摘要：介绍高速图像采集系统的硬件结构及工作原理，讲述FPGA在图像采集与数据存储部分的VHDL模块设计，给出采集同步模块的VHDL源程序。 关键词：图像采集 FPGA VHDL PCI现代化生产和科学研究对图像采集系统的要...
分类：其它 时间：2007-04-19 阅读：1882 关键词：VHDL在高速图像采集系统中的应用设计SAA7111S5933XC2S150512K8BITCY7C1049V33
产品型号:NTHD4P02FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20V,-3.0A,功率M
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：2078 关键词：NTHD4P02FT1G
产品型号:NTHD4N02FT1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):2.700通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~125描述:-2.7A,
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1428 关键词：NTHD4N02FT1
产品型号:NTHD4508NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,4.1A功率MOSFE
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1805 关键词：NTHD4508NT1G
产品型号:NTHD4502NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:30V,3.9A,N沟道双
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1867 关键词：NTHD4502NT1G
产品型号:NTHD4401PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,3A,P沟道双MOSFE
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1479 关键词：NTHD4401PT1G
产品型号:NTHD4102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.1A,-2
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1487 关键词：NTHD4102PT1G
产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,4.4A,P沟道M
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1507 关键词：NTHD3101FT3G
产品型号:NTHD3101FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20V,-4.4A功
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1923 关键词：NTHD3101FT1G
产品型号:NTHD3100CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,+3.9A
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1441 关键词：NTHD3100CT1G
产品型号:NTHD2102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.6A,-8
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1454 关键词：NTHD2102PT1G
产品型号:MTP50P03HDLG源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):50通道极性:P沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150描述:小信号P沟道TO-220A
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1538 关键词：MTP50P03HDLG
产品型号:MTB50P03HDLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):50通道极性:P沟道封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175描述:50A,30V,D2PAK
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1650 关键词：MTB50P03HDLT4G
产品型号:MMSF7P03HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35最大漏极电流Id(on)(A):7通道极性:P沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:7A,30V,SO-8,P沟道功率
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1333 关键词：MMSF7P03HDR2G
产品型号:MMSF3P02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):95最大漏极电流Id(on)(A):5.600通道极性:P沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:3A,20V,SO-8,P
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1502 关键词：MMSF3P02HDR2G
产品型号:MMDF3N04HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.400通道极性:N/N沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:3A,40V,SO-8
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1247 关键词：MMDF3N04HDR2G
产品型号:MMDF3N02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.800通道极性:N/N沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:3A,20V,SO-8
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1394 关键词：MMDF3N02HDR2G
产品型号:MMDF2P02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):160最大漏极电流Id(on)(A):3.600通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:2A,20V,SO-
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1537 关键词：MMDF2P02HDR2G
产品型号:MMDF2C03HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):70/200最大漏极电流Id(on)(A):4.100通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:2A,30V,
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1537 关键词：MMDF2C03HDR2G
产品型号:NB2309AC1HDR2G输出:9工作电压(V):3.300Tskew(O-O)Max(ps):250FMax(MHz):133.300t-JitterMax(ps):175封装/温度(℃):16SOIC/0~70描述:3.3V零延迟缓
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1429 关键词：NB2309AC1HDR2G
