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晶体管

增强型 GaN 晶体管的电气特性

对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说,升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似,但在高效设计中需要考虑一些特性,以便从这种新一代设备中获得最大利益。  对于使用过功率 MOSFET 的电源...

分类:元器件应用 时间:2023-10-17 阅读:847 关键词:GaN 晶体管

修复自感晶体管恒温器的基本缺陷

微型自感晶体管恒温器使用单个晶体管(BJT 或 FET)充当温度传感器和稳定加热器。这些晶体管恒温器(如果设计良好)是一种有效、高效且廉价的方法,可维持单个组件(传感器...

分类:电源技术 时间:2023-10-11 阅读:447 关键词:晶体管

使用 ISL73xxxRH 晶体管阵列的射频放大器设计

本应用笔记介绍了 ISL73096RH/ISL73127RH/ISL73128RH 晶体管阵列,并重点介绍了采用这些特色晶体管阵列设计射频放大器。本笔记提供了匹配(800 MHz 至 2500 MHz)高增益低...

分类:电源技术 时间:2023-08-23 阅读:1151 关键词:ISL73xxxRH

回收半温控器采用 ΔVbe 晶体管传感器

组装精密温度控制系统通常会带来两个特殊的设计挑战: 准确且经济高效地感测要控制的温度。 通过控制电路闭合温度传感器与热源和/或冷却源之间的反馈回路,包括高增...

分类:传感技术 时间:2023-08-21 阅读:391 关键词:晶体管传感器

优化高压 GaN 晶体管开关性能的设计技术

GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽,可实现非常快速的开关转换,即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而,快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体...

时间:2023-08-10 阅读:617 关键词:GaN 晶体管

第 4 代碳化硅场效应晶体管的应用

Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET,扩大了公司的性能领先地位,并扩大了其突破性...

分类:元器件应用 时间:2023-07-21 阅读:744 关键词:碳化硅场效应晶体管

LED 显示屏的晶体管控制开关

图 1 所示的 Science Fair 150 合 1 电子项目套件页面中的电路将稍作修改。将使用无焊面包板和现代电子元件来讨论和说明经典电路。此外,还将使用 Multisim Live 和 Autode...

分类:光电显示/LED照明 时间:2023-07-11 阅读:1438 关键词:LED 显示屏

MOS 晶体管结构

MOS晶体管结构由金属、氧化物和半导体结构(因此,MOS)组成。 考虑具有 p 衬底和 n+ 扩散阱作为漏极和源极端子的 NMOS 晶体管。氧化物层由SiO 2制成并且生长在漏极和源...

分类:元器件应用 时间:2023-07-07 阅读:13754 关键词:SDR,DDR

功率晶体管应用的三个维度

帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下,这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通...

分类:元器件应用 时间:2023-07-05 阅读:967 关键词:功率晶体管

降压开关稳压器如何使用串联晶体管

降压开关稳压器是一种开关模式电源电路,旨在有效地将直流电压从较高电压降低到较低电压,即减去或“降压”电源电压,从而降低输出端可用的电压端子无需改变极性。换句话说,降压开关调节器是降压调节器电路,因此例...

分类:电源技术 时间:2023-06-27 阅读:1840 关键词:开关模式电源

光电晶体管的结构和特性

在 NPN 晶体管中,集电极相对于发射极正向偏置,使得基极/集电极结反向偏置。因此,在结处没有光的情况下,正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时,该区域会形成更多的电子/空穴对,并且该作用产生的电流...

分类:元器件应用 时间:2023-06-27 阅读:706 关键词:光电晶体管

了解双极结型晶体管的电流增益

假设我们正在使用一个简单的电路,该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成,连接方式如下: 如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结,电流将从输入端流过 R B,通过 BE 结,到达地...

分类:元器件应用 时间:2023-06-07 阅读:438 关键词:双极结型晶体管

自加热Vbe 晶体管恒温器无需校准

它包含三个想法。将双极型功率晶体管复用在温度自测和自发热之间,从而实现自控温度。关闭恒温器晶体管与需要温度控制的组件的热耦合。因此,当晶体管对自身进行恒温时,它也会对与其热结合的组件进行恒温。利用?Vbe...

分类:电源技术 时间:2023-06-07 阅读:600 关键词:晶体管恒温器

使用红外LED和NPN光电晶体管构建光耦合器

光耦合器或光隔离器是一种电子器件,通过发射光穿过其输入和输出之间的电气隔离栅来传输电子信号。光耦合器的主要目的是防止隔离栅一侧的高电压或电压尖峰损坏组件或干扰传输到另一侧的信号。市售光耦合器可以承受3 ...

分类:光电显示/LED照明 时间:2023-06-02 阅读:1203 关键词:LED

晶体管上的简单 XOR 逻辑元件

“异或”逻辑元件广泛应用于各种数字设备中。然而,在某些情况下,例如,当使用更高的工作电压时,使用标准芯片是不可能的。这个问题可以通过使用离散元来解决。如果标准的 AND 或 OR 逻辑元件很容易被二极管电阻电...

分类:元器件应用 时间:2023-06-01 阅读:395 关键词:晶体管

了解短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分

MOS 晶体管正在按比例缩小,以最大限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种...

分类:元器件应用 时间:2023-05-18 阅读:376 关键词:MOS 晶体管

光电晶体管简介

根据我的经验,光检测和光测量应用最常使用光电二极管。但是光电二极管产生非常小的输出电流这一事实是无法回避的,这可能会导致您在某些情况下可能希望避免的设计挑战。本文和下一篇文章提供了两种产生比光电二极管...

分类:光电显示/LED照明 时间:2023-04-12 阅读:514 关键词:光电晶体管

使用线性延迟模型在 VLSI 设计中调整晶体管大小

在我们关于 VLSI 中的晶体管大小调整系列的续篇中,我们将介绍我们系列中的第三个也是最后一个模型,即线性延迟模型。如果您想了解线性 RC 延迟模型 和流行的Elmore 延迟模型,请务必查看之前的文章。线性延迟模型提...

分类:元器件应用 时间:2023-04-10 阅读:425 关键词:晶体管

带低压晶体管的高压电流检测

由于专用集成电路的可用性,电流监测变得更加简单。电流监测集成电路很容易获得,并且在大多数情况下都表现出色,各种仪表放大器也是如此,因此使用分立器件构建电流监测器似乎是多余的,但在某些情况下,使用分立元...

分类:电子测量 时间:2023-03-23 阅读:371 关键词:碱性电池

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