最新一代的电源转换器需要满足具有挑战性的要求，例如低功率损耗、高功率密度和顶级效率。直到不久之前，这些功能只能通过基于纯硅功率器件的多级拓扑来实现。然而，随着碳...
以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求，以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2023-01-13 阅读：982 关键词： SiC 半导体
2022 年 12 月 6 - 7 日，中国电工技术学会低压电器专业委员会第二十一届学术年会、第十七届中国智能电工技术论坛暨固态新型断路器技术发展及应用国际研讨会（第二季）于江苏常州顺利召开。作为一场行业盛会，该会议...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2022-12-29 阅读：1305 关键词：三极管,MOS管
通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的...
碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它们在每单位芯片面积的 FOM 导通电阻R DS(on) × A方面击败了所有其他技术，实现了价值...
时间：2022-12-15 阅读：421 关键词：SiC JFET
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该...
1200 V SiC MOSFET 的体二极管可靠性研究（SiC MOSFET 的体二极管测试）
在 PCT 期间，当 DUT 开启时，由于电流从漏极流向源极，DUT 温度会升高（图 1a）。当 DUT 关闭时，通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V...
提高电源转换器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架构显示出多项优势）
碳化硅功率器件在功率转换效率、改进的高温性能和使用更简单的电路拓扑结构方面比硅功率器件具有多项优势。 在电动汽车牵引逆变器、DC/DC 转换器和车载充电器 (OBC) 等...
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优...
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优...
摘 要 本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，...
分类：元器件应用 时间：2022-08-30 阅读：647 关键词：SiC MOSFET
PI 汽车级驱动板SCALETM EV优化并保障SiC和IGBT开关电路
前不久深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（PI）推出了一款SCALETM EV系列门极驱动板，该驱动板通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现AS...
一种新型3．6－kV／400－A SiC IPM可提升电源应用的性能
高能效对于多种大电流电源应用至关重要，包括工业电机驱动器、可再生能源系统和固态变压器。尽管硅长期以来一直是这些应用中使用的主要半导体，但由于SiC提供的卓越静态和...
辅助电源是电机驱动、光伏逆变器和 UPS 系统等工业应用的重要组成部分。高压直流总线转换为 5 V 至 48 V 直流电源，为控制电路、传感电路、冷却风扇、SELV 电路等供电。在...
ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。 IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV...
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。 线...
分类：元器件应用 时间：2022-06-08 阅读：498 关键词：SiC MOSFET
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用...
ROHM罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车（EV）领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸...
UnitedSiC（现名Qorvo）推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工...
英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1...
