将CMOS反相器电路直流传输特性曲线也分为五个电性区域，即N管截止而P管非饱和导通，该区对应的输入电压条件是：0≤Vi≤VTN，称为Ⅰ区，该区输出特征是：输出电压为VO=VDD，不随输入电压变化；N管饱和导通而P管非饱和...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：4107 关键词：CMOS反相器传输特性与工作区划分
CMOS倒相器可采用的两种直流噪声容限，根据两种直流噪声容限定义和CMOS倒相器电路性能分析，CMOS倒相器可采用最大噪容作为其直流噪声容限；给出了最大噪容的要求，即要求最大高电平噪容与最大低电平噪容相等，因此，...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：4011 关键词：CMOS直流噪声容限
(1．重庆邮电学院 重庆 400065；2．信息产业部电子二十四所 重庆 400060) 摘 要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自...
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：1975 关键词：一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级1975
Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块
由IBM微电子公司的一群工程师和管理人员2002年面向无线应用领域而成立的TahoeRFSemiconductor公司专注于RF和模拟IC，最近该公司推出其首批RFIP“CoreTech”产品，包括系列CDMA接收机前端和集成压控振荡器(VCO)。
分类：通信与网络 时间：2007-04-29 阅读：1531 关键词：Tahoe推出采用SiGe BiCMOS工艺制造的无线IP模块2002
美国国家半导体公司的专有BiCMOS模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能，为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1458 关键词：BiCMOS 模拟工艺技术LMP7701LMP7711LMV651LPV7215VIP50LMV791LPV511
INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGEBICMOS工艺技术，该工艺制作了10GHz的锁相环回路（PLL）。这种10GHz的SIGEBICMOSPLL设立了高速低功耗和集成的射频（RF）IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种P
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1183 关键词：高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术
美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高...
分类：模拟技术 时间：2007-04-29 阅读：1284 关键词：iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性
最近几年，我们已经开始看到一些有关射频(RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。本文将探讨这类RF所指代的真正含义，并阐述它们对RF电路设计人员的重要性。 我们可以从三个角度对RF CMOS设计进行...
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1509 关键词：CMOS RF模型设计指南
CMOS比较器电路原理图.源于电子科技大学某同学CMOS比较器方面的毕业论文. 集成电路教育网版权所有!
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2596 关键词：CMOS比较器原理图
CMOS工艺复接器模块中选择器的设计窦建华、陈守府、许良凤（合肥工业大学计算机与信息学院安徽合肥230009）1引言众所周知，组织通信的一个缺点是他需要的信道带宽比较大，而光纤中数据传输比特率理论上可以达到Tb/S...
分类：通信与网络 时间：2007-04-29 阅读：1667 关键词：CMOS工艺复接器模块中选择器的设计
一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路西安电子科技大学CAD所潘华兵来新泉贾立刚引言在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2558 关键词：一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路
基于I2C总线的CMOS图像传感器接口电路设计黄全平，周荣政，席占国，张原，洪志良(上海复旦大学微电子系，上海200433)摘要：详细阐述了一种用于百万像素数码相机的CMOS图像传感器接口电路设计及其VLSI实现：文章按照...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-04-29 阅读：2971 关键词：基于I2C总线的CMOS图像传感器接口电路设计OV96202004MCM20027
E-GOLDradio CMOS 单芯片解决方案成就低成本 GSM 系统
E-GOLDradioCMOS单芯片解决方案成就低成本GSM系统英飞凌科技公司MarkusHammes博士,AndreHankeE-GOLDradio是英飞凌科技公司在利用标准CMOS技术实现数字、混合信号和射频功能的一种GSM单芯片集成方案。E-
分类：单片机与DSP 时间：2007-04-29 阅读：1256 关键词：E-GOLDradio CMOS 单芯片解决方案成就低成本 GSM 系统
超高速度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术
1.技术概览： 第三代完全电介质绝缘的互补 SiGe BiCMOS 工艺 (BiCom3) 针对超高速高模拟集成电路而设计。上述器件的工作电压为 5V，可在广泛的温度范围内工作，其 fT 的范围为 15-20 GHz，fmax 的值则达 40-5...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：123 关键词：超高速精确度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术25001000100MHZ30MHZ72DB60MHZ
针对窄带和多信道系统的CMOS射频发射器芯片CC1070及其应用
１ 主要特点和引脚功能ＣＣ１０７０是Ｃｈｉｐｃｏｎ公司推出的用于窄带和多信道系统的ＣＭＯＳ射频发射器芯片，可用于自动仪表读取、安全警告、远程无键登录和轮胎气压监视系统，也可用于其它要求高灵敏度及选择性...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1247 关键词：针对窄带和多信道系统的CMOS射频发射器芯片CC1070及其应用
摘要：介绍一种用于卫星姿态测量的CMOS图像敏感器--STAR250的时序驱动信号，并使用Verilog HDL语言设计驱动时序电路。经布线、仿真、测试后验证了驱动信号的正确性。 关键词：Verilog HDL STAR250 CMOS 图像敏感器CM...
分类：其它 时间：2007-04-28 阅读：1318 关键词：基于Verilog HDL的CMOS图像敏感器驱动电路设计
