瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP，封装形式是WPAK(瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装，尺寸仅有5.3×6.1×0.8mm(最大)，用于笔记本电脑、通信设备及类似产品的DC-
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2433 关键词：Renesas 两个功率MOSFET的HAT2210WP
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36V至75V）及48V固定输入系统。新芯片组专为隔离式或非隔离式DC-DC转换器应用而设计，可提升系统层面的电源...
分类：工业电子 时间：2007-04-29 阅读：1556 关键词：IR MOSFET及控制芯片组方案IR2086SIRF6613IRF6614IRF6644IRF6655
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100VHEXFETMOSFET。这款新推出的MOSFET具有极低的导通电阻（例如，100V产品IRFB4310的
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2987 关键词：IR AC-DC同步整流MOSFETIRFB3207TO-220IRFB4310
安森美半导体（ONSemiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决方...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1901 关键词：安森美新型低压沟道MOSFETNTZD3154NT1NTA4153NT1NTA4151PT1NTZS3151PT1NTZD3152PT1SOT-563NTE4151PT1NTE4153NT1SC-75SC-890.8MM
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出一款新型160A额定电流、七引脚的IRF2907ZS-7PPbFMOSFET，进一步扩大了高性能75V及100VHEXFET同步整流MOSFET器件的阵营。新器件160
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1712 关键词：IR新型160A D2Pak MOSFETIRF2907ZSIRF2907ZS-7PPBFRECTIFIER
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出两款新型的30VDirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1456 关键词：IR DirectFET MOSFET芯片组IRF6617IRF6611IRF6637IRF6678
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出一款新型60VDirectFET功率MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。单个采用SO-
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2290 关键词：IR推出新型DirectFET MOSFETIRF6648
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2125 关键词：IR推出100V集成MOSFET方案IRF4000SOT-223
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1641 关键词：TI 推出4A高速MOSFET驱动器8226TPS40091TPS28225
Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的DPAK和SO8封装。两款率先问世的微型器件包括5引...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1521 关键词：可实现更小有源箝位的高压P沟道MOSFETSOT223SOT23ZXMP2120G4
当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通，造成工作电流泄漏，使器件电路性能变差，乃至失效。预防措施：（1）增厚场氧厚度t’...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1907 关键词：场区寄生MOSFET
MOSFET是Metal-Oxide-SiliconFieldEffectTransistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压VGS实现对水平IDS的控制。
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：11113 关键词：MOSFET的结构及基本工作原理8710
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1101 关键词：一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放
降压式DC/DC转换器的MOSFET选择北京航空航天大学方佩敏同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1597 关键词：降压式DC/DC转换器的MOSFET选择FDD6682FDD6696IRF6617FAN5009SI7390DPSI7356DPNTMFS4108NMAX8720FAN5019B
瑞萨用于电池充电器的功率MOSFETRenesasPowerMOSFETsforBatteryChargerRenesas公司功率MOSFET应用发展趋势功率MOSFET有着各种各样的应用，如电源管理、交流-直流电源转换、直流-直流电源转换、UPS
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1975 关键词：瑞萨用于电池充电器的功率MOSFETHAT1048RHAT2165HHAT2168H
灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究郭丽娜，陈星弼1引言20世纪70年代出现了世界性的能源危机，电力电子技术实现对电能的高效能变换和控制，其发展为节约能源做出了巨大贡献。在电能传输与转换（包括绿...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1780 关键词：灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究
适用于PSPICE图形化输入的四端口 MOSFET模型的创建
适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建霍明旭，丁扣宝（浙江大学信息与电子工程学系微电子所，杭州310027）1引言MOSFET现已成为微处理器与半导体存储器等先进集成电路(IC)中最主要的器件单元，它尺寸小、...
分类：单片机与DSP 时间：2007-04-29 阅读：3271 关键词：适用于PSPICE图形化输入的四端口 MOSFET模型的创建
安森美半导体（ONSemiconductor）于2006年6月5日推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品µCool™系列，新推出的首六款µCool™器件采用强化散热的超小型WD
分类：PCB技术 时间：2007-04-28 阅读：1385 关键词：安森美 推出新功率MOSFET产品系列8482
摘要：介绍了大电流便携式DC/DC中MOSFET的迭代流程和功耗计算。 关键词：便携式DC/DC；功率损耗；迭代流程；热阻；结温引言众所周知，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。...
分类：电源技术 时间：2007-04-28 阅读：2342 关键词：大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗的计算SOT223SOT23SOT89
