来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源...
分类：PCB技术 时间：2007-04-16 阅读：1620 关键词：设计PCB时抗ESD的方法
大部分电子产品需要通过电快速瞬变脉冲群（EFT）（根据IEC61000-4-4）和静电放电（ESD）(根据IEC61000-4-2)等项目的标准测试。EFT和ESD是两种典型的突发干扰，EFT信号单脉冲的峰值电压可高达4kV，上升沿5ns。接触放...
分类：电子测量 时间：2007-04-03 阅读：210 关键词：EFT/ESD问题的测量和定位MS02
瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）今天宣布，推出RKZ6.8T系列高ESD*1容忍度双向齐纳二极管，它可用于电子产品中的LED等器件等的正向和反向浪涌吸收*2。RKZ6.8TKK和RKZ6.8TKJ的样品供货分别采用1.0
分类：元器件应用 时间：2005-11-28 阅读：2132 关键词：Renesas高ESD容忍度双向齐纳二极管2005RENESASTECHNOLOGY
在某些情况下，ESD（静电放电）事件会毁坏数字电路，造成闩锁效应。例如，受到 ESD 触发时，通常构成 CMOS 器件中一部分的寄生晶体管会表现为一个 SCR（可控硅整流器）。一旦 ESD 触发， SCR 会在 CMOS 器件的两部分...
分类：电源技术 时间：2005-09-30 阅读：1674 关键词：防止ESD引起器件闩锁的电源断路器
