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NTMD3P03R2G

更新时间:2025-07-06 10:39:34

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ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NTMD3P03R2G 概述

NTMD3P03R2G是ON Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET。该MOSFET的最大漏极-源极电压为-30V，适用于低侧负载开关和电源管理应用。其导通电阻较低，在栅极电压为-10V时典型值仅为0.045Ω，有助于降低功耗。该器件采用小型TSOP-6封装，节省了电路板空间，非常适合便携式设备使用。在DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等需要高效功率控制的应用场景中表现良好。设计电路时应注意正确选择栅极驱动电压以确保可靠导通，并合理布局走线以减小寄生电感影响。

NTMD3P03R2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫欧 @ 3.05A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 24V
功率 - 最大
730mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
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