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SQ2319ADS-T1_BE3

更新时间:2025-05-27 23:00:23

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SQ2319ADS-T1_BE3
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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SOT23/22+
原装现货支持实单

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优势
66989
VISHAY
SOT23/2216+
原装支持实单

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9800
VISHAY
SOT23/24+
原装 BOM一站配单

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100000
VISHAY
SOT23/-
-

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47000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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6740
VISHAY
SOT23/2023+
公司现货库存，假一赔十

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21430
VISHAY/威
SOT23/23+
原装现货，长期供应

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364253
VISHAY/威世
SOT23/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

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5010
VISHAY
SOT23/23+
公司现货只做原装

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6740
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SOT23/23+
只做原装

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Vishay(威世)
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

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7764
VISHAY(威世)
SOT233(TO2363)/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

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12000
VISHAY
SOT23/23+
全新原装，假一罚十

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3000
VHY
-/-
订货、调货

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75530
VISHAY
SOT23/24+
原装不仅销售也回收

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16369
Vishay Siliconix
TO2363SC59SOT233/23+
瑞智芯只有原装原装订货

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6740
VISHAY
SOT23/23+
只做原装

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VISHAY
SOT23/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

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62500
VISHAY
SOT23/-
原装最低价，认准华盛锦

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VISHAY
SOT23/23+
只做原装

SQ2319ADS-T1_BE3
TDA7388 国
300000
VISHAY(威世)
SOT233(TO2363)/23+
一级代理商可提供技术方案支持

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6740
VISHAY
SOT23/23+
只做原装

SQ2319ADS-T1_BE3
10000
VISHAY(威世)
SOT233(TO2363)/24+
原装现货

SQ2319ADS-T1_BE3
20918
VISHAY
SOT23/2024
原装现货上海库存，欢迎咨询

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128000
VISHAY
SOT23/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

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3000
VISHAY(威世)
SOT233(TO2363)/20+
20+

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153000
VISHAY
SOT23/-
原装原盘原盒可追溯

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SOT23/24+
只做原装，BOM表配单

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-/21+
有挂就有，毋庸置疑，原装现货

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153000
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SOT23/23+
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SOT23/23+
只做原装

深圳市程涵电子有限公司
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22+/NA
-

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Vishay(威世)
TO2363SC59SOT233/-
只做原装，可回收IC,寻求渠道合作

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153000
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SOT23/2216+
全新原装

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39000
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SOT23/23+
原装实惠-支持月结

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Vishay(威世)
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主营Vishay 全新原装

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NA/24+
高价回收电子料

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Vishay(威世)
TO2363SC59SOT233/22+
原装

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SQ2319ADS-T1_BE3 概述

SQ2319ADS-T1_BE3是一款由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用先进的功率半导体工艺制造，适用于需要高效能开关的电源管理应用。其最大漏源电压(VDS)为-20V，适合在低压电路中使用。典型应用场景包括便携式设备、电池供电系统以及各种消费类电子产品的负载开关和电源管理。 SQ2319ADS-T1_BE3具有低导通电阻(RDS(on))特性，在4.5V栅极驱动下典型值仅为28mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统效率。封装形式为SOT-23，体积小巧，便于高密度PCB布局设计。由于其出色的热稳定性和电气性能，它也常用于DC-DC转换器和充电保护电路中。在实际应用时，需注意合理选择栅极驱动电压以确保最佳导通性能，并避免超出最大额定参数以免损坏器件。

SQ2319ADS-T1_BE3 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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