GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。 这项工作首先获取传感器响应...
这是石英晶体的等效电路： 让我们明确一点：石英晶体就是石英晶体。如果你用锤子敲击晶体，它不会损坏电感器、电阻器和两个电容器。然而，石英晶体具有（在我看来相当神秘的）机电特性，这些特性导致晶体在电子电...
几乎每个电子系统的可靠运行都依赖于准确的定时参考。石英晶体具有高品质因数，可提供可靠、稳定且经济高效的计时解决方案。作为一种机电器件，石英晶体不像电阻器、电容器...
振荡器的负阻模型 晶体的等效电路如图1 所示。 图 1. 晶体的等效电路。图片由意法半导体提供。 运动电阻 (R m ) 使电路产生损耗并耗散功率。为了使晶体启动并维持...
如果我们尝试将pn结焊接到np结，我们会得到如图 1 所示的器件，其中字母 E、B 和 C 分别表示发射极、基极和集电极。这些是分配给三个区域p、n、p的名称。 这样我们就创...
在本文中，我们将了解各种晶体管的符号。 相关信息 AAC教材中逻辑门、锁存器和触发器的符号 双极结型晶体管的符号 什么是 BJT？ 双极结型晶体管 (BJT) 由三层半导体材料组成。它们可以排列为 NPN 或P...
在本系列的第一部分中，我们研究了一些用于表征石英晶体频率偏差的重要指标。 在本文中，我们将讨论影响振荡频率的另一个重要因素：晶体的负载电容。本文还深入研究了一些...
分类：元器件应用 时间：2023-11-08 阅读：0
晶体的负载电容：一个关键因素 许多石英晶体振荡器，例如 Pierce、Colpitts 和 Clapp 型拓扑，都在其感性区域（图 1所示的电抗曲线中的f s和 f a之间）操作晶体。 图...
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得最大利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源...
微型自感晶体管恒温器使用单个晶体管（BJT 或 FET）充当温度传感器和稳定加热器。这些晶体管恒温器（如果设计良好）是一种有效、高效且廉价的方法，可维持单个组件（传感器...
本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域最广泛使用的材料之一。还讨论了它的属性、为什么它在某些设备上高度适用以及它在某些条件下的行为方式。特别是...
时间：2023-09-07 阅读：355 关键词：晶体振荡器
本应用笔记介绍了 ISL73096RH/ISL73127RH/ISL73128RH 晶体管阵列，并重点介绍了采用这些特色晶体管阵列设计射频放大器。本笔记提供了匹配（800 MHz 至 2500 MHz）高增益低...
分类：电源技术 时间：2023-08-23 阅读：1152 关键词：ISL73xxxRH
组装精密温度控制系统通常会带来两个特殊的设计挑战： 准确且经济高效地感测要控制的温度。 通过控制电路闭合温度传感器与热源和/或冷却源之间的反馈回路，包括高增...
GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽，可实现非常快速的开关转换，即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而，快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体...
时间：2023-08-10 阅读：617 关键词：GaN 晶体管
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
图 1 所示的 Science Fair 150 合 1 电子项目套件页面中的电路将稍作修改。将使用无焊面包板和现代电子元件来讨论和说明经典电路。此外，还将使用 Multisim Live 和 Autode...
分类：光电显示/LED照明 时间：2023-07-11 阅读：1438 关键词：LED 显示屏
