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CMOS

一种0.18um 2.4GCMOS低噪声放大器的设计

1 引言随着无线通信技术的小断发展,系统要求更高的集成度,更强的功能以及更低的功耗。同时,CMOS技术已经发展到深亚微米水平,使得CMOS器件的高频特性得到进一步改善,已经能与锗硅和砷化钾器件相媲美。另外,CMOS...

分类:模拟技术 时间:2007-06-14 阅读:2442 关键词:一种0.18um 2.4GCMOS低噪声放大器的设计

常用CMOS模拟开关功能和原理

开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或释放,其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关,它不象继电器那样可以用在...

分类:其它 时间:2007-06-08 阅读:9648 关键词:常用CMOS模拟开关功能和原理CD4066CD4053CD4051CD4052CD4017CD40192CD4067

低电压CMOS运算放大器输入级的研究

近年来,电子产品不断向小型化和便携式方向发展,需要低电压、低功耗的集成电路,以延长电池的使用寿命。CMOS技术可以将包括数字电路和模拟电路的整个系统同时封装和制造在一个芯片上。因此,低电压、低功耗的要求,...

分类:模拟技术 时间:2007-06-06 阅读:1939 关键词:低电压CMOS运算放大器输入级的研究

基于VerilogHDL的CMOS图像敏感器驱动电路设计

CMOS图像敏感器是近年来兴起的一类固态图像传感器。CMOS图像敏感器具有低成本、低功耗(是CCD耗的1/1000~1/100)、简单的数字接口、随机访问、运行简易(单一的CMOS兼容电池供给)、高速率(可大于1000帧/秒)、体积小以...

分类:其它 时间:2007-05-30 阅读:1529 关键词:基于VerilogHDL的CMOS图像敏感器驱动电路设计

CMOS触发器在CP边沿的工作特性研究

对时钟脉冲(简称CP)边沿时间的要求,是触发器品质评价的重要指标之一。触发器只有在CP边沿陡峭(短的边沿时间)的条件下工作,才能保证其可靠性。文献[1]指出,CMOS电路的基本触发单元是由传输门和或非门组成的主从结...

分类:其它 时间:2007-05-24 阅读:4212 关键词:CMOS触发器在CP边沿的工作特性研究74HC74CD401374HC107CD402774HC7374HCT107CD400074HCT74HC

一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路

摘要:本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术,工作电压可达1.5V,在负载电容为60pF条件下,工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计思想...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:2372 关键词:一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路

英飞凌 推出双频段RF-CMOS收发器芯片

英飞凌科技股份公司今日宣布已成功完成一款具备双频段超宽带(Ultra-Wideband)射频(RF)收发器芯片的定型工作。这项突破是以该公司成熟的低功耗CMOS工艺为基础,为各类移动终端如手机、个人数字助理(PDA)、可携式...

分类:物联网技术 时间:2007-04-29 阅读:1429 关键词:英飞凌 推出双频段RF-CMOS收发器芯片200720052010

Cypress 900万像素APS CMOS传感器

赛普拉斯半导体公司(CypressSemiconductor)今天宣布向客户供应其面向高端数码相机(DSC)的新型900万像素CMOS图像传感器商用样片。该新款经济高效型图像传感器提供了低暗电流和低噪声,堪与价格更高的电荷耦合器件...

分类:传感技术 时间:2007-04-29 阅读:1325 关键词:Cypress 900万像素APS CMOS传感器200637102434

CMOS电路注意事项

1、电源CMOS集成电路工作电压一般为+3V~+18V,当系统中有门电路的模拟应用时,如做为脉冲振荡、线性放大,则工作电压应不低于+4.5V。2、驱动能力为了增加CMOS电路的驱动能力,除了选用驱动能力较大的缓冲器外,还可...

