异步SRAM

最一般的就是具备地址总线及数据总线的SRAM，代表性的如图所示。根据用途，可以化分为两种，一种是需要低功耗／大容量化的SRAM；另一种是注重随机存取速度的SRAM。图 异步SRAM的输人输出信号示例　　前者或者应用于...

分类：其它 时间：2008-11-20 阅读：3280 关键词：异步SRAMSRAM

UV-EPROM的编程禁止（Program Inhibit）操作

即使处于加载了VPP电压的状态下，一旦CE为高电平，EPROM也将成为非选择状态，这样的状态是编程禁止模式。使之处于该状态，譬如增加VPP电压，这时即使PGM有效，也不可能误写人数据c该编程禁止模式应用于向编程操作移...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：2095 关键词：UV-EPROM的编程禁止（Program Inhibit）操作编程禁止（Program Inhibit）操作Program Inhibit

UV-EPROM的编程验证（Program Verify）操作

这是用于编程时检查写入是否正确的读出模式。在类型较旧的EPROM中，是通过单一的长脉冲进行写人操作的，但由于操作时间过长，所以现在的EPROM都采用新的方法，即给予短脉冲进行编程，读出的数据如果与写人的数据一致...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1941 关键词：UV-EPROM的编程验证（Program Verify）操作编程验证（Program Verify）操作Program Verify

UV-EPROM的编程（Programming）操作

这是写入操作，但并不只是单纯处于这种状态即可完成操作。由于规定了额定电压以及额定时间，因此编程操作是相当麻烦的。在闪速存储器中，由于时序控制是在器件内部的电路中自动进行的，所以主机方面只要发布指令就可...

分类：其它 时间：2008-11-18 阅读：1672 关键词：UV-EPROM的编程（Programming）操作编程（Programming）操作Programming

欧司朗光电推出CERAMOS和OSLUX摄影闪光灯LED

欧司朗光电半导体公司推出新一代CERAMOS和OSLUXLED闪光灯产品，亮度比原有产品提高了两倍。为了达到更高像素，现代数码相机需要极高的亮度，而这两款闪光灯产品正好可以满足这一需求。CERAMOSLED不带透镜，亮度最高...

分类：光电显示/LED照明 时间：2008-11-13 阅读：3029 关键词：欧司朗光电推出CERAMOS和OSLUX摄影闪光灯LEDLED

EDA典型单元电路的SRAM和ROM主要区别

SRAM和ROM的主要区别在于RAM描述上有读和写两种操作，而且在读写上对时间有较严格的要求。　　【例】 用VHDL设计一个8×8位的双口SRAM的VHDL程序，并使用MAX+p1us Ⅱ进行仿真。　　仿真结果如图所示。　　如图 读写...

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-10-11 阅读：2123 关键词：EDA典型单元电路的SRAM和ROM主要区别EDA

Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器

RamtronInternationalCorporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位（Mb）、2.0至3.6V、

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-09-25 阅读：1625 关键词：Ramtron推出高速和低电压的F-RAM存储器200840MHZ1E14

高速读/写性能、低电压的F-RAM存储器（Ramtron）

RamtronInternationalCorporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位(Mb)、2.0至3.6V、

分类：其它 时间：2008-09-20 阅读：1811 关键词：高速读/写性能、低电压的F-RAM存储器（Ramtron）3.6VEEPROM1E14

PicoBlaze处理器中间结果暂存寄存器（Scratchpad RAM）

PicoBlaze处理器提供了一个64个字节的中间结果暂存器组，这些寄存器可以支持直接寻址和间接寻址，通过两条指令STORE和FETCH来访问和处理。Scratchpad寄存器仅支持基于FPGA的PicoBlaze，不支持CPLD器件。另外，该寄存

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-09-19 阅读：3657 关键词：PicoBlaze处理器中间结果暂存寄存器（Scratchpad RAM）PicoBlaze处理器寄存器

Coo1Runner-Ⅱ器件实现SRAM控制器

DMA传输时，16位的SRAM用来存储来自CPU/IDE的数据。SRAM分为两个块，分别是Buffer1(0x00～0xff)和Buffer2(0x100～Oxlff)。　　如图所示为SRAM控制器状态机，读写SRAM都是由此状态机完成的。　　如图 SRAM控制器状态...

分类：其它 时间：2008-09-19 阅读：4380 关键词：Coo1Runner-Ⅱ器件实现SRAM控制器BIT1Coo1Runner-Ⅱ／控制器

嵌入式实时操作系统的RAM盘扩展

摘要：介绍了一种在嵌入式实时操作系统内核（以下简称实时内核）上实现ＲＡＭ盘的方法，配合接受用户命令的Ｓｈｅｌｌ任务，可实现嵌入式系统的多任务动态加载和监控，扩展了实时内核的应用领域。实时内核采用目前十...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-09-01 阅读：2200 关键词：嵌入式实时操作系统的RAM盘扩展嵌入式

用双端口RAM实现与PCI总线接口的数据通讯

采用双端口RAM实现DSP与PCI总线芯片之间的数据交换接口电路。　　提出了一种使用CPLD解决双端口RAM地址译码和PCI接口芯片局部总线仲裁的的硬件设计方案，并给出了PCI总线接口芯片寄存器配置实例，介绍了软件包WinDri...

分类：通信与网络 时间：2008-08-29 阅读：1891 关键词：用双端口RAM实现与PCI总线接口的数据通讯PCI9052PCI9050PCI903093CS56IDT71V321

揭密DRAM阵列架构 — 8F2 vs. 6F2

由于DRAM价格的持续下跌及许多制造商经历着财务困难，只有创新和积极进行工艺升级才能确保公司的成功。而DRAM器件的工艺缩微主要应用于DRAM单元，所以阵列架构在决定芯片尺寸方面起着最重要的作用。　　8F2单元设计...

分类：其它 时间：2008-08-26 阅读：3289 关键词：揭密DRAM阵列架构 — 8F2 vs. 6F2DRAM

基于DBL结构的嵌入式64kbSRAM的低功耗设计

嵌入式存储器的容量及其在系统芯片中所占的面积越来越大，对其操作所带来的动态功耗成为系统芯片功耗中重要的组成部分，因此，必须寻求有效的低功耗设计技术，以降低嵌入式存储器对整个系统的影响。为了降低存储器的...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-25 阅读：1352 关键词：基于DBL结构的嵌入式64kbSRAM的低功耗设计存储器；SRAM；位线分割；分块译码

Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪FM6124问世

非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)--FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状

分类：电子测量 时间：2008-08-21 阅读：1922 关键词：Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪FM6124问世记录仪FM6124F-RAM存储器

赛普拉斯宣布推出2Mbit和 8Mbit nvSRAM

赛普拉斯半导体公司宣布推出2Mbit和8Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从16Kbit到8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20纳秒，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-20 阅读：1462 关键词：赛普拉斯宣布推出2Mbit和 8Mbit nvSRAMnvSRAM

IBM已生产出22纳米工艺SRAM芯片

IBM周一宣布，已生产出首个22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元。据国外媒体报道，SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备，速度更快、体积更小且技术更复杂，主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。IBM认为SRAM芯片的生...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-20 阅读：1540 关键词：IBM已生产出首个22纳米工艺SRAM芯片SRAM芯片