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NTD40N03R

更新时间:2025-06-10 21:53:58

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NTD40N03R 概述

NTD40N03R是由ON Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和高电流能力，适用于多种电源管理应用。该器件最大漏源电压为30V，在25℃下连续漏极电流可达40A，非常适合用于直流-直流转换器、负载开关以及电池管理系统中。在实际应用中，NTD40N03R常被用作低侧开关，能够有效降低功耗并提高系统效率。由于其低栅极电荷特性，可以实现快速开关切换，有助于减少开关损耗。设计时需注意栅极驱动电压的选择，确保完全开启MOSFET以获得最佳性能。在PCB布局上，尽量减小源极和漏极端子之间的走线长度，以降低寄生电感对电路的影响。此外，还需考虑散热设计，保证器件在大功率工作条件下稳定运行。

NTD40N03R 规格参数

制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
25 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
45 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.0126 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK
封装
Tube
下降时间
3.5 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
20 S
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
2.1 W
上升时间
19.5 ns
工厂包装数量
75
典型关闭延迟时间
16.7 ns

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