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NTMS7N03R2G

更新时间:2025-06-08 08:19:36

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NTMS7N03R2G
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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中国电子供应商
SOP/DIP/2017+
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90000
ON/安森美
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一级代理现货，保证进口原装假一罚十价格合理

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原装现货

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原装部分现货量大期货

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原装现货支持实单

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SOP8/17+
全新原装进口现货，假一罚十，欢迎询价。

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SMD/20+
优势库存，特价出售一站式配单服务

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N/A/22/23+
主营系列询价不问TP

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高端大芯片完美替代

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保证原装正品现货

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别划了原厂原装，有货的

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只做原厂原装假一罚十可含税

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全新原装现货特价热卖

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大量现货提供一站式配单服务

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SOP8/20+
原装现货库存价钱优势联系电话 13692265127 /178761...

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SOP8/0624+
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原厂原装现货,提供一站式配单服务

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全新原装现货，支持免费送样

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onsemi(安森美)
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原装库存，提供优质服务

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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

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SOP8/23+ROHS
原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

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原装现货，可提供订货服务

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原厂原装现货

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只有原装原装，支持BOM配单

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ON(安森美)
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现货十年以上分销商,原装进口件,服务型企业

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原装现货

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N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销

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原装最低价，认准华盛锦

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ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NTMS7N03R2G 概述

NTMS7N03R2G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。基础描述方面，NTMS7N03R2G的最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达7A，栅极阈值电压范围在1V至2.5V之间，这使得它非常适合用于低压电路设计。其小尺寸封装不仅节省了PCB空间，还便于集成到紧凑型电子设备中。典型应用场景包括负载开关、电源管理模块、直流-直流转换器以及电池供电设备中的功率控制等。由于其出色的热性能和电气性能，在手持设备、消费类电子产品以及工业控制系统等领域广泛应用。使用时应注意保持良好的散热条件，并确保驱动电压满足要求以实现最佳的导通电阻和开关速度。

NTMS7N03R2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1190pF @ 25V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMS7N03R2GOSNTMS7N03R2GOS-NDNTMS7N03R2GOSTR

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