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NTHD4102PT1G

更新时间:2025-07-03 13:39:32

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NTHD4102PT1G 概述

NTHD4102PT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用PicoFoot封装，具有超小尺寸特点，适合高密度电路板设计。其最大漏源电压为40V，在栅源电压为4.5V时，导通电阻典型值为3.8mΩ，能够承受高达7.6A的连续漏极电流。这款MOSFET适用于电池供电设备、负载开关和电源管理等应用场合。在便携式设备中作为高效开关使用，可降低功耗并延长电池续航时间。由于其小巧的封装形式，也常被用于空间受限的设计中。在实际应用时需注意驱动电压要足够保证MOSFET处于良好导通状态，以减小导通损耗。同时，要考虑散热设计以确保器件工作在安全温度范围内。

NTHD4102PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 16V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTHD4102PT1GOSNTHD4102PT1GOS-NDNTHD4102PT1GOSTR

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