集成电路中晶体管有源寄生效应

内容：1npn管工作于反向有源区1.1npn管及寄生pnp管的工作状态1.2工作状态分析1.3寄生pnp管对npn管电性影响的结论1.4采用工艺措施减小寄生pnp管的影响2npn管工作于饱和区2.1npn管及寄生pnp管的工作状态2.2工作状态分...

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2685 关键词：集成电路中晶体管有源寄生效应

集成晶体管的版图设计

内容：1最小面积晶体管版图1.1版图及版图分析1.2最小面积晶体管版图在集成电路版图设计中的意义2集成电路制造中常用的晶体管版图图形2.1常用的晶体管版图2.2与常用的晶体管各版图对应的工艺剖图2.3各种典型晶体管的...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2022 关键词：集成晶体管的版图设计

集成电路中的双极晶体管模型

p-n结二极管的分析和模拟是双极结型晶体管（BJT）原理和模拟的基础。BJT是由两个背靠背的p-n结，并由一个半导体簿区串联而成的。虽然分立的二极管没有放大作用，但是当它们由一个纯的单晶，结构完整的半导体簿区耦合...

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：1727 关键词：集成电路中的双极晶体管模型

集成电路中的MOS晶体管模型

MOS模型MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米，栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中，考虑...

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1750 关键词：集成电路中的MOS晶体管模型

最小面积晶体管

集成电路版图设计通常是由集成电路中晶体管版图开始的，而该晶体管版图通常是最小面积晶体管的版图。因此，掌握什么是最小面积晶体管，其版图是如何确定的非常重要。另外，掌握集成电路制造中常用的各种晶体管版图及...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1437 关键词：最小面积晶体管38001900

MOS晶体管的平方律转移特性

将MOS晶体管的栅漏连接，因为VGS=VDS，所以，VDS>VGS-VTN，导通的器件一定工作在饱和区。这时，晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程IDS=KN/2·W/L·(VGS-VTN)2(1+λVDS)即平方律关系。4种MOS晶

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：3332 关键词：MOS晶体管的平方律转移特性

MOS晶体管的跨导gm

MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力（VDS恒定）的参数，也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。(忽略沟道长度调制效应，λ=0，在以下分析中，如未出现λ参数，均表示λ=0的情况)。来源:...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：5205 关键词：MOS晶体管的跨导gm

MOS晶体管的工作频率

MOS晶体管的最高工作频率被定义为：当对栅极输入电容CGC的充放电电流和漏源交流电流的数值相等时，所对应的工作频率为MOS晶体管的最高工作频率。这是因为当栅源间输入交流信号时，由源极增加(减少)流入的电子流，一...

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：2443 关键词：MOS晶体管的最高工作频率

MOS晶体管的衬底偏置效应

在前面的讨论中，都没有考虑衬底电位对晶体管性能的影响，都是假设衬底和晶体管的源极相连，即VBS(Bulk-Source)=0的情况，而实际工作中，经常出现衬底和源极不相连的情况，此时，VBS不等于0。在晶体管的衬底与器件的...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：6590 关键词：MOS晶体管的衬底偏置效应

双极型晶体管原理

虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 .18是两种双极型晶体管的结构图。每个晶体管有3个半导体区，他们分别是发射...

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：6882 关键词：双极型晶体管原理

集成NPN晶体管的beta值

晶体管的电流放大能力等于集电极电流比上基极电流。这个比值有很多名字，包括电流增益和beta。不同的作者又对它也使用不同的符号，包括β和hFE。一个典型的集成NPN晶体管的beta值是大约等于150。某些特殊的器件的bet...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：3525 关键词：集成NPN晶体管的beta值10000

双极型晶体管I-V特性

双极型晶体管的性能能用一幅基极电流，集电极电流和集电极－发射极电压曲线图来说明。.21就是一幅典型的集成NPN管的曲线图。纵坐标表示集电极电流Ic，而横坐标是集电极－发射极电压Vce。在这同一个坐标中有很多曲线...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2817 关键词：双极型晶体管I-V特性

飞思卡尔扩大WiMAX 基站的射频功率晶体管的选择范围

近期，凭借第七代高压（HV7）射频LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔的这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术首次...

分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1350 关键词：飞思卡尔扩大WiMAX 基站的射频功率晶体管的选择范围2006MRF7S38075H

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAsHBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用....

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1808 关键词：高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管200220032001

PMOS晶体管确保的上电时序

TFT LCD面板需要三个电源：VDD、VON和VOFF。VDD通常为13V，用来给视频信号通路提供电源。VON通常为25V，用来提供TFT单元门驱动偏置电压的导通。VOFF通常为-10V，用来提供TFT单元门驱动偏置电压的关断。为了避免在启...

分类：通信与网络 时间：2007-04-28 阅读：153 关键词：PMOS晶体管确保精确的上电时序

安森美内建偏置控制输出晶体管

安森美半导体（ONSemiconductor）推出ThermalTrak™的创新内建偏置控制输出晶体管系列，提供简化的、单器件音频放大器设计解决方案，扩大了公司在功率音频元件市场的实力。安森美半导体的新器件用申请中的专利...

分类：元器件应用 时间：2007-04-28 阅读：1476 关键词：安森美内建偏置控制输出晶体管NJL1302DNJL3281D8482

实现过载延迟的晶体管

尽管SMPS（开关电源）本身能防止性短路，但在遇到瞬时过载时有时会出问题。瞬时过载并非短路，但却会使电源超出其标称负载值。这种情况会在开关电源连接典型负载，如打印机头和小型电机时发生。在面对这样的负载时，...

分类：电源技术 时间：2007-04-28 阅读：1027 关键词：实现过载延迟的晶体管

用于超薄高清CRT显示器的高压双极晶体管

代号为HD1的高压功率双极晶体管系列产品是专门为超薄高清CRT（阴极射线管）显示器设计的，能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。新型CRT的深度通常比上一代产品缩减30%，显像管的深度被大幅度缩减，所以在...

分类：光电显示/LED照明 时间：2007-04-23 阅读：2465 关键词：用于超薄高清CRT显示器的高压双极晶体管HD1750FX100KHZHD1520FX

场效应晶体管介绍

场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管...

分类：模拟技术 时间：2007-04-19 阅读：2264 关键词：场效应晶体管介绍

使用泰克数字荧光示波器测试晶体管饱和压降

电子镇流器的设计人员对半桥驱动晶体管的交越失真非常关注，交越失真的优化与否直接影响了两半桥驱动晶体管是否能安全可靠地工作。显然，半桥驱动晶体管的饱和压降Vcesat 对交越功率影响很大。那么如何测得这一约为0...

分类：电子测量 时间：2007-04-03 阅读：243 关键词：使用泰克数字荧光示波器测试晶体管饱和压降SC8206TCP312P5100