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FP50R12KE3

更新时间:2025-06-17 15:07:58

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FP50R12KE3
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
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优势
3000
Infineon
-/23+
一级代理IGBT模块可控硅模块整流桥二极管

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优势
888
英飞凌/INFINEON
IGBT/21+
一级代理，原装进口，现货库存，当天发货

FP50R12KE3
优势
150
infineon
-//2018+
原装现货上海库存专营进口元件

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优势
12
infineon
-/1001
原装

FP50R12KE3
优势
5000
英飞凌Infineon
tube/25+
只做全新原装，原厂渠道现货

FP50R12KE3
优势
16588
英飞凌Infineon
MODULE/22+
全新原装现货主营IGBTMOS管二极管晶闸管可控硅熔断

FP50R12KE3
优势
34
Infineon
-/11+
50A,1200V

FP50R12KE3
优势
500
infineon/英飞凌
-/22+
全新原装现货，联系电话

FP50R12KE3
优势
100
INFINEON
module/24+
进口全新原装

FP50R12KE3
优势
136
INFINEON
MODULE/23+
原装库存价格优势质量保证

FP50R12KE3
优势
9999
Infineon英飞凌
Tray/25+
现货库存发货拍照

FP50R12KE3
优势
999
Infineon/英飞凌
-/23
一级代理现货供应

FP50R12KE3
优势
6055
Infineon
-/22+
全新原装进口 IGBT模块可控硅晶闸管熔断器质保一年

FP50R12KE3
优势
6000
英飞凌Infineon
Tray/22+
158

FP50R12KE3
优势
5000
德国英飞凌
-/25+
全新原装德国英飞凌IGBT模块

FP50R12KE3
优势
261
英飞凌
-/22+
只做原装

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8888
Infineon
-/22+
全新原装进口正品IGBT模块功率模块现货直销质保一

FP50R12KE3
600
INFINEON
IGBT/22+
IGBT模块晶闸管二极管集成电路(IC) 英飞凌封装

FP50R12KE3
9999
英飞凌Infineon
Tray/25+
全新原装，原厂渠道现货

FP50R12KE3
49
EUPEC
-/18+
只做原装正品货，支持实单

FP50R12KE3
51953
Infineon
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

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7600
Infineon
MODULE/22+
原装

FP50R12KE3
374
INFINEON
-/14+
原装现货热卖

FP50R12KE3
1000
INFINEON
MODULE/24+
全新原装现货

FP50R12KE3
TDA7388 国
300000
Infineon(英飞凌)
AGECONO33/23+
一级代理商可提供技术方案支持

FP50R12KE3
20000
INF
NA/18+
原装正品

FP50R12KE3
56
INFINEON
IGBT/17+
全新原装进口现货，假一罚十，欢迎询价。

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8000
INFINEON
MODULE/23+
原装现货只做原厂原装优势库存自家库存

FP50R12KE3
530
英飞凌IGBT
-/-
深圳原装现货长期供应中价格优势科

FP50R12KE3
12260
EUPEC
-/23+
高品质优选好芯

FP50R12KE3
9200
INFINEON/英飞凌
MODULE/23+
只做原装更多数量在途订单

FP50R12KE3
508
INFINEON
-/18+
特价优势库存，质量保证稳定供货

FP50R12KE3
32363
infin
-/19+
原装特价提供样品

FP50R12KE3
68500
INFINEON
IGBT/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

FP50R12KE3
887000
INFINEON
-/-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827

FP50R12KE3
6607
INFINEON/英飞凌
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货

FP50R12KE3
47328
INFINEON
-/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十

FP50R12KE3
34
Infineon
-/11+
50A,1200V

FP50R12KE3
1460
Infineon
EconoPIM3/2025+
原装有货

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2400
欧派克
-/2025+
原装优势有货

FP50R12KE3
51953
Infineon
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

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FP50R12KE3 规格参数

制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
270 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
EconoPIM3
栅极/发射极最大电压
+/- 20 V
最小工作温度
- 40 C
安装风格
Screw
工厂包装数量
500

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