TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计

引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时，首先是如何提高晶体管的反压，降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大，集电区体电阻上的电...

分类：其它 时间：2007-07-17 阅读：5460 关键词：TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计TIP41C

瑞萨科技利用新工艺制造技术改进晶体管性能

瑞萨科技（Renesas）宣布开发出一种具有45nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构--公司在2006年12月以前发布的一种先进技术...

分类：其它 时间：2007-07-17 阅读：1717 关键词：瑞萨科技利用新工艺制造技术改进晶体管性能2006

晶体管交直流参数对电路设计的影响

在电路中，不管晶体管是工作在直流工作状态还是交流工作状态，正确选择晶体管的直流参数是很重要的。也就是说，应根据工作环境中直流电路的工作状态要求，对晶体管进行最基础的选择，确定晶体管的工作电压，工作电流...

分类：模拟技术 时间：2007-06-08 阅读：1386 关键词：晶体管交直流参数对电路设计的影响

功率场效应晶体管MOSFET

1.概述 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体...

分类：电源技术 时间：2007-06-08 阅读：6664 关键词：功率场效应晶体管MOSFETIRFP450UC3724UC3725

用单个晶体管提供短路保护

在某些直流/直流转换器中，芯片上的逐周期限流措施在短路期间可能不足以防止故障发生。一个非同步升压转换器可通过电感器和箝位二极管来提供一条从输入端到短路处的直接通路。当负载存在短路时，不管集成电路中限流...

分类：电源技术 时间：2007-06-02 阅读：1740 关键词：用单个晶体管提供短路保护LT1961EMS8E

用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

传统上，采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄，而凹形衬底又是高度掺杂的，因此场...

分类：工业电子 时间：2007-05-25 阅读：1627 关键词：用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品(ULN2003A)及其应用

摘要：ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品，具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点，适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003A电路是美国Texas Instruments公司和Spr...

分类：电源技术 时间：2007-05-13 阅读：12114 关键词：高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品(ULN2003A)及其应用ULN2003AULN2803AULN2003ULN2804AULN2004AMC1413M54523PLB1233ULN2001AULN2023AULN2013AULN2801AULN2002ALB1234ULN2802AMC1416ULN2024AULN2813AULN2823AM54525PL202BL204Buln2805aMC1411

晶体管15W甲类功放的制作

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：0

ST 20A和30A功率场效应MOS晶体管

意法半导体（STMicroelectronics）今天推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK®封装的功率IC，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的功率

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2002 关键词：ST 20A和30A功率场效应MOS晶体管20058482STK800

Zetex推出双极晶体管

Zetex，推出两款双极晶体管——ZX5T851ZNPN和ZX5T951ZPNP。它们可提供超强效率的高电流运行，满足直流马达控制的所有性能需求，同时由于采用SOT89封装，可以取代封装体积更大的部件，因而更具有成本效益。ZX5T851ZNP...

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1605 关键词：Zetex推出最新双极晶体管ZETEXZX5T851ZZX5T951ZSOT89

NS P场效应晶体管降压控制器

国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器。这款型号为LM3475的控制器芯片采用极小巧的SOT23-5封装，其特点是设有可以简精系统设计的

分类：工业电子 时间：2007-04-29 阅读：1437 关键词：NS P场效应晶体管降压控制器SOT23-5LM3475

Zetex新型迷你晶体管

ZetexSemiconductors近日推出一系列低压双极晶体管。新器件不仅能够提高SOT23封装的电流处理能力，还能替代体积较大的SOT89和SOT223等效元件，有助于设计人员缩减产品尺寸。Zetex凭借其先进的引线架设计及双极工艺能...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-04-29 阅读：1267 关键词：Zetex新型迷你晶体管ZXTN23015CFHZXTN25020DFHZXTP23015CFHZXTP25040DFH

安森美 VCE(sat) 双极结晶体管

安森美半导体（ONSemiconductor）推出全新系列的高性能VCE(sat)双极结晶体管（BJT），该产品降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机,提供更高的电源效率和更长的电池寿命...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-04-29 阅读：1373 关键词：安森美 VCE(sat) 双极结晶体管SOT-23NSS35200MR6T1GNSS20300MR6T1GNSS30100LT1GNSS35200CF8T1GNSS40400CF8T1GNSS30101LT1GNSS12200WT1GNSS20201MR6T1GNSS30070MR6T1GNSS30201MR6T1GNSS30071MR6T1G

ZetexSOT23封装的新型功率晶体管

Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。SOT23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米，与SOT223器件6.7毫米&...

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2360 关键词：ZetexSOT23封装的新型功率晶体管SOT223SOT23ZXTN2020F

Intel展示新晶体管 对抗AMD-IBM技术联盟

引:在12月6日的国际电子设备大会上，Intel展示了极高性能，采用StrainedSilicon(应变硅)技术的65nm晶体管技术，以期对抗AMD和IBM的联盟。Intel现在已经在生产65nm系列的芯片，在会上它还提供了一份明年初将问世的65n

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：1143 关键词：Intel展示新晶体管 对抗AMD-IBM技术联盟

铁电场效应晶体管

王华　于军　周文利　王耘波　谢基凡　周东祥　朱丽丽 　　摘要：介绍了铁电场效应晶体管（FFET）的基本结构、存储机制、制作方法，综述其结构设计的改进、铁电薄膜在FFET中应用的进展情况，探讨围绕铁电薄膜材料、...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：3050 关键词：铁电场效应晶体管5222521920001974213619924955

数字晶体管的测试原理与测试方法

数字晶体管的测试与一般小信号晶体管相比，有较大的区别，主要测输入截止电压Vi（off）（7BTON），输入开启电压Vi（on）（8BTON），输出电压Vo（on）（9VCESAT），输入截止电流Ii（10IEB），输出截止电流Io（off）（...

分类：电子测量 时间：2007-04-29 阅读：2627 关键词：数字晶体管的测试原理与精确测试方法DTC114ESA

数字晶体管的测试程序与数据

表1是通过eb结加反向电压测电阻的一组数据，13VFBE及14VFBE、15DELTA是测R总电阻上的电压差ΔV，16DEF是R总电阻上的电流差ΔI，17R1＋R2是ΔV/ΔI＝R，18VFBE及19VFBE、20DELTA为电阻R1上的电压差ΔV，21DEF为电阻R1...

分类：电子测量 时间：2007-04-29 阅读：1660 关键词：数字晶体管的测试程序与数据

帮助实现光电器件硅材料化的类晶体管调节器

作者:Peter Singer，Semiconductor International主编 　　最近，Intel公司的科学家们取得了一项重要的研究进展。他们采用硅制造工艺制作了一种新颖的、类似晶体管的快速光电调节器，该器件能够将数据解码成光束。采...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2106 关键词：帮助实现光电器件硅材料化的类晶体管调节器20MHZ

多结晶体管的埃伯斯-莫尔模型

内容：1理想二极管的模型1.1pn结二极管的V-I特性1.2pn结二极管的V-I特性分析1.3典型硅pn结二极管的V-I特性1.4理想pn结模型2双结晶体管的E-M模型2.1双结晶体管的结构及电流定义2.2注入型E-M模型2.3其它模型3四层三结...

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：2629 关键词：多结晶体管的埃伯斯-莫尔模型