分类:电源技术 时间:2007-04-29 阅读:1378 关键词:CMOS电路注意事项

Atmel推出2.5M像素CMOS工业照相机

Atmel近日推出ATMOS的新成员,区域扫描CMOS照相机家庭为工业机器------视觉应用做出贡献。附加成员ATMOS2M30和ATMOS2M60是快速CMOS区域扫描照相机,它们能以8,10或者12比特进行工作,并能提供极好的动态漫游。特殊...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1761 关键词:Atmel推出2.5M像素CMOS工业照相机ATMEL2006

Fairchild 15MBd高速CMOS光耦合器

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FOD0708(单信道)和FOD0738(双信道)15MBd光耦合器,提供业界最高的额定共模噪声抑制(CMR),同时具有工业控制应用所需的高带宽(每秒15Mbit)及低功耗等特

分类:物联网技术 时间:2007-04-29 阅读:1834 关键词:Fairchild 15MBd高速CMOS光耦合器8482S0-8FOD0708

3G中的CMOS基RF集成

用户需要更小更便宜的手机,在手持装置中得到快速服务和更多功能。这正在促使业界加速创新解决方案,降低成本使产品尽快上市。这种外加压力,使制造商重新考虑解决这些问题的技术。硅技术和集成关键元件单元(如RF收...

分类:物联网技术 时间:2007-04-29 阅读:1430 关键词:3G中的CMOS基RF集成19.2MHZ

Linear 50uA CMOS 放大器

凌特公司(LinearTechnologyCorporation)推出在的可能电源电流上提供卓越DC精确度的新型CMOS放大器系列。凭借与最佳精准双极放大器相似的输入DC特性,LTC6078双路和LTC6079四路运算放大器实现了规格的突破性组

分类:模拟技术 时间:2007-04-29 阅读:1433 关键词:Linear 50uA CMOS 放大器LINEARMSOPLTC6079LTC6078

ADI 高端数据采集应用iCMOS开关

关于ADG1233/ADG1234模拟开关按照ADI公司拥有专利权的iCMOSTM(工业CMOS)工艺生产的ADG1233和ADG1234单刀双掷(SPDT)模拟开关采用±12V或±15V双电源工作,从而提供业界的电容和电荷

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:1417 关键词:ADI 高端数据采集应用iCMOS开关ADG1233ADG1234

CMOS-IC电路

你知道什么是 CMOS-IC 吗? 点开看看不就知道了?CMOS-IC 为什么会成为当今微电子领域的一大热点呢?当然是由于它优良的 性能特点 决定的喽!告诉你CMOS电路的使用规则吧!设计CMOS电路时,应了解 JEDEC工业标准在使用CMO...

分类:模拟技术 时间:2007-04-29 阅读:1361 关键词:CMOS-IC电路

标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

崔增文1,何山虎1,陈弘达2,毛陆虹2,高建玉1(1.兰州大学微电子研究所,甘肃兰州730000;2.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083)摘要:从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析...

分类:PCB技术 时间:2007-04-29 阅读:2223 关键词:标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望2002200320012000ADS54211999200MHZ

CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择

(1)p阱工艺实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来的,因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差,使...

分类:其它 时间:2007-04-29 阅读:4836 关键词:CMOS集成电路工艺 体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择1963

Design of VLSI CMOS集成电路的物理结构

价电子在获得一定能量(温度价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可脱原升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个负电),同时共价键中留下...

分类:PCB技术 时间:2007-04-29 阅读:1512 关键词:Design of VLSI CMOS集成电路的物理结构

CMOS反相器

所谓CMOS(ComplementaryMOS),是在集成电路设计中,同时采用两种MOS器件:NMOS和PMOS,并通常配对出现的一种电路结构。CMOS电路及其技术已成为当今集成电路,尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。CMOS结...

分类:PCB技术 时间:2007-04-29 阅读:5339 关键词:CMOS反相器

CMOS反相器的直流特性

CMOS反相器是CMOS门电路中最基本的逻辑部件,大多数的逻辑门电路均可通过等效反相器进行基本设计,再通过适当的变换,完成最终的逻辑门电路中具体晶体管尺寸的计算。所以,基本反相器的设计是逻辑部件设计的基础。CM...

分类:电源技术 时间:2007-04-29 阅读:3281 关键词:CMOS反相器的直流特性

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