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闪存

意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128

意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128,主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称是这个市场上同一密度级别...

分类:其它 时间:2007-12-19 阅读:3597 关键词:意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128M25P128

ST推出一个新8兆位串行闪存M25PE80

意法半导体(ST)推出一个新8兆位串行闪存M25PE80,新产品不仅能够提高网络管理能力,同时还为基于Intel945Express芯片组的系统设计人员提供一个支持便携式电脑、台式机和服务器的先进性能和增强型功能的BIOS解决方案...

分类:其它 时间:2007-12-18 阅读:2138 关键词:ST推出一个新8兆位串行闪存M25PE80M25PE40M25PE80

Spansion公司为SIM市场推出安全闪存产品

2月20日Spansion公司宣布,为了使SIM卡制造商能够制造出新的解决方案以更好地管理移动内容的发布、加强应用的安全性以及保护数字内容的版权(DRM),它将开发一种新型的高容量安全SIM卡芯片。目前,Spansion公司正在...

分类:其它 时间:2007-12-18 阅读:1625 关键词:Spansion公司为SIM市场推出安全闪存产品

东芝推出对应多值技术的大容量NAND闪存

东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(SolidStateDrive:固态硬盘)产品,主要用于计算机。计划2008年第一季度出货,并同时开始量产。在此之前,东...

分类:其它 时间:2007-12-18 阅读:1507 关键词:东芝推出首个对应多值技术的大容量NAND闪存

三星用30nm工艺研制64G闪存芯片

北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉:全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布,已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。三星电子公司表示,他们利用三十纳米...

分类:其它 时间:2007-12-15 阅读:2103 关键词:三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片

三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产

CNET科技资讯网10月24日国际报道本周二,三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说,这种闪存芯...

分类:其它 时间:2007-12-15 阅读:1799 关键词:三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产

Silicon Labs强化8位微控制器Toolstick平台 提供独立的闪存烧录能力

SiliconLaboratories日前宣布增强其ToolStick平台功能;从现在起,客户不仅能利用这套采用USBStick设计和包含完整功能的评估系统对SiliconLabsC8051F系列混合信号8位微控制器进行评估与调试,还能将程序码烧录

分类:单片机与DSP 时间:2007-12-15 阅读:1619 关键词:Silicon Labs强化8位微控制器Toolstick平台 提供独立的闪存烧录能力C8051F330C8051F

意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存

世界的串行闪存供应商意法半导体日前推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存,新产品采用市场上同类产品中最小的封装:SO8N。ST是市场上个推出这些封装闪存的制造商,新产品尺寸...

分类:其它 时间:2007-12-14 阅读:1698 关键词:意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存M25P16M25P80

Atmel新型微控制器带有128Kbyte闪存程序存储器

Atmel Corporation宣布推出AT89C51RE2,这是一款基于8O51产品的带有128Kbyte闪存程序存储器的新型微控制器。   该设备是对现存的16Kbyte、32Kbyte和64Kbyte的包括AT89C...

分类:其它 时间:2007-12-14 阅读:1589 关键词:Atmel新型微控制器带有128Kbyte闪存程序存储器AT89C51RE2

32位高安全性闪存微控制器(英飞凌)

英飞凌科技股份公司近日在巴黎国际智能卡工业展(Cartes展)上推出32位高安全性闪存微控制器,大大提高基于NFC(近距无线通信)的移动应用产品的安全性与便利性。除丰富的硬件安全功能外,新型基于NFC的SIM卡微控制...

分类:其它 时间:2007-12-14 阅读:1539 关键词:32位高安全性闪存微控制器(英飞凌)

IntellaSys推出产业界个USB2.0NAND闪存控制器

IntellaSys公司今日宣布推出新的OnSpecxSil269存储器控制器芯片,这是产业界第一个这样的USB2.0NAND闪存控制器,它实现了128位硬件加密安全保护。装在xSil269芯片上的硬件加密/解密功能与两级软件密码真伪鉴别功能结...

分类:工业电子 时间:2007-12-14 阅读:2218 关键词:IntellaSys推出产业界第一个USB2.0NAND闪存控制器

针对汽车应用富士通推出全新MB91460系列首款闪存微控制器

富士通微电子公司(FujitsuMicroelectronics)宣布推出全新MB91460系列之首款闪存微控制器MB91F467D。此全新组件不仅针对下一世代汽车电子应用所设计,并采用0.18μm制程技术,具备更快的速度,更大的存储容量、以及更...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2007-12-14 阅读:1633 关键词:针对汽车应用富士通推出全新MB91460系列首款闪存微控制器

比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关...

分类:其它 时间:2007-12-14 阅读:1893 关键词:比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

SanDisk全新闪存加速器可大幅提升PC系统性能

闪存供货商SanDisk近日推出了固态存储解决方案,该方案可与个人计算机硬盘一起存储和启动计算机的操作系统和应用软件。相较于只使用传统单一硬盘的个人计算机,配备SanDisk...

分类:其它 时间:2007-12-14 阅读:1690 关键词:SanDisk全新闪存加速器可大幅提升PC系统性能

Cypress新款控制器具备多层单元NAND闪存支持能力

赛普拉斯半导体(Cypress)推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型WestBridge外设控制器,可为设计者采用成本、密度最高的闪存存储器提供支持。这款WestBridgeAstoria控制器最高支持16个MLCNAND

分类:其它 时间:2007-12-14 阅读:1571 关键词:Cypress新款控制器具备多层单元NAND闪存支持能力

赛普拉斯推出了具备多层单元NAND闪存支持能力的West Bridge外设控制器

赛普拉斯半导体公司今天前推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型WestBridge™外设控制器,可为设计者采用成本、密度最高的闪存存储器提供支持。这款WestBridgeAstoria™控制器最高支持

分类:单片机与DSP 时间:2007-12-14 阅读:1321 关键词:赛普拉斯推出了具备多层单元NAND闪存支持能力的West Bridge外设控制器

大幅提升NB性能 全新闪存加速器推出

闪存供货商SanDisk近日推出了固态存储解决方案,该方案可与个人计算机硬盘一起存储和启动计算机的操作系统和应用软件。相较于只使用传统单一硬盘的个人计算机,配备SanDiskVaulterTMDisk与硬盘的个人计算机能提供更...

分类:其它 时间:2007-12-13 阅读:1439 关键词:大幅提升NB性能 全新闪存加速器推出

Spansion发布基于闪存的SIM卡解决方案MirrorBit HD-SIM(

全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion发布了其MirrorBitHD-SIM系列的产品开发计划,该系列是Spansion下一代基于闪存的SIM卡解决方案。SpansionHD-SIM解决方案能够提供更高的灵活性、性能和存储容量,帮助移动网络

分类:其它 时间:2007-12-13 阅读:1572 关键词:Spansion发布基于闪存的SIM卡解决方案MirrorBit HD-SIM(

Atmel推出新系列低功耗32位闪存微控制器

AtmelCorporation(爱特梅尔)宣布推出32位闪存(Flash)微控制器。以Atmel的AVR32UC内核为基础,UC3A系列拥有512K字节的闪存,并拥有一个内置10/100以太网媒体接入控制器(MAC)、一个具有OTG(on-the

分类:其它 时间:2007-12-13 阅读:1439 关键词:Atmel推出新系列低功耗32位闪存微控制器AT32UC3A0512AT32UC3A1512

ST推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术,65nmPR系列闪存的软硬件兼容现有的90nmPR系列NOR闪存,为客户升级现有系统提供了...

分类:其它 时间:2007-12-13 阅读:1758 关键词:ST推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

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