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FQPF7N65C

更新时间:2025-07-03 13:56:40

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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F

封装:TO-220-3 整包

FQPF7N65C 概述

FQPF7N65C是Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用TO-220F封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其最大漏极 - 源极电压为650V，连续漏极电流可达7A，适用于高频开关电源、DC - DC转换器以及逆变器等功率转换应用。在具体应用中，由于其低栅极电荷特性，可实现高效快速的开关操作，减少开关损耗。使用时需注意驱动电路的设计，确保栅极驱动电压在规定范围内以保证最佳性能。对于高压应用场合，要特别关注PCB布局中的爬电距离和电气间隙，避免发生电气击穿现象。在设计电路时，可以参考官方提供的典型应用电路，如反激式变换器电路，以充分发挥该MOSFET的优势。

FQPF7N65C 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 欧姆 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1245pF @ 25V
功率 - 最大
52W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220F
包装
管件

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