实际应用的DDR时序

接下来我们会一步步地生成输入偏移约束，以便读者容易理解。图1描述了上升数据的时序，假定周期参数为5ns，占空比50％，所以半周期就是2.5ns。可以看到数据有效窗口只有2ns，因为相邻数据有250ps的边界。请留意时钟...

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-09-16 阅读：3994 关键词：实际应用的DDR时序

存储器的地址线（Address Line）数据线（Data Line）和存储体（Bank）

1.BANK计算公式可表示为： BANK数＝颗粒数×位宽/64bit 下面来看看INTEL各芯片组对于内存的支持（资料来自于官方文档）其中，芯片容量可如下计算： 芯片容量＝内存容量×8bit/颗粒数例如：256M的内存，...

分类：其它 时间：2008-08-18 阅读：25949 关键词：存储器的地址线（Address Line）数据线（Data Line）和存储体（Bank）INTELTNT2存储器存储体

FuturePlus为泰克逻辑分析仪推出高速DDR3插补器

FuturePlusSystems公司日前为下一代双倍数据速率(DDR)SDRAM总线推出FS2355DDR31333插补器预处理器。这款世界上速度最快的插补器是为用于泰克TLA7000系列逻辑分析系统设计的，以增强1333DIMM卡调试，改善最新

分类：电子测量 时间：2008-08-15 阅读：2263 关键词：FuturePlus为泰克逻辑分析仪推出高速DDR3插补器分析仪DDR3插补器

嵌入式DDR总线的布线分析与设计

引言嵌入式DDR(DoubleDataRate，双数据速率)设计是含DDR的嵌入式硬件设计中最重要和最核心的部分。随着嵌入式系统的处理能力越来越强大，实现的功能越来越多，系统的工作频率越来越高，DDR的工作频率也逐渐从的133MH...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-08-14 阅读：1560 关键词：嵌入式DDR总线的布线分析与设计LOGICRATE

TI推出新一代 3A DDR 端接稳压器TPS51200

TI宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率(DDR)终端稳压器TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为20?F，比同类竞争解决方案的电容降低了近...

分类：电源技术 时间：2008-08-11 阅读：1646 关键词：TI推出新一代 3A DDR 端接稳压器TPS51200TPS51116TPS51100TPS40042TPS51200稳压器TPS51200

TI推出TPS51200新一代3A DDR终端稳压器

日前，德州仪器(TI)宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极/源极双数据速率(DDR)终端稳压器TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为20μF，比同类竞争解决方...

分类：电源技术 时间：2008-08-08 阅读：1740 关键词：TI推出TPS51200新一代3A DDR终端稳压器TPS51116TPS51100TPS40042TPS51200DDR终端稳压器

泰克为下一代DDR3存储器推出最完善的系列测试工具

全球领先的测试、测量和监测仪器提供商泰克公司日前宣布，为DDR2和DDR3技术推出完善的系列测试工具。DDR3是下一代双倍数据速率(DDR)同步动态随机访问存储器(SDRAM)，将提供性能更高的数据速率。泰克DDR测试解决方案...

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2008-06-04 阅读：1607 关键词：泰克为下一代DDR3存储器推出最完善的系列测试工具1600TECHNOLOGYSDRAM

WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装

WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)宣布推出一款容量为2Gb的32M×72DDRSDRAM。作为WEDC高密度双倍数据率(DDR)SDRAM家族产品中的最新成员，此款SDRAM支持高性能处理器。WEDC的256Mb(2Gb)

分类：其它 时间：2008-06-02 阅读：2013 关键词：WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装DDRSDRAM芯片封装

Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGA

Altera公司宣布，第一个在FPGA业界实现了对高性能DDR3存储器接口的全面支持。在最近通过的JESD79-3JEDECDDR3SDRAM标准下，AlteraStratix®III系列FPGA可以帮助设计人员充分发挥DDR3存储器的高性

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2008-06-02 阅读：2835 关键词：Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGAJEDECDDR3SDRAMFPGA

PMC-Sierra新推1.8 GHz主频双CPU核 64位MIPS-Powered多处理器和DDR2

PMC-Sierra公司在的秋季处理器论坛（FallProcessorForum）上发布了其第三代高集成64位MIPS-Powered多处理器。这款RM11200处理器采用PMC-Sierra业经验证的系统级芯片（Soc）平台设计方案和90纳米CM

分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2007-12-24 阅读：2403 关键词：PMC-Sierra新推1.8 GHz主频双CPU核 64位MIPS-Powered多处理器和DDR2

FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

DDR3SDRAM内存的总线速率达到600Mbpsto1.6Gbps(300to800MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何实现FPGA和DDR3SDR

分类：EDA/PLD/PLC 时间：2007-12-21 阅读：1720 关键词：FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

Stratix III FPGA性能达到533-MHz DDR3接口标准

Altera宣布，StratixIIIFPGA的DDR3存储器接口速率超过1067Mbps。更宽的存储器带宽支持新的通信、计算和视频处理应用，以前很难实现这类应用或者需要增加存储器块才能实现。Altera的StratixIIIFPGA系列是完全符合

分类：其它 时间：2007-12-19 阅读：1896 关键词：Stratix III FPGA性能达到533-MHz DDR3接口标准

三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片

三星电子公司宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。三星电子称，采用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，是当前80nm...

分类：其它 时间：2007-12-18 阅读：2007 关键词：三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片

凌特推出用于 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器

凌特公司（LinearTechnology）推出用于DDR/QDR存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器LTC3776。该控制器的第二输出（VTT）可将其输出电压稳定在1/2VREF（通常是VDDQ），同时可对称地提供或吸收输出电流...

分类：其它 时间：2007-12-18 阅读：1688 关键词：凌特推出用于 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器LTC3776EUFLTC3776EGNLTC3776

安森美半导体推出新款DDR内存电源控制器

安森美半导体(ONSemiconductor)公司宣布拓展其电脑电源产品线，推出新款DDR内存电源控制器——NCP5214。新器件集成了VDDQ和VTT终端电压，有助于提高笔记本电脑系统效率，并延长电池寿命。NCP5214集成两个电压的输出...

分类：其它 时间：2007-12-18 阅读：1564 关键词：安森美半导体推出新款DDR内存电源控制器NCP5214

DDR2逼近变动成本 预计价格反弹近期可待

上周(11/26-12/3)现货市场仍延续近期的价格走势，DDR2512MbeTT颗粒虽然小幅下跌，但已有支持的力道出现，收在0.81美元，跌幅约1.2%；而DDR21GbeTT颗粒价格则滑落至1.61美元，跌幅约1.8%；品牌颗粒DDR21Gb的

分类：其它 时间：2007-12-15 阅读：1329 关键词：DDR2逼近变动成本 预计价格反弹近期可待