导读：日前，富士通半导体（上海）有限公司开发出一款全新FRAM器件MB85RC1MT.此器件拥有1Mb内存，是富士通半导体所有I2C串行接口产品中最高内存容量的产品。据悉，MB85RC1MT拥有128K字符X8位的1Mb内存，可在摄氏零下...
时间：2014-02-26 阅读：1977 关键词：富士通半导体开发出全新FRAM器件MB85RC1MT富士通半导体FRAM器件1Mb内存MB85RC1MT
导读：据报道，三星于日前正式宣布其研发的业界首款采用LPDDR4的8Gb移动DRAM.此款8Gb移动DRAM的成功研发是三星在DRAM市场上的一个重大突破，也为用户提供了前所未有的性能体验。日前，三星正式宣布其研发的业界首款...
时间：2013-12-31 阅读：1359 关键词：业界首款采用LPDDR4的8Gb移动DRAM问世三星LPDDR4移动DRAM
摘要：为了在嵌入式系统设计中实现对SDRAM存储器的访问，本文提出了一种基于AMBA-AHB总线规范的SDRAM控制器设计方案。方案首先简要介绍了AMBA总线规范，然后在完成整个存储...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2013-12-24 阅读：1961 关键词：基于AMBA-AHB总线的SDRAM控制器的计方案AMBA-AHB总线SDRAM控制器
欧司朗推出OSRAM Ostar Projection 的两款全新高功率LED
导读：近日，欧司朗光电半导体宣布推出OSRAMOstarProjection的两款全新高功率LED.此两款高功率版本是针对亮度高达1700lm的投影仪应用而推出的采用涂有抗反射涂层的盖玻片代替普通透镜，光通量极高的全新LED.近日，欧...
时间：2013-12-23 阅读：2422 关键词：欧司朗推出OSRAM Ostar Projection 的两款全新高功率LED欧司朗高功率LEDLED
MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片
导读：近日，富士通半导体宣布推出一款全新的4MbitFRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM.富士通半导体近日宣布...
时间：2013-12-20 阅读：1828 关键词：MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片FRAM芯片SRAM并列接口MB85R4M2T
导读：日前，赛灵思公司（以下简称“Xilinx”）宣布向客户交付由台积公司生产的半导体产业首款20nm产品，此款产品同时也是可编程逻辑器件（PLD）产业首款20nmAllProgrammable产品。日前，赛灵思公司（以下简称“Xili...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2013-12-02 阅读：2676 关键词：业界首款20nm All Programmable产品问世XilinxUltraScale器件ASIC级可编程架构
导读：日前，瑞萨电子推出了12款新产品版本的旗舰SRAM（静态随机存取存储器）产品，这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先进低功耗SRAM（先进LPSRAM）。据报道，作为全球领先的半导体及解决方案供应商...
新美亚科技开发有限公司是OvenIndustries（以下简称“Oven”）在中国的独家经销商。Oven公司日前宣布了其新款具备Ramp/Soak功能的实验室温度控制器.5R6-900台式控制器具有很多突出的用户容易掌握的优势。5R6-900台式...
分类：工业电子 时间：2013-09-23 阅读：2955 关键词：新美亚科技经销具备Ramp/Soak功能的温度控制器新美亚Ramp/Soak温度控制器5R6-900
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
时间：2013-06-20 阅读：4993 关键词：拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同SDRAM存储器三星SK海力士
DRAM控制器藏在您的系统芯片系统（SoC）中--可能有两个，甚至是四个。有一些精心制作的逻辑小模块，用于连接SoC内部和外部DRAM,它们并没有引起系统设计人员的注意。它们有...
时间：2012-12-10 阅读：2835 关键词：基于DRAM控制器的系统核心芯片设计DRAM控制器SoC存储器
安全性在包括智能手机配件、智能仪表、个人健康监控、遥控以及存取系统等各种应用中正在变得日益重要。要保护收益及客户隐私，OEM 厂商必须采用安全技术加强系统的防黑客攻...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2012-12-03 阅读：1549 关键词：基于FRAM的MCU为低功耗应用提高安全性EEPROM存储器架构MSP430
在高速实时或者非实时信号处理系统当中，使用大容量存储器实现数据缓存是一个必不可少的环节，也是系统实现中的重点和难点之一。SDRAM（同步动态随机访问存储器）具有价格...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2012-10-29 阅读：3754 关键词：基于VHDL的SDRAM控制器的实现数据缓存大容量存储VHDL
摘 要：通过使用IDT70261 双端口RAM 实现了ARM 与TMS320C6211 DSP 之间的高速实时数据通信，给出了双端口RAM 与TMS320C6211 和ARM 的硬件连接图和ARM 驱动编写细节。 后PC 时代，由于网络技术和集成电路技术的迅...
分类：通信与网络 时间：2012-07-27 阅读：3105 关键词：双端口RAM在ARM 与DSP通信系统中的应用
医院和医疗机构正面临在使用、消毒、储存和销毁医疗设备和用品的过程中如何记录的难题。首先，医疗和设备供应商必须确保他们的医疗设备和用品从制造到被医护人员使用的整个...
分类：物联网技术 时间：2012-07-11 阅读：2139 关键词：用FRAM RFID改善医疗灭菌过程
利用IAR编译器分配MAXQ®微控制器上的闪存和SRAM存储器
摘要：通过调用读、写程序存储器，MAXQ器件提供特殊的固定用途ROM函数。然而，在MAXQ微控制器上无法直接存取储存在程序存储器中的数据。固定用途ROM函数起始地址集成在IAR ...
分类：其它 时间：2012-06-25 阅读：7431 关键词：利用IAR编译器分配MAXQ®微控制器上的闪存和SRAM存储器
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一，已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内，集成有DRAM RCU单元，即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2012-01-31 阅读：3436 关键词：基于VHDL的DRAM控制器设计DRAM
摘要：本文介绍使用Cypress的PSoC3 UDB实现对异步SRAM的读写控制，并以CY7C1069AV33 SRAM为例介绍其软硬件设计过程。 1, 概述 Cypress PSoC3使用基于单循环流水线的...
分类：其它 时间：2011-12-01 阅读：7699 关键词：基于PSoC3 UDB的异步SRAM读写控制
