东芝开发出MIS型晶体管栅极绝缘膜积层技术

东芝开发出了新型栅极绝缘膜积层技术，该技术可适用于16nm级以后LSI用的MIS型晶体管。该技术是一种在高介电率（high-k）栅极绝缘膜及锗（Ge）沟道之间插入“SrGex（Strontium Germanide）”界面层的工艺技术。可同时...

分类：其它 时间：2010-01-04 阅读：4753 关键词：东芝开发出MIS型晶体管栅极绝缘膜积层技术晶体管

双晶体管正激有源钳位软开关电源的设计

O 引言　　现在世界资源短缺，各国政府及社会各界越来越要求节能降耗。中国政府也正秉持这一国际化趋势的理念在不断迈进，这一趋势在未来几年还会加速，这势必为响应这一国际趋势的科技型企业带来巨大的机遇。同时对...

分类：电源技术 时间：2009-12-12 阅读：3232 关键词：双晶体管正激有源钳位软开关电源的设计开关电源

富士通微电子针对PA发表CMOS逻辑高压晶体管

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展，此款晶体管具备高击穿电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。富士通所开发的这款45奈米CMOS晶体管，能支持10V功率输...

分类：元器件应用 时间：2009-10-30 阅读：3221 关键词：富士通微电子针对PA发表CMOS逻辑高压晶体管逻辑高压晶体管

英飞凌发布PTFB系列LDMOS晶体管

英飞凌科技(InfineonTEchnologies)于美国波士顿所举办的IEEEMTT-S国际微波技术研讨会(InternationalMicrowaveSymposium)上宣布推出可供设计宽频无线网络基站的高功率LDMOS晶体管系列产品。新型

分类：元器件应用 时间：2009-06-19 阅读：2446 关键词：英飞凌发布PTFB系列LDMOS晶体管晶体管

飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容

随着基于LDMOS(laterally-diffusedmetaloxidesemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能RF功率晶体管的推出，飞思卡尔(Freescale)半导体扩展了它在GSMEDGE无线网络方面的投入。

分类：物联网技术 时间：2009-06-16 阅读：2999 关键词：飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容RF功率晶体管

ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器

日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950...

分类：元器件应用 时间：2009-06-02 阅读：2513 关键词：ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器MOSFET晶体管液晶显示器

GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极

GB-T6352-1998半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：//www.y...

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1479 关键词：GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极

GB-T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸

GB-T6590-1998半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：//www.yin...

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1651 关键词：GB-T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸

GB13066-91-T 单结晶体管空白详细规范.exe

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1456 关键词：GB13066-91-T 单结晶体管空白详细规范.exe

GB T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1408 关键词：GB T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1619 关键词：GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第一篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管

GBT 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1578 关键词：GBT 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe

GBT 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1594 关键词：GBT 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe

GBT 15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1558 关键词：GBT 15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe

GB-T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1514 关键词：GB-T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB-T 6218-1996 开关用双极型晶体管空白详细规范.exe

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1551 关键词：GB-T 6218-1996 开关用双极型晶体管空白详细规范.exe