SJ_2748-1987_微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1413 关键词：SJ_2748-1987_微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范.exe
场效应晶体管好坏的判断及使用时注意事项MOS场效应晶体管使用注意事项MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：...
分类：基础电子 时间：2008-09-08 阅读：1851 关键词：场效应晶体管放大器的使用概述
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑...
分类：元器件应用 时间：2008-06-24 阅读：2182 关键词：MOS场效应晶体管使用注意事项
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都...
分类：元器件应用 时间：2008-06-24 阅读：2581 关键词：常用场效应晶体管放大器的识别
安华高科技近日宣布，推出业内封装尺寸最小的场效应晶体管产品，尺寸大小仅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，这些超小型低厚度分立式低噪器件占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225通过采用Avago创新...
分类：元器件应用 时间：2008-06-03 阅读：1756 关键词：安华高面向无线通信应用推出业内尺寸最小的场效应晶体管
在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室研究人员与中科院微电子所科技人员合作，在高性能、低成本有机场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关研究成果申请了中国发明专...
分类：元器件应用 时间：2007-12-15 阅读：1259 关键词：改良电极结构 创新有机场效应晶体管出炉
美国国家半导体公司(NS)推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器。这款型号为LM3475的控制器芯片采用极小巧的SOT23-5封装，其特点是设有可以简精系统设计的迟滞控制电路。系统设计工程师只要...
分类：工业电子 时间：2007-12-03 阅读：2033 关键词：NS推出全新的迟滞式P场效应晶体管降压控制器SOT23-5LM3475
东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 工作频率可达Ku波段
据EEPW网站报道，东芝公司（ToshibaCorporation）日前宣布其已开发了用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET），使该频率范围在14.5GHz上实现了65.4瓦的输出功率，这也是迄今为
分类：元器件应用 时间：2007-11-13 阅读：1505 关键词：东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 工作频率可达Ku波段
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体...
分类：电源技术 时间：2007-06-08 阅读：6664 关键词：功率场效应晶体管MOSFETIRFP450UC3724UC3725
国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器。这款型号为LM3475的控制器芯片采用极小巧的SOT23-5封装，其特点是设有可以简精系统设计的
分类：工业电子 时间：2007-04-29 阅读：1437 关键词：NS P场效应晶体管降压控制器SOT23-5LM3475
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都...
分类：模拟技术 时间：2006-06-20 阅读：1583 关键词：识别技巧：常用场效应晶体管放大器的识别TL084CN
