Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 优化衬底，拓展碳化硅产品组合
设计和生产创新性半导体材料的quan球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC 晶圆。这标志着 Soitec 公司的碳化硅产品组合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC 晶圆的研发水准再创新高，可满足汽车市...
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到世界政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片需求...
分类：元器件应用 时间：2022-01-17 阅读：462 关键词：SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？SiC MOSFET
儒卓力提供英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模块
英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC?发射极开路智能电源模块，采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80 Hz)，提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。这个产...
分类：元器件应用 时间：2021-08-30 阅读：726 关键词：儒卓力提供英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模块电源模块
贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)即日起开始备货Qorvo QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异，可为5G大规模MIMO、LTE和WC...
分类：元器件应用 时间：2021-08-24 阅读：3745 关键词：贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT
ower Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件
PI通过AEC-Q100 的 新Qspeed二极管具有所有600V硅二极管中 低的反向恢复电荷(Qrr)。QH12TZ600Q二极管扩充了我们的汽车级二极管产品阵容，具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，但并不会增加成本。 ...
分类：元器件应用 时间：2021-08-09 阅读：378 关键词：ower Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件二极管
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材...
碳化硅设备或设备因在不久的将来有可能在电力电子设备（特别是大功率转换器应用）中替代硅的传统设备而闻名。1由于宽带隙的可用性，高功率密度，较低的电阻和快速的开关频...
分类：电子测量 时间：2021-04-22 阅读：1021 关键词：SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案SiC MOSFET
采用IMEC的SiC技术实现无线生物电子通信系统采集的解决方案
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图（EEG）监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并 终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的...
分类：通信与网络 时间：2021-04-16 阅读：535 关键词：采用IMEC的SiC技术实现无线生物电子通信系统采集的解决方案SiC技术
CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查 表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正...
分类：元器件应用 时间：2021-01-20 阅读：426 关键词：CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局电子设计
CISSOID - 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车
当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2021-01-05 阅读：956 关键词：CISSOID - 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车碳化硅
半导体行业在过去的几十年里，已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET （parasitic parameters），以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建...
分类：电源技术 时间：2020-12-31 阅读：482 关键词：如何利用SiC器件在开关电源转换器中的性能优势？SiC器件
安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块，该产品已被的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。...
分类：元器件应用 时间：2020-07-28 阅读：900 关键词：安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器碳化硅
Microchip扩展碳化硅（SiC）电源器件系列产品，助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性
业界希望基于碳化硅（SiC）的系统能地提升效率、减小尺寸和重量，从而帮助工程师创建创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智能电网、工业电力系统和飞机电力...
分类：元器件应用 时间：2020-04-08 阅读：724 关键词：Microchip扩展碳化硅（SiC）电源器件系列产品，助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性Microchip
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2020-03-12 阅读：5082 关键词：CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块CISSOID,碳化硅
Littelfuse栅极驱动器评估平台让SIC电源转换更高效更快速
全球领先的电路保护、功率控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.（纳斯达克：LFUS）宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围...
分类：电源技术 时间：2020-02-07 阅读：470 关键词：Littelfuse栅极驱动器
FPGA要取代ASIC了，这是FPGA厂商喊了十多年的口号。可是，FPGA地盘占了不少，ASIC也依旧玩得愉快。这两位仁兄到底有啥不一样呢？ 一、身份证 FPGA（Field－Programma...
分类：其它 时间：2019-12-11 阅读：549 关键词：FPGA ,ASIC
传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IG...
MediaTek ASIC服务推出硅验证的7nm制程112G远程SerDes IP
MediaTek凭借在数据中心、AI计算和云基础架构领域的SerDes产品组合引领行业。 2019年11月11日 - MediaTek今日宣布，其ASIC服务将扩展至112G远程（LR）SerDes IP芯片。MediaTek的112G 远程 SerDes采用经过硅验证...
时间：2019-11-12 阅读：836 关键词：7nm制程,MediaTek ASIC
