是 CMOS-IC 吗? 点开看看不就知道了?CMOS-IC 为什么会成为当今微电子领域的一大热点呢?当然是由于它优良的 性能特点 决定的喽!告诉你CMOS电路的使用规则吧!设计CMOS电路时，应了解 JEDEC工业标准在使用CMO...

分类：模拟技术 时间：2007-04-29 阅读：1360 关键词：CMOS-IC电路

DPN MOS 绝缘栅氮处理技术

黄英，许志，Kim Sung Lak, Zhao Richard，利定东（应用材料中国公司，上海 201203）摘要：分析了90nm及其以上技术、栅氧化及其氮处理工艺的局限性，强调了等离子体氮处理技术在90nm及其以下技术中的必要性。介绍了...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2854 关键词：DPN MOS 绝缘栅氮处理技术20041957

如何创建power MOS版图单元

如何创建power MOS版图单元　　一个power MOS单元，其中外围线为辅助测量线，只作测量之用。接下来要介绍的就是以简单的数学公式来计算出我们需要的单元尺寸。　　1，画好contact cell单元，计算两个图的半径r1, r2...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：129 关键词：如何创建power MOS版图单元

可实现更小有源箝位的高压P沟道MOSFET

Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的DPAK和SO8封装。两款率先问世的微型器件包括5引...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1521 关键词：可实现更小有源箝位的高压P沟道MOSFETSOT223SOT23ZXMP2120G4

标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

崔增文1，何山虎1，陈弘达2，毛陆虹2，高建玉1（1.兰州大学微电子研究所，甘肃兰州730000；2.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083)摘要：从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析...

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2222 关键词：标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望2002200320012000ADS54211999200MHZ

CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择

(1)p阱工艺实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：4832 关键词：CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择1963

关于MOS的dummy问题

最近碰到CMOS的dummy问题特想请教一下各位的意见我是觉得dummyMOS必须要和被保护的MOS管是同一个方向的即：S---D方向和GATE方向分别相同这就牵涉到designer必须规定好dummyMOS的尺寸就是说：L(MOS)=L(dumm

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1631 关键词：关于MOS的dummy问题

Design of VLSI CMOS集成电路的物理结构

价电子在获得一定能量(温度价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可脱原升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个负电),同时共价键中留下...

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：1509 关键词：Design of VLSI CMOS集成电路的物理结构

MOS开关

MOS开关有：cmospmosnmosrcmosrpmosrnmos这类门用来为单向开关建模。即数据从输入流向输出，并且可以通过设置合适的控制输入关闭数据流。pmos(p类型MOS管)、nmos(n类型MOS管)，rnmos(r代表电阻)和rpmo

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2771 关键词：MOS开关

场区寄生MOSFET

当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通，造成工作电流泄漏，使器件电路性能变差，乃至失效。预防措施：（1）增厚场氧厚度t’...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1907 关键词：场区寄生MOSFET

集成电路中的MOS晶体管模型

MOS模型MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米，栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中，考虑...

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1750 关键词：集成电路中的MOS晶体管模型

MOSFET的结构及基本工作原理

MOSFET是Metal-Oxide-SiliconFieldEffectTransistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压VGS实现对水平IDS的控制。

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：11113 关键词：MOSFET的结构及基本工作原理8710

MOS晶的阈值电压VT

阈值电压VT是MOS晶体管的一个重要的电参数，也是在制造工艺中的重要控制参数。VT的大小以及一致性对电路乃至集成系统的性能具有决定性的影响。哪些因素将对MOS晶体管的阈值电压值产生影响呢?阈值电压的数学表达式是...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：5391 关键词：MOS晶的阈值电压VT

MOS晶体管的平方律转移特性

将MOS晶体管的栅漏连接，因为VGS=VDS，所以，VDS>VGS-VTN，导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程IDS=KN/2·W/L·(VGS-VTN)2(1+λVDS)即平方律关系。4种MOS晶

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：3333 关键词：MOS晶体管的平方律转移特性

MOS晶体管的跨导gm

MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力（VDS恒定）的参数，也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。(忽略沟道长度调制效应，λ=0，在以下分析中，如未出现λ参数，均表示λ=0的情况)。来源:...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：5205 关键词：MOS晶体管的跨导gm