飞思卡尔50V LDMOS RF功率晶体管输出功率相较高出50％
飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHFTV广播解决方案高50%。MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数，是同类UHF应用中最高输出功率的，同时它还能够降低系统级...
分类：电源技术 时间：2008-06-03 阅读：1726 关键词：飞思卡尔50V LDMOS RF功率晶体管输出功率相较高出50％20082009DVB-TROHS
根据我国晶体管命名方法确定，截止频率大于等于3MHz的为高频管，小于3MHz的为低频管。在晶体管的型号脱落的情况下，可通过测量晶体管发射结反向击穿电压V(BR)ebo。的方法，区分高频小功率晶体管和低频小功率晶体管。...
分类：元器件应用 时间：2008-04-18 阅读：2322 关键词：万用表判断小功率晶体管是高频管还是低频管
Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，R...
分类：通信与网络 时间：2007-12-15 阅读：1379 关键词：瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器
FREESCALE采用它的第七代高压(HV7)RFLDMOS技术,推出工作在3.5GHz波段的WiMAX基站的RF功率晶体管.这是第一个采用这种技术(RFLDCMOS)制造的功率晶体管,其它制造商从未解决过这样的问题.FREESCALE已能提供12
分类：物联网技术 时间：2007-12-15 阅读：2426 关键词：Freescale用于WiMAX基站的RF功率晶体管
对抗LCD/PDP竞争，ST新型功率晶体管打造“超薄”CRT
意法半导体(ST)日前推出一系列高压功率双极晶体管，代号为HD1的系列产品专为超薄高清CRT(阴极射线管)显示器设计，能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。传统的CRT显示器目前被占用空间小的基于LCD(液晶显示...
分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：1630 关键词：对抗LCD/PDP竞争，ST新型功率晶体管打造“超薄”CRTHD1750FXHD1760JLHD1520FX
泰科电子(TycoElectronics)旗下M/A-COM公司日前推出专用于航空和脉冲雷达等应用的双极功率晶体管与功率模块产品。PH1090-700B双极晶体管主要面向1,030MHz至1,090MHz频段的IFF和其它航空应用。在32μs脉宽和
分类：元器件应用 时间：2007-12-07 阅读：1856 关键词：泰科电子推出功率晶体管和功率模块 专用于航空雷达PH1214-300MPH1090-700B
泰科电子(TycoElectronics)旗下M/A-COM公司日前推出专用于航空和脉冲雷达等应用的双极功率晶体管与功率模块产品。新推的PH1090-700B双极晶体管主要面向1,030MHz至1,090MHz频段的IFF和其它航空应用。在32μs
分类：其它 时间：2007-12-07 阅读：1687 关键词：M/A-COM新增功率晶体管和功率模块组合
飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能
飞思卡尔半导体推出7款性能卓越的LDMOSRF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。Doherty架构迅速成为行业标准，提供非常出色的效率，但也为设计带来挑战，因为同时要求高效...
分类：通信与网络 时间：2007-12-05 阅读：1590 关键词：飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。SOT23器件的面积仅为2.5毫米...
分类：模拟技术 时间：2007-12-05 阅读：1796 关键词：Zetex推出SOT23封装的新型功率晶体管SOT223SOT23
瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。 ...
分类：通信与网络 时间：2007-11-21 阅读：1271 关键词：瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。 ...
分类：其它 时间：2007-11-20 阅读：1170 关键词：瑞萨科技发布硅锗功率晶体管有助于开发低功耗产品..IEEE802.11A
Microsemi日前推出一款用于TCAS(机载防撞系统)航空发射机具有业界功率的晶体管。 此款双极性晶体管型号为TCS1200，采用在Class C偏置，在1030MHz频率下输出功率为1200W，32uS, 2% pulsing。可工作在52V电压下...
分类：元器件应用 时间：2007-11-19 阅读：1781 关键词：Microsemi推出用于TCAS航空发射机的大功率晶体管
飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K...
飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。该晶体管的操作电...
分类：元器件应用 时间：2007-11-16 阅读：1342 关键词：飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K...
飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K
飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。该晶体管的操作电...
分类：物联网技术 时间：2007-11-15 阅读：1420 关键词：飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K
飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡...
分类：元器件应用 时间：2007-11-13 阅读：1631 关键词：飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH
1 引言微波功率晶体管(以下简称微波功率管)是指用于微波频段的功率放大，输出较大功率，散发出较高热量的晶体管。微波功率管是固态发射机及T/R组件的器件，其可靠性对系统的可靠性指标起着决定性的作用。微波功率管...
分类：电源技术 时间：2007-08-01 阅读：1890 关键词：提高微波功率晶体管在使用中的可靠性
Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。SOT23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米，与SOT223器件6.7毫米&...
分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：2360 关键词：ZetexSOT23封装的新型功率晶体管SOT223SOT23ZXTN2020F
