旺宏电子推出业界首颗256Mbit序列快闪存储器

全球最大的序列式快闪存储器(SerialFlash)生产制造公司宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E。它创新的32位元定址技术，利用简单的切换，即可让原有的存储器容量提高至256Mbit，并且...

分类：其它 时间：2009-12-08 阅读：3368 关键词：旺宏电子推出业界首颗256Mbit序列快闪存储器快闪存储器

旺宏电子推出首颗256Mbit序列快闪存储器

全球最大的序列式快闪存储器(SerialFlash)生产制造公司宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E。它创新的32位元定址技术，利用简单的切换，即可让原有的存储器容量提高至256Mbit，并且...

分类：其它 时间：2009-11-02 阅读：2741 关键词：旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器闪存储器

美光推出行业密度的块抽象化NAND闪存产品系列

美光科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA)NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BANAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术-将MLCNAND与一个内存控制器相结合，无需对控制...

分类：其它 时间：2009-10-29 阅读：2590 关键词：美光推出行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列NAND闪存

东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD

东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年1...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2009-09-29 阅读：1387 关键词：东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD

电能计量IC配合闪存单片机实现灵活创新的电表设计

近年来，市场上固定功能的电表集成电路（IC）不断增多，这使得在电表设计方面保持竞争力变得越来越困难。许多模拟前端（AFE）电能计量IC都采用△-∑ ADC，并通过基于ROM的固定功能状态机来计算功率输出。这些IC不能...

分类：电子测量 时间：2009-06-10 阅读：2790 关键词：电能计量IC配合闪存单片机实现灵活创新的电表设计PIC18F电表设计单片机

利用MirrorBit Quad技术提高闪存存储的容量

半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力，因为他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得成功，加之浮栅技术在满足更小工艺节点上可以预见到的问...

分类：其它 时间：2009-06-05 阅读：2102 关键词：利用MirrorBit Quad技术提高闪存存储的容量闪存存储

解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节

2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的...

分类：其它 时间：2009-06-05 阅读：2389 关键词：解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节闪存

Spansion发布MirrorBit SPI Multi-I/O闪存

Spansion近日发布了全新的串行外设接口(SPI)MirrorBitMulti-I/O闪存产品系列，能够提供突破性的性能。该系列包括从32Mb到128Mb的产品，支持单个(一个比特的数据总线)、2个(2个比特的数据总线)或者4个(4个比特的数据

分类：其它 时间：2009-05-27 阅读：1834 关键词：Spansion发布MirrorBit SPI Multi-I/O闪存闪存

闪存技术在3G时代的应用

２００８年的到来，使人们对３Ｇ的应用更加期待。运营商、芯片厂商、终端制造商、内容提供商纷纷开始提供３Ｇ产品和解决方案，为用户带来了许多全新的体验。那么，闪存技术能为３Ｇ盛宴带来什么？下一代手机将有更多...

分类：其它 时间：2008-09-03 阅读：1722 关键词：闪存技术在3G时代的应用闪存技术

NAND闪存技术深入解析

对于许多消费类音视频产品而言，ＮＡＮＤ闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过４ＧＢ的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，ＮＡＮＤ正被证明极具吸引力...

分类：其它 时间：2008-09-01 阅读：1921 关键词：NAND闪存技术深入解析NAND闪存

闪存中的底层操作系统更新策略

将底层操作系统放于闪存中有很多好处，例如设计人员可以随时在现场将软件新版本下载到闪存中对其进行更新，但在下载过程中有一些因素需要注意，否则会造成系统崩溃的灾难性后果。本文介绍一种便利的软件结构，它可以...

分类：其它 时间：2008-09-01 阅读：2221 关键词：闪存中的底层操作系统更新策略闪存

利用基于闪存的MCU实现用户数据存储

采用微控制器的大多数设备还需要某种机制来存储在断电时仍要被记住的那些设置数据。例如，在更换电池后记不住预设电台的收音机肯定不会在市场上取得很大的成功。用户希望喜爱的电台、预设温度、参数选择和其他性信息...

分类：其它 时间：2008-08-29 阅读：1707 关键词：利用基于闪存的MCU实现用户数据存储

NAND or NOR，如何选用合适的闪存进行设计?

选择NAND还是NOR，这确实是个问题。不同的应用和功能应该选用不同类型的闪存。 　　在寻找完美“通用存储器”的过程中，嵌入式系统设计师就象是戏剧《等待戈多》中的人物一样，他们一直等待舞台下的人物“戈多”走上...

分类：其它 时间：2008-08-22 阅读：2687 关键词：NAND or NOR，如何选用合适的闪存进行设计?NAND or NOR

为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储

在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。 　...

分类：其它 时间：2008-08-22 阅读：1737 关键词：为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储NAND闪存

东芝推出行业内容量＊1的嵌入式NAND闪存

东芝宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块，并宣布这些产品完全符合e-MMC＊2和eSD＊3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产。该款3...

分类：其它 时间：2008-08-20 阅读：1564 关键词：东芝推出行业内最大容量＊1的嵌入式NAND闪存NAND闪存嵌入式

恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术

恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协...

分类：其它 时间：2008-08-19 阅读：1580 关键词：恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术NAND闪存

在嵌入式系统中应用NAND Flash闪存作为存储设备

对于许多消费类音视频产品而言，NAND Flash是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，Nand正被证明极具吸引力。 ...

分类：其它 时间：2008-08-18 阅读：2973 关键词：在嵌入式系统中应用NAND Flash闪存作为存储设备FLASH嵌入式系统Flash闪存

TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI

TDK公司近日宣布开发出GBDriverRA8系列NAND闪存控制器LSI，该产品计划于九月份开始销售，生产能力预计为100,000单元/月。GBDriverRA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAN

分类：其它 时间：2008-08-08 阅读：1623 关键词：TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSINAND闪存控制器

TDK推出低价、高容量GBDriver系列NAND闪存控制器

日前，TDK公司发布GBDriverRS1系列NAND闪存控制器LSI电路。新的GBDriverRS1兼容1.5GbpsSATAI，并且在当作NAND闪存控制器IC使用时，可以控制最新的4k字节/页的单级单元(SLC)和多级单元(MLC)NAND闪

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-06-06 阅读：1604 关键词：TDK推出低价、高容量GBDriver系列NAND闪存控制器20002008TQFP