从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可...
基于双端口RAM中多行代码设置断点功能实现新型通用调试模块的设计
在FPGA 设计中使用嵌入式处理器软核（ 如MicroBlaze、PicoBlaze 等） 构成可编程片上系统（ SystemOn Programmable Chip，SOPC） ，相比于ASIC 具有更好的可修改性和可维护...
时间：2020-03-10 阅读：354 关键词：基于双端口RAM中多行代码设置断点功能实现新型通用调试模块的设计端口
在各种单片机应用系统中，芯片存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性，对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。本文...
pic单片机，想必大家都比较熟悉。其中，pic单片机简介、pic单片机优势以及pic单片机不足等内容，皆是入门级知识。本文将向大家介绍pic单片机的应用——将pic单片机的数据存...
富士通电子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出业内最高密度8Mbit ReRAM（注１）---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）（注2）合作开发，...
分类：元器件应用 时间：2019-08-08 阅读：1552 关键词：8Mbit ReRAM,富士通
Digi-Key 供应Knowles Ramis-B 多模数字顶部端口 SiSonic™ 麦克风
Knowles 的 Ramis-B 麦克风支持双重多路复用通道，具有超稳定的性能 Knowles 的 Ramis-B SPK0838HT4H-1 是一种小型、高性能、低功耗、顶部端口硅数字麦克风，并带有单比特 PDM 输出。 特性 · 低失真：1...
分类：元器件应用 时间：2019-08-07 阅读：920 关键词：端口,Digi-Key
外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶。对于已经（和仍在）使用SRAM的高性能（主要是缓存）应用而言，与串行...
时间：2019-05-14 阅读：1239 关键词：SRAM存储器的并行接口和串行接口对比SRAM存储器
SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计
随着嵌入式微处理器主频的不断提高，信号的传输处理速度越来越快，当系统时钟频率达到100MHZ以上，传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2019-04-15 阅读：1070 关键词：SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计Allegro嵌入式
随着电动汽车技术的发展，以及政府的政策鼓励与扶持，电动汽车（混动+纯电动）以每年超过50%的速度高速增长，电池以及电池管理系统作为电动汽车的组件，其市场需求也获得相...
虽然EEPROM和闪存通常是大多数应用中非易失性存储器（NVM）的，但铁电RAM（FRAM）为能量收集应用中的许多低功耗设计（如无线传感器节点）提供了明显的优势。智能电表和其他数据记录设计。凭借其延长的写周期耐久性和...
时间：2019-03-18 阅读：166 关键词：基于FRAM的存储器和MCU器件构建低功耗能量采集应用存储器,MCU
广东高云半导体科技股份有限公司（以下简称“高云半导体”）今日宣布，高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48，其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低...
时间：2019-01-19 阅读：1148 关键词：高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片半导体
利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计
0C186XL16位嵌入式微处理器［1］是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一，已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内，集成有DRAM RCU单元，即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2019-01-08 阅读：211 关键词：利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计DRAM控制器
在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-11-20 阅读：732 关键词：SRAM,FPGA
一.MRAM简介 磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器之一（图1）。与其他存储技...
时间：2018-10-16 阅读：1731 关键词：存储新势力：MRAM技术解析存储
2.位寻址区(20H~2FH) 3.用户RAM区(30H~7FH) 4.特殊功能寄存器(80H~FFH) 其中1.2.3处于RAM低128单元，4处于高128单元 也就是声明变量时data与idata位置 而栈...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-09-19 阅读：1101 关键词：51单片机RAM区域的划分单片机
今日宣布，高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48，其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 随着边缘计算的兴起，相应芯片的市场需求...
时间：2018-09-17 阅读：549 关键词：高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGADRAM
实验目的：改变“点灯大法”的执行地点，从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行，借此掌握存储控制器的使用。 实 验环境及说明：恒颐S3C2410开发板H2410。H2410板扩展有64MB的SDRAM，用于设置程序堆栈和存...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-08-30 阅读：107 关键词：ARM开发步步深入之SDRAM编程示例ARM
它是美国爱荷华州立大学的约翰·文森特·阿塔纳索夫（John Vincent Atanasoff）教授和他的研究生克利福特·贝瑞（Clifford Berry）在1937年设计的。 遗憾的是当时仅仅用于求解线性方程组，也没有申请专利，爱荷...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-08-03 阅读：977 关键词：微控制单元器MCU、ARM及SDRAM简介ARM,SDRAM
基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究
VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细阐述了基于J750测试系统的测试技术研究，提出了采用J750EX测试...
分类：电子测量 时间：2018-07-26 阅读：659 关键词：SRAM,测试
为什么2440与SDRAM地址线错两位相连？ 网上说，错两位是为了32位对齐（地址为8位数据地址，2440位宽为32，错两位，一次跳4byte）。 下面是听南方大哥的教程时记录的： 由于两个内存合起来“数据位宽”是32...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2018-07-24 阅读：859 关键词：2440,SDRAM,地址线
