0 引 言 动态存储器中的数据以电荷形式存储在电容中，因为MOS晶体管漏电，电荷会逐渐漏失，最终造成数据丢失。所以，动态存储器就需要不断对数据进行刷新，补充电荷。由...
0 引言 SDRAM(同步动态存储器)是一种应用广泛的存储器，具有容量大、数据读写速度快、价格低廉等优点，特别适合那些需要海量存储器的应用领域，例如视频方面。 这里...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2009-10-09 阅读：2742 关键词：基于FPGA的高速SDRAM控制器的视频应用 （1）
DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDRSDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此，DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当今的主流。由于SDRAM
0 引 言 SDRAM作为大容量、高速度、低价格、低功耗的存储器件，在嵌入式实时图像处理系统中具有很高的应用价值，但其控制机制复杂，因此需要设计控制器，以简化系统对SD...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2009-07-07 阅读：2063 关键词：嵌入式实时图像处理系统中SDRAM控制器的实现EP2C70F896C6IS42S16160B嵌入式SDRAM控制器
DRAM是目前半导体产业中最为艰难的市场之一，因为其利润空间已经非常微薄，即便对具有成本效益的制造商而言亦是如此。因此，DRAM制造商必须在满足市场对更大存储密度和更高...
分类：其它 时间：2009-03-03 阅读：2302 关键词：影响DRAM存储密度的工艺技术分析MT46V32M8TG-6TDRAM存储
Direct Rambus DRAM实际的操作示例（写操作）如图所示。可以看出，是以每4个时钟周期的分组为单位传输指令及数据等的。 图 Direct Rambus DRAM的写操作示例 最初，利用ACT指令赋予行地址，接着利用WR指令发送...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-11-21 阅读：1613 关键词：直接总线式DRAM的操作示例直接总线式DRAM
Direct RambuS DRAM与同步DRAM等的不同在于将指令分组后进行若干次传输。在同步DRAM的情况下，说起指令，也就是通过RAS、OAS、WE信号操纵内部定序器。而在DirectRambus DRAM的情况下，指令以及器件地址等所有都通过...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-11-21 阅读：1676 关键词：直接总线式DRAM的操作概况DRAM
Direct Rambus DRAM的信号连接关系如图所示。与DDR-SDRAM的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以连续不断的方式往复的。 图 Direct Rambus DRAM的信号连接关系 异步DRAM、同步DRAM以及DDR－SDRAM等无论哪...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-11-21 阅读：1625 关键词：直接总线式DRAM的信号连接DRAM
作为Direct Rambus DRAM，我们以NEC（现在的ELPIDA公司）的pPD488448为例进行说明。该DRAM的结构为8M字×16位×32块。与DDR SDRAM等相比较，采用较多的存储块是Direct Rambus DRAM的特征之一。内部框图如图1所示，是...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-11-21 阅读：1892 关键词：直接总线式DRAM的信号DRAM
Direct Rambus DRAM（直接总线式DRAM）可以说是原来的Rambus SDRAM的升级版，在今后个人计算机的广泛应用上，人们对它给予较大的期望。图 μPD488448的内部框图 Direct Rambus DRAM内部DRAM单元本身与其他的DRAM...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-11-21 阅读：1625 关键词：直接总线式DRAM直接总线式DRAM
DDR SDRAM的写操作如图所示。仍然是与同步DRAM相同，瞪着ACT指令的发出而发出WRITE指令。但DDR－SDRAM数据不是与WRITE指令同时发出的，而是在一个时钟后赋予数据，这是与同步DRAM的不同之处。 图 DDR－SRAM的写操...
分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：3769 关键词：DDR SDRAM的写操作DDR SDRAM
DDR SDRAM的读操作如图所示。发出ACT指令后，只经过tRCD时间后发出所要进行的READ指令，这一流程是与同步DRAM相同的，是与CLK的上升沿同步进行的。从图中我们可知道，之后的数据传输是以2倍的速率进行的。 ...
分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：2511 关键词：DDR－SDRAM的操作DDR－SDRAM
DDR SDRAM的信号例如图1所示，在这里，作为4M×16位×4块结构的256M位的DDR SDRAM，我们以ELPIDA公司（NEO与日立的合资公司）的HM5425161B为例进行说明。在同步DRAM的基础上添加的信号标注了※符号，与DRAM控制器的...
分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：3911 关键词：DDR－SDRAM的信号DDR－SDRAM
同步DRAM的写操作如图所示，与读操作相同，都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。 图 SDRAM的写操作 （1）行地址与存储块编号指定 向处于IDLE状态的同步DRAM发出ACTV指令，同时赋予行地址和存储块编...
分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：1805 关键词：同步DRAM的写操作同步DRAM
同步DRAM的读操作示例如图所示，所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的，与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。 图 SDRAM的读操作 （1）行地址与存储块编号的指定 首先，因为同步DRAM处于IDLE状态...
分类：其它 时间：2008-11-21 阅读：1657 关键词：同步DRAM的读操作同步DRAM
