晶体管是模拟电路中基础的器件,对于电子工程师来说,了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的,本文将带大家一起学习或回顾一下。 一、晶体管工作的条件 1.集电极电阻Rc: 在共发射...
分类:模拟技术 时间:2016-11-21 阅读:3451 关键词:晶体管的工作状态判断和工作条件
利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单,就是...
分类:元器件应用 时间:2016-08-22 阅读:886 关键词:晶体管工作原理是什么?
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体 硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间,用于制造半导体器件的原材料,具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2016-08-02 阅读:1555 关键词:学好嵌入式系统电路入门之——二极管/晶体管/FET
第三代半导体材料——氮化镓(GaN),作为时下新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势。与硅器件相比,GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃,广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计...
分类:元器件应用 时间:2016-06-28 阅读:3097 关键词:安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使...
分类:模拟技术 时间:2016-05-20 阅读:806 关键词:场效应晶体管的几点使用技巧
采用氮化镓晶体管取得更高功率密度和效率的48V通信直直变换器
随着对数据需求的不断增加,这看似失去控制,但已成为数据通信系统中人们不得不去处理的真正问题。数据中心和基站,充满了通信处理和存储处理,在电力基础设施,冷却和能量...
分类:元器件应用 时间:2016-05-09 阅读:2312 关键词:采用氮化镓晶体管取得更高功率密度和效率的48V通信直直变换器
石墨烯因为不具有半导体的性质而无法用来制造晶体管,现在科学家找到了克服困难的办法。石墨烯,即以蜂窝状晶格排列的单层碳原子,具备一系列出色的性质。自从石墨烯在2003年被发现以来,研究者发现它具有优异的强度...
分类:通信与网络 时间:2015-10-29 阅读:1300 关键词:石墨烯不具备半导体性质也能制造晶体管了
Q3是一个PNP型开关,此开关控制另一PNP型开关Q4,Q5是另另一NPN型开关,与本文无关。 实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止,反之...
双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件,但由于具有低成本和卓越参数的优点,它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用,比...
分类:其它 时间:2015-04-21 阅读:1202 关键词:晶体管或稳压器并联后可以取消散热器
引言 双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件,但由于具有低成本和卓越参数的优点,它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新...
A8内含20亿颗晶体管 20nm制程略胜三星Exynos 5430
随着三星(Samsung)在上个月发布Exynos 5430双4处理器,该公司可望成为出货20nm智能手机SoC的供货商。不过,苹果(Apple)最近刚发布了iPhone 6与iPhone 6 Plus手机,所搭...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2014-09-18 阅读:2763 关键词:A8内含20亿颗晶体管 20nm制程略胜三星Exynos 5430Exynos 5430 处理器 20nm iPhone 6 A8
本设计实例是一个2线式电流调节器(图1),它在性能和器件数目之间达到了很好的平衡。通过使用三个晶体管、三个电阻和一个LED灯,可实现很好的调节效果(在大部分电压范围...
分类:电源技术 时间:2014-08-27 阅读:1183 关键词:三晶体管电流源覆盖宽范围晶体管 电流源 电流调节器
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为针对网络、电信和以太网供电 (Power over Ethernet,简称PoE) 设备内48V电路,推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系...
分类:其它 时间:2014-08-21 阅读:1156 关键词:Diodes新增小体积稳压器晶体管ZXTR2000系列Diodes 高压线性稳压器晶体管 ZXTR2000
横跨多重电子应用领域、的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects C...
分类:其它 时间:2014-08-19 阅读:1208 关键词:ST新增经DLA认证的抗辐射器件——JANSR双极晶体管ST JANSR双极晶体管 DLA认证
Infineon 英飞凌推出具备输出功率700瓦的L波段晶体管,可降低系统成本,并提高可靠性
2014年4月10日--英飞凌科技股份公司今日宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200MHz-1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件,降...
分类:其它 时间:2014-05-07 阅读:1306 关键词:Infineon 英飞凌推出具备输出功率700瓦的L波段晶体管,可降低系统成本,并提高可靠性700瓦L波段晶体管系统成本50V LDMOS功率晶体管技术
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200MHz~1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件,降低系统成本,提高可...
分类:电源技术 时间:2014-04-11 阅读:1502 关键词:英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管英飞凌 射频功率晶体管 PTVA127002EV