DRAM的单元结构刷新

当DRAM的电容器存储了电荷时，对于FET来说，形成反偏置状态，必然会发生漏电流，图1中图示了这一点。因为在如图所示的方向上存在电流，因此DRAM单元的电容器将必然进行放电。所以，需要定期将单元的状态恢复为初始状...

分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：1873 关键词：DRAM的单元结构刷新DRAM

DRAM单元结构的概况

图对DRAM单元结构进行了较为详细的描述，这是平面式的最基本的结构，在1MB的DRAM占据主导地位之前一般都是这样结构的单元。与刚才的图相比较更容易理解，图的左侧为FET部分，右侧为电容器部分。氧化膜为电介质，多晶...

分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：8800 关键词：DRAM单元结构的概况DRAM

DRAM的单元结构

DRAM单元的基本结构如图所示，负责数据存储的是图中的电容器，根据是否存储电荷来判断数据的“0”、“1”。图中电容器的一端接地，因为是交流接地，所以不是形成GND电平的意思。电容器的另—端与用于存取开关FET的漏...

分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：4787 关键词：DRAM的单元结构DRAM

揭密DRAM阵列架构 — 8F2 vs. 6F2

由于DRAM价格的持续下跌及许多制造商经历着财务困难，只有创新和积极进行工艺升级才能确保公司的成功。而DRAM器件的工艺缩微主要应用于DRAM单元，所以阵列架构在决定芯片尺寸方面起着最重要的作用。　　8F2单元设计...

分类：其它 时间：2008-08-26 阅读：3287 关键词：揭密DRAM阵列架构 — 8F2 vs. 6F2DRAM

片上SDRAM控制器的设计与集成

本文介绍了SDRAM控制器IP核的设计、电路的功能仿真、综合以及验证等过程,其中重点讨论了该控制器的接口设计以实现SoC的集成。性能分析表明该控制器设计合理、性能优异。结果证明了该IP在功能和时序上符合SDRAM控制器...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-16 阅读：1595 关键词：片上SDRAM控制器的设计与集成DEVICECONTMICRONMASTERRATESDRAMFIFO

基于当代DRAM结构的存储器控制器设计

1、引言当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60％的速率增长，存储器芯片每年仅仅增加10％的带宽，本文就如何设计一种符合当代DRAM结构的高效存储器控制器进行研究。本文第二部分介绍当代DRAM结...

分类：其它 时间：2008-08-12 阅读：1958 关键词：基于当代DRAM结构的存储器控制器设计存储器控制器DRAM

SDRAM接口的VHDL设计

RAM（随机存取存储器　是一种在电子系统中应用广泛的器件，通常用于数据和程序的缓存。随着半导体工业的发展，RAM获得了飞速的发展，从RAM、DRAM(Dynamic RAM，即动态RAM)发展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即...

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-16 阅读：4751 关键词：SDRAM接口的VHDL设计RS232SDRAM接口VHDL

WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装

WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)宣布推出一款容量为2Gb的32M×72DDRSDRAM。作为WEDC高密度双倍数据率(DDR)SDRAM家族产品中的最新成员，此款SDRAM支持高性能处理器。WEDC的256Mb(2Gb)

分类：其它 时间：2008-06-02 阅读：2013 关键词：WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装DDRSDRAM芯片封装

Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGA

Altera公司宣布，第一个在FPGA业界实现了对高性能DDR3存储器接口的全面支持。在最近通过的JESD79-3JEDECDDR3SDRAM标准下，AlteraStratix®III系列FPGA可以帮助设计人员充分发挥DDR3存储器的高性

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-02 阅读：2835 关键词：Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGAJEDECDDR3SDRAMFPGA

奇梦达首款512Mb XDR DRAM样品开始发货

奇梦达公司(Qimonda)宣布已开始向客户供应首款512MbXDRDRAM的样品。XDR(ExtremeDataRate)内存解体决方案扩展了奇梦达的绘图RAM产品组合，以针对全球成长快速的计算机和消费性电子市场，提供更佳的高效能、高频宽应用...

分类：其它 时间：2008-01-31 阅读：1659 关键词：奇梦达首款512Mb XDR DRAM样品开始发货

FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

DDR3SDRAM内存的总线速率达到600Mbpsto1.6Gbps(300to800MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何实现FPGA和DDR3SDR

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-12-21 阅读：1720 关键词：FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

ST 推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器

高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDECJC42.4的规定。计算...

分类：其它 时间：2007-12-20 阅读：1616 关键词：ST 推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器

05年DRAM芯片销售排名三星仍保持

据著名市场调研机构Gartner公司最新公布的调查数据显示，2005年全球DRAM储存芯片的销售收入比上年下滑了5%为250亿美元，2004年全球DRAM储存芯片的销售收入为263亿美元。在全球DRAM储存芯片行业销售收入比2004年下滑5...

分类：其它 时间：2007-12-20 阅读：1870 关键词：05年DRAM芯片销售最新排名三星仍保持冠军

三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片

三星电子公司宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。三星电子称，采用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，是当前80nm...

分类：其它 时间：2007-12-18 阅读：2007 关键词：三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片

赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案

赛灵思(Xilinx)宣布，推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2参考设计。据称，该参考设计提供了FPGA业界带宽最高、最可靠的内存接口解决方案。赛灵思DDR2-SDRAM接口采用了创新的Virtex-4ChipSync技术，这是

分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：1588 关键词：赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案DDR2-667

ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM

IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2.5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1.6Gbps。其应用包括各种需求量

分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：2061 关键词：ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAMIS43R32400A

利用FPGA解决TMS320C54K与SDRAM的接口问题

在DSP应用系统中，需要大量外扩存储器的情况经常遇到。例如，在数码相机和摄像机中，为了将现场拍摄的诸多图片或图像暂存下来，需要将DSP处理后的数据转移到外存中以备后用。从目前的存储器市场看，SDRAM由于其性能...

分类：其它 时间：2007-12-12 阅读：1745 关键词：利用FPGA解决TMS320C54K与SDRAM的接口问题TMS320C54TMS626812A

飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载，每模块提供多达36个DRAM

飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列针对DDR2DIMM负载进行了优化，能精确控制传输至模块上的每一个DRAM信号，从而使新寄存器的DDR2寄存存储模块...

分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：1629 关键词：飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载，每模块提供多达36个DRAMLFBGA-96DDR2-667SSTU32865