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RAM

海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居

海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,...

分类:其它 时间:2007-08-07 阅读:1618 关键词:海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居第一

奇梦达512Mbit低功耗DRAM样品面世 剑指移动应用市场

存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。MobileRAM产品是一种超低功耗的DRAM,与同等密度的标准DRAM相比,功耗低80%,主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码...

分类:其它 时间:2007-08-07 阅读:1293 关键词:奇梦达512Mbit低功耗DRAM样品面世 剑指移动应用市场

集邦科技公布2007年第二季DRAM厂商排名TOP10

内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)日前发表第二季DRAM厂销售额排名调查,该机构指出,2007年第二季DRAM品牌厂商销售额较去年季下滑24.4%。此外,与一季度相比DDR2 512Mb价格大幅下跌了40%以上,受此影响,2007...

分类:其它 时间:2007-08-07 阅读:1332 关键词:集邦科技公布2007年第二季DRAM厂商排名TOP10

Rambus存储器的全套测试解决方案

Tektronix公司推出一套Rambus测试工具,可为板级、系统级和协议级测试提供全套解决方案。它由TDS694C数字存储示波器(DSO)、TLA720逻辑分析仪、DG2040数据发生器、HFS9003波形发生器和11801CDSO

分类:其它 时间:2007-08-07 阅读:2760 关键词:Rambus存储器的全套测试解决方案

韩国内存厂商面临挑战 2010年恐失去DRAM霸主地位

iSuppli警告说,长期占据全球DRAM内存工业统治地位的韩国公司,其出货领先地位在未来三年中面临动摇的危险。iSuppli的CEO在汉城数字论坛上表示,现在韩国的DRAM内存工业仍在全球居于领先地位,主要厂商三星和海力士...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2007-08-02 阅读:1260 关键词:韩国内存厂商面临挑战 2010年恐失去DRAM霸主地位

价格战驱动DRAM价格一路走低 便携应用促闪存销售加速增长

三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%。“三星公司正在增加产能,并...

分类:其它 时间:2007-08-02 阅读:1496 关键词:价格战驱动DRAM价格一路走低 便携应用促闪存销售加速增长

记忆科技、勤茂DRAM模块市场销量迅猛增长

市场调研机构iSuppli日前表示,2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技(Ramaxel Technology)和勤茂科技(TwinMOS Technologies)的产品销量迅猛增长,增长率分别达到85%和127%。 中国的记忆科技公司不仅是给排...

分类:其它 时间:2007-08-02 阅读:1441 关键词:记忆科技、勤茂DRAM模块市场销量迅猛增长

什么是DRAM?DRAM是什么意思?

DRAM(DynamicRAM),动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次,但是由于它采用同一电路来存取数据,所以存取时间有一定的间隔,...

分类:其它 时间:2007-08-02 阅读:10081 关键词:什么是DRAM?DRAM是什么意思?

Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 参考设计

OverviewAltera offers a PCI Express to DDR2 SDRAM reference design that demonstrates the operation of Alteras PCI Express (PCIe) MegaCore® product. This reference design provides an interface ...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2007-07-31 阅读:2998 关键词:Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 参考设计

瑞萨科技与松下合作开发片上SRAM制造技术

瑞萨科技与松下电器产业有限公司宣布,共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作的技术,这种SRAM可以嵌入在SoC(系统级芯片)器件和微处理器(MPU)当中。采用这种技术的512KbSRA...

分类:其它 时间:2007-07-13 阅读:1810 关键词:瑞萨科技与松下合作开发片上SRAM制造技术SRAM

瑞萨开发出实现32纳米工艺片上SOI SRAM的前瞻技术

瑞萨科技(Renesas)宣布,开发出一种可在32nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术,以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI(绝缘硅)技术,可独立控制基体电位,也就是构成S...

分类:其它 时间:2007-07-13 阅读:2121 关键词:瑞萨开发出实现32纳米工艺片上SOI SRAM的前瞻技术

先进的MRAM技术受到IBM公司 和英飞凌公司研究人员青睐

IBM公司和英飞凌技术(InfineonTechnologies)公司将磁存储器元件集成到高性能逻辑基中,开发出他们所声称的"迄今最先进的磁性随机存取存储器技术(MRAM)。"两家公司相信,该开发成果将加速MRAM的商品化,并有可能在...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:1413 关键词:先进的MRAM技术受到IBM公司 和英飞凌公司研究人员青睐

站在十字路口的DRAM买方和卖方,何去何从?

DRAM供应商希望有朝一日一种产品大小规格能适应所有的应用要求,但各种各样的设备要求则与之相差甚远。DRAM用户也许更喜欢定制的芯片,但价格会格外昂贵。双方会在保持原则的同时作出足够的让步以达成顺利的交易么?...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:2158 关键词:站在十字路口的DRAM买方和卖方,何去何从?PC2700DDR400PC3200PC1200

重大转变:DRAM取代SRAM

功率及性能优化的DRAM正在抢夺SRAM的风头。  随着添加到系统设计中的功能的增加,以及所要求的代码和数据RAM容量成比例、甚至更可能的按指数规律的增长,DRAM相比于SRAM的每比特成本优势变得更加难以忽略(如图1)...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:3604 关键词:重大转变:DRAM取代SRAM

新架构SRAM消除“软错误”威胁

意法半导体(ST)宣称其所开发的rSRAM技术将在不过多增加芯片制造成本的前提下,有效消除嵌入式SRAM“软错误”对于电子设备可能造成的不良影响。  所谓的“软错误”是指 由构成地球低强度背景辐射的核粒子引起的芯...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:1912 关键词:新架构SRAM消除“软错误”威胁

网络通信与便携式应用驱动SRAM技术

数据通信和便携式系统成为当今SRAM的重要应用领域。某些SRAM由于能够提供实现较高带宽所需的性能(比如在网络系统中)或维持较长电池使用寿命所需的低功耗(比如在便携式设备中)而在许多应用中起着主导作用。这些架...

分类:其它 时间:2007-06-18 阅读:1804 关键词:网络通信与便携式应用驱动SRAM技术

剖析低功耗内存-Mobile RAM

娱乐和商务活动不断增加的移动需求和新技术的涌现,使得消费类和商业类电子设备在不断朝着移动化方向发展的同时,也在控制功耗和成本的前提下不断完善和扩展便携式设备的功能。如在PDA、智能移动电话和数码照相机等...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2007-06-18 阅读:1874 关键词:剖析低功耗内存-Mobile RAM

双口RAM在高速数据采集系统中的应用

引言 由工业计算机通过PCI总线控制的前端数据采集系统在工业控制领域中得到了广泛的应用,一般的数据传送系统在大数据量的情况下会造成数据堵塞现象。在系统设计的过程中经过多方面的比较,采用高数双口RAM构...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2007-06-16 阅读:2333 关键词:双口RAM在高速数据采集系统中的应用TMS320VC5402TMS320C5402CY7C026

片外高速海置SDRAM存储系统设计

在数字图像处理、航空航天等高速信号处理应用场合,需要有高速大容量存储空间的强力支持,来满足系统对海量数据吞吐的要求。通过使用大容量同步动态RAM(SDRAM)来扩展嵌入式DSP系统存储空间的方法,选用ISSI公司的IS4...

分类:其它 时间:2007-06-04 阅读:2791 关键词:片外高速海置SDRAM存储系统设计4096IS42S16400TMS320C6201

端接DDR DRAM的电源电路

DDR(双数据速率)DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压(VREF=VDD/2)。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪VREF的终端电压VT...

分类:电源技术 时间:2007-06-02 阅读:1479 关键词:端接DDR DRAM的电源电路

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