摘 要设计实现了一种基于FPGA 的,可用于多数据缓存的、能够高效利用带宽的多端口SDRAM 控制器。本文使用状态机的设计思想,采用Verilog 硬件描述语言设计了时序控制程序。得到的SDRAM 读写信号仿真波形图时序合理、...
分类:其它 时间:2009-10-14 阅读:5074 关键词:多端口SDRAM控制器的设计与实现IS42S16400BEP2C35SDRAM控制器
0 引 言 动态存储器中的数据以电荷形式存储在电容中,因为MOS晶体管漏电,电荷会逐渐漏失,最终造成数据丢失。所以,动态存储器就需要不断对数据进行刷新,补充电荷。由...
0 引言 SDRAM(同步动态存储器)是一种应用广泛的存储器,具有容量大、数据读写速度快、价格低廉等优点,特别适合那些需要海量存储器的应用领域,例如视频方面。 这里...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2009-10-09 阅读:2742 关键词:基于FPGA的高速SDRAM控制器的视频应用 (1)
RamtronInternational公司宣布推出新款的平行F-RAM内存FM14C88,它可满足磁盘阵列(RAID)储存服务器及主机总线适配卡(HBAcard)等应用需求。与nvSRAM相较,FM14C88的读写速度更快,工作电压更低。FM14
分类:其它 时间:2009-09-10 阅读:2296 关键词:Ramtron推出新款的平行F-RAM内存F-RAM内存
在各种单片机应用系统中,存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性,对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。本文针对...
DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDRSDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流。由于SDRAM
世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。FM28V020与其它V系列F-RAM
分类:其它 时间:2009-08-18 阅读:1962 关键词:Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件FM18L08F-RAM器件
作者:蒙洋,华清远见嵌入式学院讲师。首先我们要将我们的某个分区格式化成yaffs格式。制作格式化工具过程如下:mtd-utils编译1、编译libz:首先安装zlib库,这个是后面的库的编译基础。//www.zlib.net/zlib-1
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2009-07-13 阅读:3163 关键词:cramfs+yaffs嵌入式平台的实现嵌入式
0 引 言 SDRAM作为大容量、高速度、低价格、低功耗的存储器件,在嵌入式实时图像处理系统中具有很高的应用价值,但其控制机制复杂,因此需要设计控制器,以简化系统对SD...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2009-07-07 阅读:2063 关键词:嵌入式实时图像处理系统中SDRAM控制器的实现EP2C70F896C6IS42S16160B嵌入式SDRAM控制器
CypressSemiconductor宣布旗下子公司AgigATech公司推出首款高速、高密度的非挥发性(NVS)RAM内存系统。新款AGIGARAMNVS技术包括BALI与CAPRI系列产品,带来介于4MB(32Bb)与2GB(16Gb)密度,
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2009-06-30 阅读:1511 关键词:AgigA发布免电池高速高密度非挥发性RAM系统RAM系统
世界领先的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR)——FM6124,这是集成式的事件监控解决方案,能够
分类:电子测量 时间:2009-06-19 阅读:3226 关键词:Ramtron带有集成F-RAM存储器的事件数据记录仪数据记录仪
日前,赛普拉斯半导体公司宣布推出了一款低功耗SRAM和两款快速异步SRAM,进一步丰富了其业界领先的产品系列。新型的6?兆比特(Mbit)MoBL(MoreBatteryLife)SRAM是市场上密度最大的低功耗SRAM,旨在延长高端销售点终端...
摘要:从本文可以看出,非易失(NV) SRAM是最安全的数据存储器,利用DES或3 DES对存储器加密,利用密钥保护信息不受黑客的入侵。利用防篡改传感器可以为SRAM提供进一步的保...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2009-05-27 阅读:1498 关键词:基于SRAM的微控制器提供更优的安全性DS5250SRAM微控制
富士通(Fujitsu)微电子(上海)有限公司日前宣布推出两款新型消费类FCRAM存储器芯片-512Mb(MB81EDS51*5)和256Mb(MB81EDS25*5)。这两款芯片支持DDRSDRAM接口,是业界首推的将工作温度范围扩大至125℃的
分类:其它 时间:2009-05-26 阅读:2040 关键词:富士通首推出两款新型消费类FCRAM存储器芯存储器芯