安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件
—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU...
分类：电源技术 时间：2007-09-21 阅读：1765 关键词：安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件NTD4805NNTD4806NNTD4808NNTD4809NNTD4810NNTD4813NNTD4815NNTD4804N
提高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中。此外，由于采用了电子换向器代替机械换向装置，三相无刷直流电机被认为可靠性更高。...
分类：其它 时间：2007-07-31 阅读：2589 关键词：巧用快速恢复MOSFET，简化三相逆变器拓扑设计STD5NK52ZD
NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2007-07-31 阅读：1745 关键词：NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品TO-252TO-263
Vishay 推出75V 2A半桥式MOSFET驱动器SiP41111
Vishay推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。这款新型SiP41111尤其适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75VMOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管，以及各种终端产品中的高...
分类：其它 时间：2007-07-19 阅读：2061 关键词：Vishay 推出75V 2A半桥式MOSFET驱动器SiP41111HIP2100VISHAYHIP2101SOIC-8
Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFET
Vishay推出七款采用新型 PowerPAK ChipFET 封装的 p 通道功率 MOSFET，该封装可提供热性能，其占位面积仅为 3mm×1.8mm。 这些新型 PowerPAK ChipFET 器件的热阻值低 75%，占位面积小 33%，厚度（0.8 毫米）薄 23%，...
分类：电源技术 时间：2007-07-19 阅读：2217 关键词：Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFETVISHAYTSOP-6
1 引言 20世纪70年代出现了世界性的能源危机，电力电子技术实现对电能的高效能变换和控制，其发展为节约能源做出了巨大贡献。在电能传输与转换（包括绿色电源产品）中，如何减少能源损耗已成为很重要的研究方向。80...
分类：电源技术 时间：2007-07-19 阅读：4755 关键词：功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究SMARTINTEGRATED
引言 功率金属氧化半导体场效应晶体管 (Power MOSFET) 是当今电源中广泛使用的开关器件。功率 MOSFET 的工作频率不断提高，以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率 (di/dt)，增强了寄生电感的负面作...
分类：其它 时间：2007-07-19 阅读：2215 关键词：确定功率MOSFET的适用性FQA9N90CFQA11N90C
Microchip 0.5A 小型MOSFET驱动器MCP140X
Microchip推出MCP1401及MCP1402(MCP140X)单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计，额定峰值输出电流均为0.5A，工作电压范围则宽达4.5V至18V。这些器件兼具
分类：其它 时间：2007-07-17 阅读：2088 关键词：Microchip 0.5A 小型MOSFET驱动器MCP140XSOT-23
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体...
分类：电源技术 时间：2007-06-08 阅读：6664 关键词：功率场效应晶体管MOSFETIRFP450UC3724UC3725
图1所示的电路可在实验仪器中的一组大容量离子偏转板上提供20MHz方波。为了获得所需的偏转量，偏转板电压必须达到20～30V，远大于普通逻辑电路系列或驱动器系列所能提供的电压。为了减小人为寄生信号，上升时间和下...
分类：其它 时间：2007-06-02 阅读：1982 关键词：用作超快速离子偏转板驱动器的MOSFETADUM1100BRTO220DEIC420
器件: IN5819图1，调制方法使人们有可能在很宽的占空因子范围内实现功率 MOSFET 的隔离式栅极驱动电路。 图 1 所示电路主要用途是用于驱动频率范围为 1 Hz 至 300 kHz、占空因子为 0 ~ 100%的功率 MOSFET。使用一...
分类：其它 时间：2007-06-02 阅读：2096 关键词：具有宽占空因子范围的隔离式MOSFET驱动器IN5819
用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热
引言使用生产厂封装的功率MOSFET器件，可以大幅度地提高多相稳压器组件(VRM)的功率密度。电流密度的提高是由两个因素决定的：1. 封装的寄生阻抗降低了；2. 功率器件的半导体结和外界环境之间的热阻大幅度地减少了。...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：2259 关键词：用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热SO-8
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。 功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比...
分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：107 关键词：大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术TC4427TC4431TC1411NTC4427ATC4428A1000PF
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出新型的DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1532 关键词：IR 用于DC-DC降压转换的MOSFET130AIRF6633IRF6619SO-82.2M
国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665DirectFET™MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（THD）、功率密度等性能。D类放大器应用广
分类：物联网技术 时间：2007-04-29 阅读：1667 关键词：IR D类音频功放用 MOSFET8482IRF6665100W
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的Su
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-04-29 阅读：1436 关键词：Fairchild小尺寸互补对称MOSFET2005FDC6020C84820.8MM
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7mΩ(典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品...
分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：1281 关键词：瑞萨发布 P沟道功率MOSFETHAT1072H
